A. | 原子序數(shù):b>a>c>d | B. | 原子半徑:C>D>A>B | ||
C. | 離子半徑:Cn->D(n+1)->An+>B(n+1)+ | D. | 單質(zhì)還原性:A>B>C>D |
分析 A.a(chǎn)An+,bB(n+1)+,cCn-,dD(n+1)-是具有相同的電子層結(jié)構(gòu)的短周期元素形成的簡單離子,陽離子位于陰離子的下一周期,陽離子中所帶電荷越多其原子序數(shù)越多,陰離子中所帶電荷越多其原子序數(shù)越;
B.電子層數(shù)越多其原子半徑越大,同一周期元素,原子半徑隨著原子序數(shù)增大而減;
C.電子層結(jié)構(gòu)相同的離子,離子半徑隨著原子序數(shù)增大而減;
D.元素的金屬性越強(qiáng),其單質(zhì)的還原性越強(qiáng).
解答 解:A.a(chǎn)An+,bB(n+1)+,cCn-,dD(n+1)-是具有相同的電子層結(jié)構(gòu)的短周期元素形成的簡單離子,陽離子位于陰離子的下一周期,陽離子中所帶電荷越多其原子序數(shù)越多,陰離子中所帶電荷越多其原子序數(shù)越小,所以這幾種元素原子序數(shù)大小順序是b>a>c>d,故A正確;
B.電子層數(shù)越多其原子半徑越大,同一周期元素,原子半徑隨著原子序數(shù)增大而減小,所以原子半徑A>B>D>C,故B錯(cuò)誤;
C.電子層結(jié)構(gòu)相同的離子,離子半徑隨著原子序數(shù)增大而減小,所以離子半徑D(n+1)->Cn->An+>B(n+1)+,故C錯(cuò)誤;
D.A、B在周期表中同周期,原子序數(shù):b>a,金屬性:A>B,對(duì)應(yīng)單質(zhì)的還原性:A>B,C、D在周期表同周期,原子序數(shù)c>d,非金屬性C>D,對(duì)應(yīng)單質(zhì)的氧化性C>D,所以還原性C<D,故D錯(cuò)誤;
故選A.
點(diǎn)評(píng) 本題考查原子結(jié)構(gòu)和元素周期律,為高頻考點(diǎn),明確原子核外電子排布及元素結(jié)構(gòu)和性質(zhì)關(guān)系是解本題關(guān)鍵,熟練掌握原子結(jié)構(gòu)和元素周期律并靈活運(yùn)用,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:推斷題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 用電子式表示氫溴酸的形成過程為: | |
B. | 乙烯的結(jié)構(gòu)簡式:C2H4 | |
C. | 四氯化碳的電子式為: | |
D. | 質(zhì)子數(shù)為27、中子數(shù)為33的Co原子:${\;}_{27}^{60}$Co |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | ①③④⑤ | B. | ③④⑤ | C. | ①②④ | D. | 全部 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 氣體甲可與Z的某種氫化物反應(yīng)生成強(qiáng)酸 | |
B. | W元素的晶體單質(zhì)是一種良好的半導(dǎo)體材料 | |
C. | X分別與Y,Z,M,W形成的常見化合物中,穩(wěn)定性最好的是XM | |
D. | 化合物乙中一定只有共價(jià)鍵 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 正反應(yīng)速率等于逆反應(yīng)速率 | B. | 反應(yīng)物和生成物濃度不再發(fā)生變化 | ||
C. | 正、逆反應(yīng)速率都為零 | D. | 反應(yīng)體系中混合物的組成保持不變 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | A酸比B酸的電離程度小 | |
B. | A是強(qiáng)酸,B是弱酸 | |
C. | pH=1時(shí),B酸的物質(zhì)的量濃度比A酸大 | |
D. | 將pH=1的A酸和B酸稀釋成pH=5的溶液,A酸所需加入的水量多 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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