【題目】將濃度為0.1molL﹣1HF溶液加水不斷稀釋,下列各量始終保持增大的是( )
A.c(H+)
B.Ka(HF)
C.
D.
【答案】D
【解析】解:A、因HF為弱酸,則濃度為0.1molL﹣1HF溶液加水不斷稀釋,促進電離,平衡正向移動,電離程度增大,n(H+)增大,但c(H+)不斷減小,故A錯誤; B、因電離平衡常數(shù)只與溫度有關(guān),則Ka(HF)在稀釋過程中不變,故B錯誤;
C、因稀釋時一段時間電離產(chǎn)生等量的H+和F﹣ , 溶液的體積相同,則兩種離子的濃度的比值不變,但隨著稀釋的不斷進行,c(H+)不會超過10﹣7molL﹣1 , c(F﹣)不斷減小,則比值變小,故C錯誤;
D、因Ka(HF)= ,當HF溶液加水不斷稀釋,促進電離,c(F﹣)不斷減小,Ka(HF)不變,則 增大,故D正確;
故選:D.
根據(jù)HF屬于弱電解質(zhì),則在加水不斷稀釋時,電離程度增大,電離平衡保持向正反應(yīng)方向移動,并注意溫度不變時,電離平衡常數(shù)不變來解答.
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【題目】請預(yù)測有機物丙烯酸(CH2=CH-COOH)的發(fā)生的反應(yīng)類型可能有( 。
①加成反應(yīng)②水解反應(yīng)③酯化反應(yīng)④中和反應(yīng)⑤氧化反應(yīng).
A. 只有①③B. 只有①③④C. ①②③④⑤D. 只有①③④⑤
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【題目】實驗室需1 mol·L-1的CuSO4溶液750 mL,配制時應(yīng)選用的容量瓶的規(guī)格和稱取CuSO4固體的質(zhì)量分別為
A. 容量瓶:500 mL、250 mL各一個; CuSO4:共120.0 g
B. 容量瓶:750 mL、 CuSO4:120.0 g
C. 容量瓶:1 000 mL、CuSO4晶體:250.0 g
D. 容量瓶:1 000 mL、 CuSO4:160.0 g
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【題目】已知銅和濃硫酸可以在加熱條件下發(fā)生如下反應(yīng)(反應(yīng)方程式已配平):Cu+2H2SO4(濃)CuSO4+A↑+2H2O。試通過計算和推理完成下面的問題:
(1)A物質(zhì)可以導致酸雨的形成。A應(yīng)該屬于________(用字母代號填寫)。
a.酸 b.堿 c.鹽 d.酸性氧化物 e.堿性氧化物
(2)A物質(zhì)可以使酸性KMnO4溶液褪色,此反應(yīng)中(填寫化學式,下同)_______失去電子,氧化劑是________。
(3)足量的銅片與10mL 18mol/L的濃H2SO充分反應(yīng),如果該反應(yīng)過程中轉(zhuǎn)移了0.1mol電子,生成的CuSO4的物質(zhì)的量為_______mol,生成的A氣體在標準狀況下體積為________L(假設(shè)氣體全部逸出)。
(4)計算:將反應(yīng)后得到的溶液與足量Ba(OH)2溶液混合,充分反應(yīng)。反應(yīng)后所得沉淀的質(zhì)量為______g。
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【題目】實驗室有一份含有雜質(zhì)MgCl2和KCl的AlCl3溶液M,某小組用下圖所示過程對其進行除雜并盡可能的減少AlCl3的損失。請回答下列問題:
(1)沉淀A的化學式為__________,過程①中Al3+發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為__________________。
(2)氫氧化鈉溶液_____(填“能”或“不能”)用氨水代替,原因是_____________________。
(3)溶液B中大量存在的陽離子是______________,過程②中生成沉淀C的離子方程式為_____________________________。
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【題目】如圖所示,是在其他條件一定時,反應(yīng)2A+B2C△H<0,A的最大轉(zhuǎn)化率與溫度關(guān)系曲線,下列敘述正確的是( )
A.X或Y兩點相應(yīng),V(正)>V(逆)
B.Z、N兩點表示未達平衡狀態(tài),且都是V(正)>V(逆)
C.W點表示非平衡狀態(tài),V(正)>V(逆)
D.相應(yīng)反應(yīng)速率大小的點:W>Y>N
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【題目】已知C(s)+O2(g)=CO2(g)△H1=﹣393.5kJ/mol, 2CO(g)+O2(g)=2CO2(g)△H2=﹣566.0kJ/mol,
C(s)+0.5O2(g)=CO(g)△H3=akJ/mol,則a= .
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【題目】在離子RO3n-中,共有x個核外電子,R原子的質(zhì)量數(shù)為A,則R原子核內(nèi)含有的中子數(shù)目是
A. A-x+n+48B. A-x+n+24C. A-x-n-48D. A+x-n-24
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【題目】用可溶性鋇鹽檢驗SO42-離子的存在時,先在待測溶液中加入鹽酸,其作用是
A. 形成較多的白色沉淀 B. 排除SO42-以外的其它陰離子及Ag+的干擾
C. 形成的沉淀純度更高 D. 排除Ba2+以外的其它陽離子的干擾
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