有四種物質(zhì)的量濃度相同且由一價(jià)陽離子A+、B+和一價(jià)陰離子X-、Y-組成的鹽溶液，據(jù)測定，常溫下AX溶液和BY溶液的pH都為7，AY溶液的pH>7，BX的溶液的pH<7。據(jù)此推斷，可能不水解的鹽是
[     ]

A．AX
B．BX
C．AY
D．BY

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    相關(guān)習(xí)題

    科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

    （1）將足量BaCO3分別加入：①30mL 水 ②10mL 0.2mol/L Na2CO3溶液 ③50mL 0.01mol/L 氯化鋇溶液 ④100mL 0.01mol/L鹽酸中溶解至溶液飽和．請確定各溶液中Ba2+的濃度由大到小的順序?yàn)椋?!--BA-->
    ③＞④＞①＞②
    ③＞④＞①＞②
    （填編號）
    （2）現(xiàn)有電解質(zhì)溶液：①Na2CO3②NaHCO3?③NaAlO2  ④CH3COONa  ⑤NaOH  且已知：CO2+3H2O+2AlO2-═2Al（OH）3↓+CO32-．?
    ①當(dāng)五種溶液的pH相同時(shí)，其物質(zhì)的量濃度由大到小的順序是
    ④＞②＞①＞③＞⑤
    ④＞②＞①＞③＞⑤
    （填編號）．
    ②將上述物質(zhì)的量濃度均為0.1mol?L-1的五種溶液，稀釋相同倍數(shù)時(shí)，其pH變化最大的是
    ⑤
    ⑤
    （填編號）．
    ③在上述五種電解質(zhì)溶液中，分別加入AlCl3溶液，有氣體產(chǎn)生的是
    ①②
    ①②
    （填編號）．
    ④將上述①②③④這四種電解質(zhì)溶液混合，發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為
    H2O+HCO3-+AlO2-═CO32-+Al（OH）3↓
    H2O+HCO3-+AlO2-═CO32-+Al（OH）3↓
    ．

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    科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

    （2012?長寧區(qū)一模）Ⅰ．工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．
    （1）原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質(zhì)，必須精制后才能供電解使用．精制時(shí)，粗鹽溶于水過濾后，還要加入的試劑分別為①Na2CO3、②HCl（鹽酸）③BaCl2，這3種試劑添加的合理順序是
    ③①②
    ③①②
    （填序號）洗滌除去NaCl晶體表面附帶的少量KCl，選用的試劑為
    ③
    ③
    ．（填序號）（①飽和Na2CO3溶液  ②飽和K2CO3溶液  ③75%乙醇�、芩穆然迹�
    （2）如圖是離子交換膜（允許鈉離子通過，不允許氫氧根與氯離子通過）法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是
    氯氣
    氯氣
    ；NaOH溶液的出口為
    a
    a
    （填字母）；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為
    d
    d
    （填字母）；干燥塔中應(yīng)使用的液體是
    濃硫酸
    濃硫酸
    ．

    Ⅱ．多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注．
    （1）SiCl4可制氣相白炭黑（與光導(dǎo)纖維主要原料相同），方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為
    SiCl4+2H2+O2
     高溫 
    .
     
    SiO2+4HCl
    SiCl4+2H2+O2
     高溫 
    .
     
    SiO2+4HCl
    ．
    （2）SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用．一定條件下，在20L恒容密閉容器中的反應(yīng)：
    3SiCl4（g）+2H2（g）+Si（s）?4SiHCl3（g）
    達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L，若H2全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為
    0.351
    0.351
    kg．
    （3）實(shí)驗(yàn)室制備H2和Cl2通常采用下列反應(yīng)：
    Zn+H2SO4→ZnSO4+H2↑；MnO2+4HCl（濃）
    △
    MnCl2+Cl2↑+2H2O
    據(jù)此，從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H2的裝置
    e
    e
    （填代號）和制備并收集干燥、純凈Cl2的裝置
    d
    d
    （填代號）．
    可選用制備氣體的裝置：

    （4）采用無膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg，則生成氫氣
    134.4
    134.4
    m3（標(biāo)準(zhǔn)狀況）．（忽略可能存在的其他反應(yīng)）
    某工廠生產(chǎn)硼砂過程中產(chǎn)生的固體廢料，主要含有MgCO3、MgSiO3、CaMg（CO3）2、Al2O3和Fe2O3等，回收其中鎂的工藝流程如下：

    沉淀物 Fe（OH）3 Al（OH）3 Mg（OH）2
    PH 3.2 5.2 12.4
    Ⅲ．部分陽離子以氫氧化物形式完全沉淀時(shí)溶液的pH見上表，請回答下列問題：
    （1）“浸出”步驟中，為提高鎂的浸出率，可采取的措施有
    適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
    適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
    （要求寫出兩條）．
    （2）濾渣I的主要成分是
    Fe（OH）3、Al（OH）3
    Fe（OH）3、Al（OH）3
    ．
    Mg（ClO3）2在農(nóng)業(yè)上可用作脫葉劑、催熟劑，可采用復(fù)分解反應(yīng)制備：
    MgCl2+2NaClO3→Mg（ClO3）2+2NaCl
    已知四種化合物的溶解度（S）隨溫度（T）變化曲線如圖所示：

