下列用電子式表示物質(zhì)的形成過(guò)程正確的是(  )
A、
B、
C、
D、
考點(diǎn):用電子式表示簡(jiǎn)單的離子化合物和共價(jià)化合物的形成
專題:化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)
分析:A.氧化鉀是離子化合物,氧化鉀中氧離子帶兩個(gè)單位負(fù)電荷;
B.氟化鎂中兩個(gè)氟離子放在鎂離子兩邊;
C.氯化鋇是離子化合物,氯化鋇是由一個(gè)鋇離子和兩個(gè)氯離子構(gòu)成的;
D.氯化鉀是離子化合物,離子化合物中陰離子寫出電荷及電性并用“[]”括起來(lái),陽(yáng)離子寫出電荷和電性即可.
解答:解:A.氧化鉀中氧離子帶兩個(gè)單位正電荷,氧化鉀的電子式為,故A錯(cuò)誤;
B.氟化鎂中兩個(gè)氟離子放在鎂離子兩邊,氟化鎂的形成過(guò)程為,故B錯(cuò)誤;
C.氯化鋇是離子化合物,氯化鋇是由一個(gè)鋇離子和兩個(gè)氯離子構(gòu)成的,所以其形成過(guò)程為,故C正確;
D.氯化鉀是離子化合物,離子化合物中陰離子寫出電荷及電性并用“[]”括起來(lái),陽(yáng)離子寫出電荷和電性即可,氯化鉀的電子式為,故D錯(cuò)誤;
故選C.
點(diǎn)評(píng):本題考查了電子式的書寫,明確物質(zhì)的構(gòu)成微粒及微粒間的作用力是解本題關(guān)鍵,注意離子化合物和共價(jià)化合物電子式的區(qū)別,為易錯(cuò)點(diǎn).
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鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱,參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù),回答下列問(wèn)題:
化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
鍵能/kJ?mol-1 460 360 436 431 176 347
(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低(填“>”或“<”)
    SiC
 
Si; SiCl4
 
SiO2
(2)能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si 和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低?
 
(填“能”或“不能”),原因是
 

(3)如圖立方體中心的“?”表示金剛石晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“?”表示出與之緊鄰的碳原子.

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下列有關(guān)化學(xué)用語(yǔ)表示正確的是( 。
A、過(guò)氧化鈉的電子式:
B、質(zhì)子數(shù)為35、中子數(shù)為45的溴原子:
 
80
35
Br
C、硫離子的結(jié)構(gòu)示意圖:
D、間二甲苯的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式:

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下列有關(guān)化學(xué)用語(yǔ)表示正確的是( 。
A、甲基的電子式:
B、鎂離子的結(jié)構(gòu)示意圖:
C、質(zhì)量數(shù)為34、中子數(shù)為18的核素:
 
34
16
S
D、乙酸的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式:

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

下列用電子式表示離子化合物的形成過(guò)程正確的是(  )
A、
B、
C、
D、

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

用電子式表示下列化合物的形成過(guò)程
KBr
 

MgCl2
 

H2
 

HCl:
 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

寫出15號(hào)元素的原子的電子式
 
;1號(hào)元素與8號(hào)元素所組成的物質(zhì)是
 
(寫化學(xué)式),該物質(zhì)的電子式
 
;用電子式表示氧化鎂的形成過(guò)程
 

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