下列有關碳和硅氧化物的說法中，正確的是

[　　]

A．二氧化硅的水溶液顯酸性，所以，二氧化硅是酸性氧化物

B．二氧化碳通入水玻璃可得到原硅酸，說明碳酸的酸性比硅酸強

C．高溫時二氧化硅與純堿反應放出二氧化碳，所以硅酸的酸性比碳酸強

D．二氧化硅是酸性氧化物，因此，它不能溶于任何酸

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相關習題

科目：高中化學 來源： 題型：閱讀理解

[化學-選修3：物質(zhì)結構與性質(zhì)]
硅是重要的半導體材料，構成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎．請回答下列問題：
（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為
M
M
，該能層具有的原子軌道數(shù)為
9
9
、電子數(shù)為
4
4
．
（2）硅主要以硅酸鹽、
二氧化硅
二氧化硅
等化合物的形式存在于地殼中．
（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結構類似的晶體，其中原子與原子之間以
共價鍵
共價鍵
相結合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻
3
3
個原子．
（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH4）分解反應來制備．工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應制得SiH4，該反應的化學方程式為
Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2
Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2
．
（5）碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關事實：
化學鍵 C-C C-H C-O Si-Si Si-H Si-O
鍵能/（kJ?mol-1） 356 413 336 226 318 452
①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多，原因是
C-C鍵和C-H鍵較強，所形成的烷烴穩(wěn)定．而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導致長鏈硅烷難以生成．
C-C鍵和C-H鍵較強，所形成的烷烴穩(wěn)定．而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導致長鏈硅烷難以生成．
．
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是
C-H鍵的鍵能大于C-O鍵，C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定．而Si-H鍵的鍵能卻遠小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵
C-H鍵的鍵能大于C-O鍵，C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定．而Si-H鍵的鍵能卻遠小于Si-O鍵，所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵
．
（6）在硅酸鹽中，SiO
 
4-
4
四面體（如下圖（a））通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結構型式．圖（b）為一種無限長單鏈結構的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為
sp3
sp3
，Si與O的原子數(shù)之比為
1：3
1：3
，化學式為
SiO32-
SiO32-
．

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科目：高中化學 來源： 題型：013

下列有關碳和硅氧化物的說法中，正確的是

[　　]

A．二氧化硅的水溶液顯酸性，所以，二氧化硅是酸性氧化物

B．二氧化碳通入水玻璃可得到原硅酸，說明碳酸的酸性比硅酸強

C．高溫時二氧化硅與純堿反應放出二氧化碳，所以硅酸的酸性比碳酸強

D．二氧化硅是酸性氧化物，因此，它不能溶于任何酸

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科目：高中化學 來源：2013年全國普通高等學校招生統(tǒng)一考試理科綜合能力測試化學（新課標Ⅰ卷帶解析） 題型：填空題

[化學—選修3：物質(zhì)結構與性質(zhì)]（15分）
硅是重要的半導體材料，構成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎。請回答下列問題：
（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為       ，該能層具有的原子軌道數(shù)為        、電子數(shù)為           。
（2）硅主要以硅酸鹽、           等化合物的形式存在于地殼中。
（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結構類似的晶體，其中原子與原子之間以           相結合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻          個原子。
（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH4）分解反應來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應制得SiH4，該反應的化學方程式為                                     。
（5）碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關事實：

化學鍵
C—C
C—H
C—O
Si—Si
Si—H
Si—O
鍵能/(kJ?mol-1
356
413
336
226
318
452
 
①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多，原因是      。
②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是                           。
（6）在硅酸鹽中，SiO4- 4四面體（如下圖（a））通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結構型式。圖（b）為一種無限長單鏈結構的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為      ，Si與O的原子數(shù)之比為         ，化學式為                  。

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科目：高中化學 來源：2013年全國普通高等學校招生統(tǒng)一考試理科綜合能力測試化學（新課標Ⅰ卷解析版） 題型：填空題

[化學—選修3：物質(zhì)結構與性質(zhì)]（15分）

硅是重要的半導體材料，構成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎。請回答下列問題：

（1）基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為       ，該能層具有的原子軌道數(shù)為        、電子數(shù)為           。

（2）硅主要以硅酸鹽、           等化合物的形式存在于地殼中。

（3）單質(zhì)硅存在與金剛石結構類似的晶體，其中原子與原子之間以           相結合，其晶胞中共有8個原子，其中在面心位置貢獻          個原子。

（4）單質(zhì)硅可通過甲硅烷（SiH4）分解反應來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應制得SiH4，該反應的化學方程式為                                     。

（5）碳和硅的有關化學鍵鍵能如下所示，簡要分析和解釋下列有關事實：

化學鍵

C—C

C—H

C—O

Si—Si

Si—H

Si—O

鍵能/(kJ?mol-1

356

413

336

226

318

452

 

①硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多，原因是      。

②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，更易生成氧化物，原因是                           。

（6）在硅酸鹽中，SiO4- 4四面體（如下圖（a））通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結構型式。圖（b）為一種無限長單鏈結構的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為      ，Si與O的原子數(shù)之比為         ，化學式為                  。

 

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