【題目】硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ).請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為 , 該能層具有的原子軌道數(shù)為、電子數(shù)為 .
(2)硅主要以硅酸鹽、等化合物的形式存在于地殼中.
(3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以相結(jié)合,其晶胞中共有8個(gè)原子,其中在面心位置貢獻(xiàn)個(gè)原子.
(4)單質(zhì)硅可通過(guò)甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來(lái)制備.工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4 , 該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 .
(5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡(jiǎn)要分析和解釋下列有關(guān)事實(shí):
化學(xué)鍵 | C﹣C | C﹣H | C﹣O | Si﹣Si | Si﹣H | Si﹣O |
鍵能/(kJmol﹣1 | 356 | 413 | 336 | 226 | 318 | 452 |
①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多,原因是 .
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4 , 更易生成氧化物,原因是 .
(6)在硅酸鹽中,SiO4﹣4四面體(如圖1)通過(guò)共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式.圖(2)為一種無(wú)限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為 , Si與O的原子數(shù)之比為 , 化學(xué)式為 .
【答案】
(1)M;9;4
(2)二氧化硅
(3)共價(jià)鍵;3
(4)Mg2Si+4NH4Cl=SiH4↑+4NH3↑+2MgCl2
(5)C﹣C鍵和C﹣H鍵較強(qiáng),所形成的烷烴穩(wěn)定,而硅烷中Si﹣Si鍵和Si﹣H鍵的鍵能較低,易斷裂,導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成;C﹣H鍵的鍵能大于C﹣O鍵,C﹣H鍵比C﹣O鍵穩(wěn)定,而Si﹣H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si﹣O鍵,所以Si﹣H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si﹣O鍵
(6)sp3;1:3;[SiO3]n2n﹣(或SiO32﹣)
【解析】解:(1.)原子中,離原子核越遠(yuǎn)的電子層其能量越高,所以Si原子中M電子層能量最高;該原子中含有3個(gè)s軌道、6個(gè)p軌道,所以一共有9個(gè)軌道,電子數(shù)為4,故答案為:M;9;4;
(2.)硅屬于親氧元素,在自然界中不能以單質(zhì)存在,主要以二氧化硅和硅酸鹽存在,故答案為:二氧化硅;
(3.)硅單質(zhì)中硅硅之間以共價(jià)鍵結(jié)合,硅晶胞中每個(gè)頂點(diǎn)上有1個(gè)Si、面心是有1個(gè)Si、在晶胞內(nèi)部含有4個(gè)Si原子,利用均攤法知,面心提供的硅原子個(gè)數(shù)=6× =3,故答案為:共價(jià)鍵;3;
(4.)可使?jié)駶?rùn)的紅色石蕊試紙變藍(lán)的氣體是氨氣,再根據(jù)元素守恒知還生成氯化鎂MgCl2 , 所以反應(yīng)方程式為:Mg2Si+4NH4Cl=SiH4↑+4NH3↑+2MgCl2 , 故答案為:Mg2Si+4NH4Cl=SiH4↑+4NH3↑+2MgCl2;
(5.)①鍵能越大形成的化學(xué)鍵越穩(wěn)定,C﹣C鍵和C﹣H鍵的鍵能大于Si﹣Si鍵和Si﹣H鍵的鍵能,所以C﹣C鍵和C﹣H鍵較強(qiáng),所形成的烷烴穩(wěn)定,而硅烷中Si﹣Si鍵和Si﹣H鍵的鍵能較低,易斷裂,導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成,故答案為:C﹣C鍵和C﹣H鍵較強(qiáng),所形成的烷烴穩(wěn)定,而硅烷中Si﹣Si鍵和Si﹣H鍵的鍵能較低,易斷裂,導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成;②鍵能越大形成的化學(xué)鍵越穩(wěn)定,CC﹣H鍵的鍵能大于Si﹣H鍵的鍵能,而Si﹣H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si﹣O鍵,所以Si﹣H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si﹣O鍵,故答案為:C﹣H鍵的鍵能大于C﹣O鍵,C﹣H鍵比C﹣O鍵穩(wěn)定,而Si﹣H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si﹣O鍵,所以Si﹣H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的Si﹣O鍵;
(6.)Si原子形成四個(gè)σ鍵,Si原子的雜化形式為sp3 , 根據(jù)圖片知,每個(gè)三角錐結(jié)構(gòu)中Si原子是1個(gè),O原子個(gè)數(shù)=2+2× =3,所以硅原子和氧原子個(gè)數(shù)之比=1:3,3個(gè)O原子帶6個(gè)單位負(fù)電荷,每個(gè)硅原子帶4個(gè)單位正電荷,所以形成離子為[SiO3]n2n﹣ (或SiO32﹣),故答案為:sp3;1:3;[SiO3]n2n﹣ (或SiO32﹣).
