下列關(guān)于電化學(xué)的實驗事實正確的是（　　）
出現(xiàn)環(huán)境 實驗事實
A 以稀H2SO4為電解質(zhì)的Cu-Zn原電池 Cu為正極，正極上發(fā)生還原反應(yīng)
B 電解CuCl2溶液 電子經(jīng)過負極→陰極
通過電解液
陽極→正極
C 弱酸性環(huán)境下鋼鐵腐蝕 負極處產(chǎn)生H2，正極處吸收O2
D 將鋼閘門與外加電源負極相連 犧牲陽極陰極保護法，可防止鋼閘門腐蝕
分析：A．原電池中，正極上得電子發(fā)生還原反應(yīng)；
B．電解時，電子不進入電解質(zhì)溶液；
C．弱酸性條件下鋼鐵發(fā)生吸氧腐蝕；
D．金屬的腐蝕與防護中如果有外接電源，此方法為外加電源的陰極保護法．
解答：解：A．該裝置構(gòu)成原電池，鋅作負極，銅作正極，正極上氫離子得電子生成氫氣，發(fā)生還原反應(yīng)，故A正確；
B．無論原電池還是電解池，電子都不進入電解質(zhì)溶液，電解質(zhì)溶液中陰陽離子的定向移動而構(gòu)成閉合回路，故B錯誤；
C．酸性條件下，鋼鐵發(fā)生析氫腐蝕，弱酸性條件下，鋼鐵發(fā)生吸氧腐蝕，所以弱酸性環(huán)境下鋼鐵腐蝕，負極處產(chǎn)生亞鐵離子，正極處吸收O2，故C錯誤；
D．將鋼閘門與外加電源負極相連，陰極上電解質(zhì)溶液中陽離子得電子發(fā)生還原反應(yīng)，此方法為外加電源的陰極保護法，可防止鋼閘門腐蝕，故D錯誤；
故選A．
點評：本題考查原電池原理和電解池原理，易錯選項是B，注意電子不能進入電解質(zhì)溶液，為易錯點．
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：閱讀理解

工業(yè)制硫酸時，利用催化氧化反應(yīng)將SO2轉(zhuǎn)化為SO3是一個關(guān)鍵的步驟．
（1）某溫度下，SO2（g）+
12
O2（g）?SO3（g）；△H=-98kJ?mol-1．開始時在100L的密閉容器中加入4.0mol SO2（g）和10.0molO2（g），當(dāng)反應(yīng)達到平衡時共放出熱量196kJ，該溫度下平衡常數(shù)K=
3.33
3.33
．
（2）一定條件下，向一帶活塞的密閉容器中充入2mol SO2和1mol O2，發(fā)生反應(yīng)：2SO2（g）+O2（g）?2SO3（g），達平衡后改變下述條件，SO2、O2、SO3氣體平衡濃度都比原來增大的是
AD
AD
（填字母）．
A．保持溫度和容器不變，充入2molSO3
B．保持溫度和容器體積不變，充入2molN2
C．保持溫度和容器內(nèi)壓強不變，充入1molSO3
D．移動活塞壓縮氣體
E．升高溫度
（3）下列關(guān)于2SO2（g）+O2（g）?2SO3（g）反應(yīng)的圖象中，不正確的是
C
C
．

（4）同學(xué)們學(xué)習(xí)了電化學(xué)知識后大家提出，可以用電解的方法來生產(chǎn)硫酸，可避免產(chǎn)生酸雨，污染環(huán)境．于是大家設(shè)計了一個以鉑為電極，兩極分別通入SO2和空氣，酸性電解液來實現(xiàn)電解生產(chǎn)硫酸．
①陽極的電極反應(yīng)為
SO2+2H2O-2e-=SO42-+4H+
SO2+2H2O-2e-=SO42-+4H+
．
②若電解液為2L 0.025mol?L-1的硫酸溶液，當(dāng)電解過程共轉(zhuǎn)移了0.1mol電子時，理論上消耗SO2的體積為（標(biāo)準(zhǔn)狀況）為
1.12L
1.12L
，此溶液的pH=
1
1
 （忽略溶液體積變化）．
③設(shè)計此實驗的想法得到了老師的充分肯定，但與工業(yè)上生產(chǎn)硫酸相比還是有很多不足，請對此實驗進行合理的評價
耗費大量的電能，不經(jīng)濟，產(chǎn)率低，不能大規(guī)模生成
耗費大量的電能，不經(jīng)濟，產(chǎn)率低，不能大規(guī)模生成
（寫出一點即可）．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