    （3）將反應(yīng)物按化學(xué)反應(yīng)方程式計(jì)量數(shù)比混合制備Mg（ClO3）2．簡述可制備Mg（ClO3）2的原因：
    在某一溫度時(shí)，NaCl最先達(dá)到飽和析出；Mg（ClO3）2的溶解度隨溫度變化的最大，NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別；
    在某一溫度時(shí)，NaCl最先達(dá)到飽和析出；Mg（ClO3）2的溶解度隨溫度變化的最大，NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別；
    ．
    （4）按題（3）中條件進(jìn)行制備實(shí)驗(yàn)．在冷卻降溫析出Mg（ClO3）2過程中，常伴有NaCl析出，原因是：
    降溫前，溶液中NaCl已達(dá)飽和，降低過程中，NaCl溶解度會降低，會少量析出；
    降溫前，溶液中NaCl已達(dá)飽和，降低過程中，NaCl溶解度會降低，會少量析出；
    ．除去產(chǎn)品中該雜質(zhì)的方法是：
    重結(jié)晶
    重結(jié)晶
    ．

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    科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

    （6分）現(xiàn)有電解質(zhì)溶液①Na2CO3,②NaHCO3,③NaAlO2,④CH3COONa，⑤NaOH

    （1）當(dāng)五種溶液的濃度相同時(shí)，溶液中由水電離出的H+的物質(zhì)的量濃度由大到小的順序是               (填序號)。

    （2）在上述五種電解質(zhì)溶液中，分別加入AlCl3溶液，有氣體產(chǎn)生的是          (填序號)。

    （3）將上述①②③④四種電解質(zhì)溶液混合，發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為               

     

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    科目：高中化學(xué) 來源：2013-2014學(xué)年高考化學(xué)二輪專題沖刺第16講 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)練習(xí)卷（解析版） 題型：填空題

    已知：A、B、C、D、E、F六種元素，原子序數(shù)依次增大。A原子核外有兩種形狀的電子云，兩種形狀的電子云軌道上電子數(shù)相等；B是短周期中原子半徑最大的元素；C元素3p能級半充滿；E是所在周期電負(fù)性最大的元素；F是第四周期未成對電子最多的元素。

    試回答下列有關(guān)的問題。

    (1)寫出F元素的電子排布式：___________________________________________。

    (2)已知A元素的一種氫化物分子中含四個(gè)原子，則在該化合物的分子中A原子的雜化軌道類型為_____________________________________________________________。

    (3)已知C、E兩種元素形成的化合物通常有CE3、CE5兩種。這兩種化合物中一種為非極性分子，一種為極性分子，屬于極性分子的化合物的分子空間構(gòu)型是_________________。

    (4)B、C、D、E的第一電離能由大到小的順序是________(寫元素符號)。四種元素最高價(jià)氧化物的水化物形成的溶液，物質(zhì)的量濃度相同時(shí)，pH由大到小的順序是____________

    ______________________________________________________________(寫化學(xué)式)。

    (5)由B、E兩元素形成的化合物組成的晶體中，陰、陽離子都具有球型對稱結(jié)構(gòu)，它們都可以看做剛性圓球，并彼此“相切”。如下圖所示為B、E形成化合物的晶胞結(jié)構(gòu)圖以及晶胞的剖面圖：

    晶胞中距離一個(gè)B＋最近的B＋有________個(gè)。若晶體密度為ρ g·cm－3，阿伏加德羅常數(shù)的值用NA表示，則E－的離子半徑為________cm(含NA與ρ的式子表達(dá))。

     

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    科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年河北省唐山市高三第一次模擬考試?yán)砭C化學(xué)試卷（解析版） 題型：推斷題

    已知：A、B、C、D、E、F六種元素，原子序數(shù)依次增大。A原子核外有兩種形狀的電子云，兩種形狀的電子云軌道上電子數(shù)相等；B是短周期中原子半徑最大的元素；C元素3p能級半充滿；E是所在周期電負(fù)性最大的元素；F是第四周期未成對電子最多的元素。試回答下列有關(guān)的問題：

    （1）寫出F元素的電子排布式_______。

    （2）已知A元素的一種氫化物分子中含四個(gè)原子，則在該化合物的分子中A原子的雜化軌道類型為______。

    （3）已知C、E兩種元素形成的化合物通常有CE3、CE5兩種。這兩種化合物中一種為非極性分子，一種為極性分子，屬于極性分子的化合物的分子空間構(gòu)型是______。

    （4）B、C、D、E的第一電離能由大到小的順序是______ (寫元素符號）。四種元素最高價(jià)氧化物的水化物形成的溶液，物質(zhì)的量濃度相同時(shí)，pH由大到小的順序是______(寫化學(xué)式）。

    （5）由B、E兩元素形成的化合物組成的晶體中，陰、陽離子都有球型對稱結(jié)構(gòu)，它們都可以看作剛性圓球，并彼此“相切”。如下圖所示為B、E形成化合物的晶胞結(jié)構(gòu)圖以及晶胞的剖面圖：

    晶胞中距離一個(gè)Na+最近的Na+有____________個(gè)。若晶體密度為ρ g·cm-3，阿伏加德羅常的值用NA表示，則Cl－的離子半徑_____cm(用含NA與ρ式子表達(dá))。

     

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