(1)原子中,離原子核越遠(yuǎn)的電子層其能量越高;該原子中含有3個(gè)s軌道、6個(gè)p軌道;(2)硅屬于親氧元素,在自然界中主要以二氧化硅和硅酸鹽存在;(3)非金屬元素之間易形成共價(jià)鍵;利用均攤法計(jì)算;(4)可使?jié)駶?rùn)的紅色石蕊試紙變藍(lán)的氣體是氨氣,再根據(jù)元素守恒知還生成氯化鎂MgCl2;(5)①鍵能越大形成的鍵越穩(wěn)定;②鍵能越大形成的化學(xué)鍵越穩(wěn)定,鍵能越小越不穩(wěn)定;(6)利用均攤法計(jì)算其原子個(gè)數(shù)比,從而確定其化學(xué)式.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)得主GerhardErtl曾深入研究了Pt金屬表面催化CO氧化反應(yīng)的模型,下列關(guān)于的說(shuō)法正確的是( )
A. 的中子數(shù)與質(zhì)子數(shù)之差是134 B. 的核外電子數(shù)是202
C. 和互稱為同位素 D. 和是同一種核素
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】下列有關(guān)化學(xué)反應(yīng)速率的說(shuō)法中,正確的是
A. 往容積一定的容器中再通入O2,可以加快反應(yīng)2SO2+O22SO3的反應(yīng)速率
B. 用鐵片和稀硫酸反應(yīng)制取氫氣時(shí),改用鐵片和濃硫酸可以加快產(chǎn)生氫氣的速率
C. 對(duì)于C(s)+H2O(g)CO(g)+H2(g)的反應(yīng),加入固體炭,反應(yīng)速率加快
D. 100 mL 2 mol·L-1的鹽酸與鋅反應(yīng)時(shí),加入適量的氯化鈉溶液,生成氫氣的速率不變
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】決定氣體體積的因素:①氣體分子的直徑、②氣體的物質(zhì)的量多少、③氣體分子間的平均距離、④氣體分子的相對(duì)分子質(zhì)量,則決定氣體體積的因素主要為( )
A. ①②B. ①③C. ②③D. ②④
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】以硝酸銀溶液為滴定液,測(cè)定能與Ag+反應(yīng)生成難溶性電解質(zhì)的一種容量分析方法叫銀量法。其原理如下:
①Ag++X-=AgX↓(X-表示Cl-、Br-、I-、CN-、SCN-等離子)——用于定量計(jì)算
②2Ag++CrO42-=Ag2CrO4↓(磚紅色)——用于指示滴定的終點(diǎn)
[已知: Ksp(AgCl)=2.0×10-10,Ksp(Ag2CrO4)=1.12×10-12]。
某氯堿廠為測(cè)定飽和食鹽水被電解后所得淡鹽水(見(jiàn)圖)里氯化鈉的濃度,采用以上銀量法,每次取20.00ml 淡鹽水進(jìn)行滴定,共進(jìn)行了三次。據(jù)此,回答下列問(wèn)題:
(1)配制100mL 0.4mol/L的硝酸銀溶液(標(biāo)準(zhǔn)液)時(shí),需要用托盤天平稱取____gAgNO3固體,制成的溶液需置于棕色試劑瓶中(備用),原因是_______________。
(2)為了使溶液中的Cl-恰好沉淀完全(溶液中殘余Cl-的濃度是1.0×10-5mol/L),溶液中(CrO42-)的濃度度應(yīng)為______mol/L,若CrO42-的濃度大于此數(shù)值,則測(cè)定結(jié)果會(huì)偏_____(填“高”或“低”)。滴定時(shí),若此時(shí)消耗AgNO3溶液25.00mL.( 三次實(shí)驗(yàn)的平均值),則淡鹽水中氯化鈉的濃度是______mol/L。
(3)根據(jù)相關(guān)離子的性質(zhì),滴定時(shí)溶液的pH值應(yīng)控制在6.5~10,pH值太大或太小對(duì)實(shí)驗(yàn)均有不良影響,pH值太大的不良影響是__________(用離子反應(yīng)方程式表示)。
(4)AgCl沉淀易吸附Cl-為減少AgC1沉淀對(duì)Cl-的吸附,從而減小實(shí)驗(yàn)的誤差,實(shí)驗(yàn)時(shí)應(yīng)采取的措施是____________________。
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】短周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大,X、Y、Z原子序數(shù)之和是W的2倍,X、Z在周期表中的相對(duì)位置如圖所示,X的最低負(fù)價(jià)絕對(duì)值與其原子最外層電子數(shù)相等。下列說(shuō)法不正確的是
A. 原子半徑:Y>Z>W B. 一定條件下,Y可置換出X
C. 氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性:Z>W D. 熔點(diǎn)YW2>XW4
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】在初始溫度為500℃、容積恒定為10L的三個(gè)密閉容器中,如圖充料發(fā)生反應(yīng):CO2(g)+3H2(g)CH3OH(g)+H2O(g)△H=-25kJ/mol。已知乙達(dá)到平衡時(shí)氣體的壓強(qiáng)為開(kāi)始時(shí)的0.55倍;乙、丙中初始反應(yīng)方向不同,平衡后對(duì)應(yīng)各組分的體積分?jǐn)?shù)相等。下列分析正確的是( )
A. 剛開(kāi)始反應(yīng)時(shí)速率:甲>乙 B. 平衡后反應(yīng)放熱:甲>乙
C. 500℃下該反應(yīng)平衡常數(shù):K=3×102 D. 若a≠0,則0.9<b<l
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】有關(guān)鍵能數(shù)據(jù)如表:
化學(xué)鍵 | Si﹣O | O=O | Si﹣Si |
鍵能/kJmol﹣1 | X | 498.8 | 176 |
晶體硅的燃燒熱為989.2kJmol﹣1 , 則X的值為( 。
A.423.3
B.460
C.832
D.920
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:
【題目】如圖所示是Zn和Cu形成的原電池,某實(shí)驗(yàn)興趣小組做完實(shí)驗(yàn)后,在讀書卡上的記錄如下,則卡片上的描述合理的是( )
①Cu為負(fù)極,Zn為正極
②Cu極上有氣泡產(chǎn)生,發(fā)生還原反應(yīng)
③SO42-向Cu極移動(dòng)
④若有0.5mol電子流經(jīng)導(dǎo)線,則可產(chǎn)生0.25mol氣體
⑤電子的流向是:Cu→Zn
⑥正極反應(yīng)式:2H++2e-=H2↑,發(fā)生氧化反應(yīng)
A. ①②③ B. ②④ C. ②③④ D. ③④⑤⑥
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