Question

2．X、Y、Z、W、R、Q為前30號元素，且原子序數(shù)依次增大．X是所有元素中原子半徑最小的，Y有三個能級，且每個能級上的電子數(shù)相等，Z原子的未成對電子數(shù)在同周期元素中最多，W形成的單質是空氣的主要成分之一，R與Y同一主族，Q的最外層只有一個電子，其他電子層電子均處于飽和狀態(tài)．請回答下列問題：
（1）Q⁺核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰；
（2）化合物YX₄中Y的雜化方式為sp³，ZW₃^-離子的立體構型是平面三角形．
（3）Y、R的最高價氧化物的沸點較高的是SiO₂（填化學式），原因是SiO₂為原子晶體，CO₂為分子晶體．
（4）Q元素可形成一種化合物[Q（NH₃）₄]SO₄，該物質中含化學鍵有配位鍵，極性共價鍵，離子鍵．
（5）Y有多種同素異形體，其中一種同素異形體的晶胞結構如圖，該晶體一個晶胞的Y原子數(shù)為8，Y原子的配位數(shù)為4，若晶胞的邊長為a pm，晶體的密度為ρg/cm³，則阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為$\frac{{96×{{10}^{30}}}}{{{a^3}•ρ}}$（用含a和ρ的代數(shù)式表示）

Answer 1

分析 X、Y、Z、W、R、Q為前30號元素，且原子序數(shù)依次增大．X是所有元素中原子半徑最小的，則X為H元素；Y有三個能級，且每個能級上的電子數(shù)相等，核外電子排布為1s²2s²2p²，故Y為C元素；R與Y同一主族，結合原子序數(shù)可知，R為Si，而Z原子單電子數(shù)在同周期元素中最多，則外圍電子排布為ns²np³，原子序數(shù)小于Si，故Z為N元素；W形成的單質是空氣的主要成分之一，則W為O元素；Q的最外層只有一個電子，其他電子層電子均處于飽和狀態(tài)，不可能為短周期元素，原子序數(shù)小于30，故核外電子排布為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s¹，則Q為Cu元素，以此解答該題．

解答 解：X、Y、Z、W、R、Q為前30號元素，且原子序數(shù)依次增大．X是所有元素中原子半徑最小的，則X為H元素；Y有三個能級，且每個能級上的電子數(shù)相等，核外電子排布為1s²2s²2p²，故Y為C元素；R與Y同一主族，結合原子序數(shù)可知，R為Si，而Z原子單電子數(shù)在同周期元素中最多，則外圍電子排布為ns²np³，原子序數(shù)小于Si，故Z為N元素；W形成的單質是空氣的主要成分之一，則W為O元素；Q的最外層只有一個電子，其他電子層電子均處于飽和狀態(tài)，不可能為短周期元素，原子序數(shù)小于30，故核外電子排布為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s¹，則Q為Cu元素，
（1）Cu⁺核外電子排布式為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰，故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰；
（2）化合物CH₄中C形成4個δ鍵，雜化方式為sp³，NO₃^-離子中N原子孤電子對數(shù)為$\frac{5+1-3×2}{2}$=0、價層電子對數(shù)為3，故其立體構型是平面三角形，
故答案為：sp³；平面三角形；
（3）Y、R的最高價氧化物分別為二氧化碳、二氧化硅，SiO₂為原子晶體，CO₂為分子晶體，故沸點較高的是 SiO₂，
故答案為：SiO₂； SiO₂為原子晶體，CO₂為分子晶體；
（4）Cu元素可形成一種化合物[Cu（NH₃）₄]SO₄，為離子化合物，含有配位鍵、離子鍵和極性共價鍵，故答案為：配位鍵，極性共價鍵，離子鍵；
（5）碳有多種同素異形體，其中一種同素異形體的晶胞結構如圖，該晶體一個晶胞的Y原子數(shù)為：4+8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=8；
每個Y與周圍的4個Y原子相鄰，故Y原子的配位數(shù)為4；
若晶胞的邊長為a pm，則晶胞體積為（a×10^-10）³cm³，晶體的密度為ρ g/cm³，則晶胞質量為（a×10^-10）³cm³×ρ g/cm³=ρa³×10^-30ρ g，則8×$\frac{12}{{N}_{A}}$g=ρa³×10^-30ρ g，故N_A=$\frac{{96×{{10}^{30}}}}{{{a^3}•ρ}}$，
故答案為：8；4；$\frac{{96×{{10}^{30}}}}{{{a^3}•ρ}}$．

點評 本題是對物質結構的考查，為高考常見題型，側重于學生的分析、計算能力的考查，涉及核外電子排布、雜化軌道、分子構型、晶體類型與性質、配合物、晶胞結構與計算等，需要學生具備扎實的基礎，難度中等．