四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法,有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為:

高溫

 
 


    SiCl4(g)+2H2(g) ====Si (s)+4HCl(g)。下列說法合理的是            (    )

         A.光導(dǎo)纖維的主要成分是硅單質(zhì)

         B.減小壓強(qiáng)有利于加快化學(xué)反應(yīng)速率

         C.高溫下,氫氣的還原性強(qiáng)于硅

         D.混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法,有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為:SiCl4+2H2
 高溫 
.
 
4HCl+Si下列說法不合理的是( 。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法,有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為:SiCl4(g)+2H2(g)
 高溫 
.
 
Si(s)+4HCl(g).下列說法合理的是( 。
A、光導(dǎo)纖維的主要成分是硅單質(zhì)
B、減小壓強(qiáng)有利于加快化學(xué)反應(yīng)速率
C、高溫下,氫氣的還原性強(qiáng)于硅
D、混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年黑龍江省牡丹江一中高二上學(xué)期期末化學(xué)試卷(帶解析) 題型:單選題

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法,有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為:
SiCl4+2H24HCl+Si
下列說法不合理的是

A.反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料
B.增大壓強(qiáng)有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率
C.四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得
D.混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

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科目:高中化學(xué) 來源:2014屆黑龍江省高二上學(xué)期期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法,有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為:

SiCl4+2H24HCl+Si

下列說法不合理的是

A.反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料

B.增大壓強(qiáng)有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率

C.四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得

D.混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

 

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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年黑龍江省牡丹江一中高二(上)期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

四氯化硅還原法是當(dāng)前制備較高純度硅的一種方法,有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式為:SiCl4+2H24HCl+Si下列說法不合理的是( )
A.反應(yīng)制得的硅可用于制造半導(dǎo)體材料
B.增大壓強(qiáng)有利于加快上述反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)速率
C.四氯化硅可以由粗硅與氯氣通過化合反應(yīng)制得
D.混入少量空氣對上述反應(yīng)無影響

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