四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：
SiCl4 + 2H24HCl + Si, 下列說法不合理的是
[     ]
A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料　
B．增大壓強有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率　
C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得　
D．混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
4HCl+Si下列說法不合理的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiCl4（g）+2H2（g）
 高溫 
.
 
Si（s）+4HCl（g）．下列說法合理的是（　　）
A、光導(dǎo)纖維的主要成分是硅單質(zhì)
B、減小壓強有利于加快化學(xué)反應(yīng)速率
C、高溫下，氫氣的還原性強于硅
D、混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年黑龍江省牡丹江一中高二上學(xué)期期末化學(xué)試卷（帶解析） 題型：單選題

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：
SiCl4＋2H24HCl＋Si
下列說法不合理的是

A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料
B．增大壓強有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率
C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得
D．混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

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科目：高中化學(xué) 來源：2014屆黑龍江省高二上學(xué)期期末化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：

SiCl4＋2H24HCl＋Si

下列說法不合理的是

A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料

B．增大壓強有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率

C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得

D．混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年黑龍江省牡丹江一中高二（上）期末化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法，有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為：SiCl4+2H24HCl+Si下列說法不合理的是（ ）
A．反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料
B．增大壓強有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率
C．四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得
D．混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

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