Question

（13分）【化學—物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】

科技日報報道：輝鉬（MoS2)在納米電子設(shè)備制造領(lǐng)域比硅或富勒烯（如C60）更有優(yōu)勢。從不同角度觀察MoS2的晶體結(jié)構(gòu)見圖。已知：Mo位于第五周期VIB族。

（1）晶體硅中硅原子的軌道雜化類型為______。

（2）電負性：C______S（填“>”或“<”）。

（3）晶體硅和C60比較，熔點較高的是______。

（4）Mo元素基態(tài)原子的價電子排布式為____________。

（5）根據(jù)MoS2的晶體結(jié)構(gòu)回答：

①每個Mo原子周圍距離最近的S原子數(shù)目為______。

②Mo-S之間的化學鍵為______（填序號）。

A極性鍵 B非極性鍵 C配位鍵 D金屬鍵 E范德華力

③MoS2納米粒子具有優(yōu)異的潤滑性能，其原因是______。

 

Answer 1

31.（1）sp3（1分） （2）< （2分） （3）晶體硅（2分） （4）4d45s1（2分）

（5）①6（2分） ②AC（2分） ③MoS2具有層狀結(jié)構(gòu)，Mo與S同層間以共價鍵結(jié)合，層與層之間通過范德華力結(jié)合，外力作用層與層易發(fā)生相對滑動（2分）

【解析】

試題分析：（1）晶體硅中以正四面體結(jié)構(gòu)為單元，說明硅原子采取sp3雜化方式；（2）最高價氧化物對應(yīng)水化物酸性：H2CO3<H2SO4，則非金屬性：C<S，所以電負性：C<S；（3）晶體硅是原子晶體，C60是分子晶體，則熔點：晶體硅>C60；（4）Mo位于第五周期VIB族，由能量最低原理、洪特規(guī)則可知，基態(tài)Mo原子的價電子排布式為4d45s1；（5）①讀圖可知，每個Mo原子周圍距離最近的S由6個；②Mo-S之間的化學鍵為極性鍵和配位鍵，AC正確；③MoS2具有層狀結(jié)構(gòu)，Mo與S同層間以共價鍵結(jié)合，層與層之間通過范德華力結(jié)合，外力作用層與層易發(fā)生相對滑動。

考點：考查原子軌道雜化方式、電負性、熔點高低比較、價電子排布式、晶體結(jié)構(gòu)、化學鍵、物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)等知識。