單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?茖W(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為 : ①SiO2 + 2 C Si + 2 CO
②Si + 2Cl2 SiCl4 ③SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl,其中反應(yīng)①和③都屬于
A.分解反應(yīng) B.化合反應(yīng)
C.置換反應(yīng) D.復(fù)分解反應(yīng)
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源:2011-2012學(xué)年浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:填空題
(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?茖W(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為: ①SiO2 + 2C Si + 2CO ②Si + 2Cl2SiCl4
③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl;卮鹣铝袉栴}:
(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是 (填序號(hào))。
(2)反應(yīng)①和③屬于 。
A.化合反應(yīng) B.分解反應(yīng) C.置換反應(yīng) D.復(fù)分解反應(yīng)
(3)下列描述正確的是 。
A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B.判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降
C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng) D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)
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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆浙江省蒼南縣靈溪二高高一第一次月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?茖W(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為:
① SiO2 + 2C Si + 2CO ② Si + 2Cl2SiCl4 ③ SiCl4 + 2H2Si + 4HCl。
回答下列問題:
(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是 (填序號(hào))。
(2)反應(yīng)①和③屬于 。
A.化合反應(yīng) B.分解反應(yīng) C.置換反應(yīng) D.復(fù)分解反應(yīng)
(3)下列描述正確的是 。
A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B.判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降
C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)
D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)
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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆廣東汕頭市高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題
單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?茖W(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為 :
①SiO2 + 2C Si + 2CO②Si + 2Cl2SiCl4 ③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl,
其中反應(yīng)①和③屬于( )
A. 化合反應(yīng) B. 分解反應(yīng) C. 置換反應(yīng) D. 復(fù)分解反應(yīng)
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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆浙江省溫州市直六校協(xié)作體高一第一學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:填空題
(6分)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?茖W(xué)家預(yù)計(jì),到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管,其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多,這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅,其化學(xué)方程式為: ①SiO2 + 2C Si + 2CO ②Si + 2Cl2SiCl4
③SiCl4 + 2H2Si + 4HCl;卮鹣铝袉栴}:
(1)上述反應(yīng)中,屬于氧化還原反應(yīng)的是 (填序號(hào))。
(2)反應(yīng)①和③屬于 。
A.化合反應(yīng) B.分解反應(yīng) C.置換反應(yīng) D.復(fù)分解反應(yīng)
(3)下列描述正確的是 。
A.氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B.判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降
C.化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng) D.復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)
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