下列關(guān)于電化學(xué)的實驗事實正確的是（　�。�

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科目：高中化學(xué) 來源：2014屆浙江省杭州市七校高三上學(xué)期期中聯(lián)考化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO2粉塵等）。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na2SiO3等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好。

回答下列問題

（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學(xué)方程式加以解釋                           ；

（2）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式                                    ，對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH一反應(yīng)，生成SiO44一，然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4�；诖嗽矸治龇磻�(yīng)中氧化劑為                     。

（3）本�；瘜W(xué)興趣小組同學(xué)，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：

 

實驗事實

事實一

水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。

事實二

盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。

事實三

普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。

事實四

在野外環(huán)境里，用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH，點著后燜燒，可劇烈放出H2。

事實五

1g（0.036mo1）Si和20mL含有l(wèi)gNaOH（0.025mol）的溶液，小心加熱（稍微預(yù)熱），收集到約1700mL H2，很接近理論值（1600mL）。

 

結(jié)論：從實驗上說明堿性水溶液條件下，H2O可作                 劑；NaOH作               劑，降低反應(yīng)             。高溫?zé)o水環(huán)境下，NaOH作               劑。

（4）在太陽能電池表面沉積深藍色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷（SiH4）與氨氣（NH3）在等離子體中反應(yīng)。硅烷是一種無色、有毒氣體，常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)。下列關(guān)于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是                。

A．在使用硅烷時要注意隔離空氣和水，SiH4能與水發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成H2；

B．硅烷與氨氣反應(yīng)的化學(xué)方程式為：3SiH4+4NH3＝Si3N4+12H2↑，反應(yīng)中NH3作氧化劑；

C．它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能，化學(xué)穩(wěn)定性很好，不與任何酸、堿反應(yīng)；

D．氮化硅晶體中只存在共價鍵，Si3N4是優(yōu)良的新型無機非金屬材料。

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2012-2013學(xué)年山東省高三5月第一次模擬考試?yán)砭C化學(xué)試卷（解析版） 題型：計算題

工業(yè)制硫酸時，利用催化氧化反應(yīng)將是一個關(guān)鍵的步驟。

（1）某溫度下，。開始時在100L的密閉容器中加入4.0molSO2(g)和10.0molO2，當(dāng)反應(yīng)達到平衡時共放出熱量196kJ，該溫度下平衡常數(shù)K=____________。

（2）一定條件下，向一帶活塞的密閉容器中充入2molmol,發(fā)生反應(yīng):,達平衡后改變下述條件，氣體平衡濃度都比原來增大的是____________(填字母)。

A．保持溫度和容器體積不變，充入2mol

B．保持溫度和容器體積不變，充入2molN2

C．保持溫度和容器內(nèi)壓強不變，充入1mol

D．移動活塞壓縮氣體

E．升高溫度

（3）下列關(guān)于反應(yīng)的圖像中，不正確的是_________。

（4）同學(xué)們學(xué)習(xí)了電化學(xué)知識后大家提出，可以用電解的方法來生產(chǎn)硫酸，可避免產(chǎn)生酸雨，污染環(huán)境。于是大家設(shè)計了一個以鉑為電極，兩極分別通入SO2和空氣，酸性電解液來實現(xiàn)電解生產(chǎn)硫酸。

①陽極的電極反應(yīng)為______________________________。

②若電解液為2L0.025mol的硫酸溶液，當(dāng)電解過程共轉(zhuǎn)移了0.1mol電子時，理論上消耗SO2的體積為（標(biāo)準(zhǔn)狀況）為_________，此溶液的pH=__________ (忽略溶液體積變化)。

③設(shè)計此實驗的想法得到了老師的充分肯定，但與工業(yè)上生產(chǎn)硫酸相比還是有很多不足，請對此實驗進行合理的評價____________________________（寫出一點即可）。

 

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