請回答下列問題:
(1)S單質(zhì)的常見形式為S
8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示,S原子采用的軌道雜化方式是
sp3
sp3
.
(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量.Mg與Al原子的第一電離能大到小的順序?yàn)?!--BA-->
Al>Mg
Al>Mg
;O與F電負(fù)性大到小的順序?yàn)?!--BA-->
F>O
F>O
.(用<或=或>表示)
(3)34號(hào)元素的價(jià)層電子的電子排布圖為
1s22s22p63s23p63d104s24p4
1s22s22p63s23p63d104s24p4
,在周期表位于
第四周期第ⅥA族
第四周期第ⅥA族
區(qū);Mn
2+基態(tài)的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d5
1s22s22p63s23p63d5
.
(4)氣態(tài)SO
2分子的立體構(gòu)型為
V形
V形
;SO
32-離子的立體構(gòu)型為
三角錐型
三角錐型
(均用文字描述)
(5)H
2SeO
3的K
1和K
2分別為2.7×10
-3和2.5×10
-8,H
2SeO
4第一步幾乎完全電離,K
2為1.2×10
-2,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋;
①H
2SeO
4和H
2SeO
3第一步電離程度大于第二部電離的原因:
酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負(fù)電荷,吸引H+,同時(shí)產(chǎn)生的H+抑制第二步電離
酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負(fù)電荷,吸引H+,同時(shí)產(chǎn)生的H+抑制第二步電離
;
②H
2SeO
4比H
2SeO
3酸性強(qiáng)的原因:
H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為(HO)2SeO2、(HO)2SeO,H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),后者Se原子吸電子能力強(qiáng),導(dǎo)致羥基上氫原子更容易電離H+
H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為(HO)2SeO2、(HO)2SeO,H2SeO3中Se為+4價(jià),而H2SeO4中Se為+6價(jià),后者Se原子吸電子能力強(qiáng),導(dǎo)致羥基上氫原子更容易電離H+
;
(6)向CuSO
4溶液中加入過量NaOH溶液可生成[Cu(OH)
4]
2-.不考慮空間構(gòu)型,[Cu(OH)
4]
2-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為
.
(7)Cu元素的一種氯化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,該氯化物的化學(xué)式是
CuCl
CuCl
.