下列晶體中，不屬于原子晶體的是
A．干冰B．水晶C．晶體硅D．金剛石
A
分子間通過分子間作用力形成的晶體是分子晶體，原子間通過共價(jià)鍵形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體是原子晶體，干冰是CO2，屬于分子晶體，其余都是原子晶體。所以答案選A。
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列化學(xué)式既能表示物質(zhì)的組成，又能表示物質(zhì)的一個(gè)分子的是（  ）
A．NaOHB．SiO2C．FeD．H2Se

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

金屬的下列性質(zhì)中，不能用金屬的電子氣理論加以解釋的是
A．易導(dǎo)熱B．易導(dǎo)電C．只能作還原劑D．有延展性

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

某物質(zhì)有以下性質(zhì)：①是電解質(zhì)，②溶解時(shí)有化學(xué)鍵的破壞，③熔化時(shí)沒有化學(xué)鍵的破壞，則該物質(zhì)固態(tài)時(shí)屬于
A．原子晶體B．離子晶體C．分子晶體D．金屬晶體

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列性質(zhì)適合于某種原子晶體的是
A．熔點(diǎn)1070℃，易溶于水，水溶液導(dǎo)電
B．熔點(diǎn)10.32℃，液態(tài)不導(dǎo)電，水溶液導(dǎo)電
C．能溶于CS2，熔點(diǎn)444.6℃
D．熔點(diǎn)3550℃，很硬，不溶于水，不導(dǎo)電

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

超臨界流體是介于氣態(tài)和液態(tài)之間的一種新的狀態(tài)。目前應(yīng)用最廣的是超臨界二氧化碳，在化學(xué)工業(yè)上可取代氟利昂等溶劑、發(fā)泡劑。下列有關(guān)超臨界二氧化碳的說法中錯(cuò)誤的是（   ）
A．超臨界二氧化碳由CO2分子構(gòu)成
B．超臨界二氧化碳是新合成的一種物質(zhì)
C．用超臨界二氧化碳溶解物質(zhì)后，可在常溫常壓下使二氧化碳揮發(fā)除去
D．用超臨界二氧化碳代替氟利昂可減輕對(duì)臭氧層的破壞

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

（5分）（1）下列數(shù)據(jù)是對(duì)應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)（℃)
NaCl
Na2O
AlF3
AlCl3
BCl3
Al2O3
CO2
SiO2
801
920
1291
190
－109
2073
－57
1723
據(jù)此作出的下列判斷中，錯(cuò)誤的是
A．鋁的化合物晶體中沒有離子晶體
B．表中只有BCl3，干冰是分子晶體
C．同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體
D．不同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體
（2）SiO2晶體結(jié)構(gòu)片斷如圖所示。SiO2晶體中Si和Si—O鍵的比例為          。
通常人們把拆開1mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。
化學(xué)鍵
Si—O
Si—Si
O＝O
鍵能kJ/mol
460
176
498
Si(s)+O2(g) SiO2(s)，該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H＝         。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：填空題

(10分)某離子晶體晶胞的結(jié)構(gòu)如圖所示。X(·)位于立方體頂點(diǎn)，Y(o)位于立方體中心。試分析：

(1)晶體中每個(gè)Y同時(shí)吸引著________個(gè)X，每個(gè)X同時(shí)吸引著________個(gè)Y，該晶體的化學(xué)式為________。
(2)晶體中每個(gè)X周圍與它最接近且距離相等的X共有________個(gè)。
(3)晶體中距離最近的2個(gè)X與1個(gè)Y形成的夾角∠XYX是________。
(4)設(shè)該晶體的摩爾質(zhì)量為Mg/mol，晶體密度為ρg/cm3，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則晶體中兩個(gè)距離最近的X中心距離為________cm。

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科目：高中化學(xué) 來源：不詳 題型：單選題

下列說法正確的是（  ）
A．某晶體固態(tài)不導(dǎo)電，水溶液能導(dǎo)電說明該晶體是離子晶體
B．原子晶體的原子間只存在共價(jià)鍵，而分子晶體內(nèi)只存在范德華力。
C．區(qū)分晶體和非晶體最科學(xué)的方法是對(duì)固體進(jìn)行X-射線衍射實(shí)驗(yàn)
D．任何晶體中，若含有陽離子也一定含有陰離子

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