根據(jù)已學(xué)知識(shí),請你回答下列問題:
(1)寫出原子序數(shù)最小的第Ⅷ族元素原子的原子結(jié)構(gòu)示意圖為: .
(2)寫出3p軌道上有2個(gè)未成對電子的元素的符號(hào): .
(3)某元素被科學(xué)家稱之為人體微量元素中的“防癌之王”,其原子的外圍電子排布是4s24p4,該元素的名稱是 .
(4)根據(jù)VSEPR模型,H3O+的分子立體結(jié)構(gòu)為: ,SO2的立體結(jié)構(gòu)為: .
(5)金屬鐵的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式,晶胞分別如圖1所示.則體心立方晶胞和面心立方晶胞中實(shí)際含有的Fe原子個(gè)數(shù)之比為 ;若兩種晶體中最鄰近的鐵原子間距離相同,則體心立方晶胞和面心立方晶胞的密度之比為 .
(6)膽礬中既含有配位鍵,又含有氫鍵,其結(jié)構(gòu)示意圖可簡單表示如圖2,其中配位鍵和氫鍵均采用虛線表示.
①寫出基態(tài)Cu原子的核外電子排布式: 1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1 ②寫出膽礬晶體中水合銅離子的結(jié)構(gòu)簡式(用配位鍵表示): .
(7)決定離子空間結(jié)構(gòu)的因素有 、 和離子鍵的純粹程度.
考點(diǎn):
晶胞的計(jì)算;原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì);配合物的成鍵情況.
專題:
化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu).
分析:
(1)第Ⅷ族元素有鐵、鈷、鎳,原子序數(shù)最小的是鐵,原子核外有26個(gè)電子,根據(jù)原子結(jié)構(gòu)示意圖的書寫規(guī)則書寫;
(2)3p軌道上有2個(gè)未成對電子時(shí)有兩種情況,一種是另一個(gè)3p軌道上沒有電子,一種是另一個(gè)3p軌道上充滿電子,寫出相應(yīng)的元素符號(hào);
(3)根據(jù)原子的外圍電子排布是4s24p4,確定該原子名稱;
(4)根據(jù)VSEPR模型,計(jì)算價(jià)層電子對數(shù),據(jù)此判斷分子空間構(gòu)型;
(5)利用均攤法計(jì)算晶胞中含有的原子個(gè)數(shù);晶胞的密度等于晶胞中鐵原子的質(zhì)量與體積的比.
(6)①銅是29號(hào)元素,其原子核外有29個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理書寫其基態(tài)原子核外電子排布式;
②CuSO4•5H2O中銅離子含有空軌道,水分子含有孤對電子對,銅離子與水分子之間形成配位鍵,銅離子配體數(shù)為4;
(7)根據(jù)離子晶體的晶體類型分析.
解答:
解:(1)第Ⅷ族元素有鐵、鈷、鎳,原子序數(shù)最小的是鐵,原子核外有26個(gè)電子,其原子結(jié)構(gòu)示意圖為,故答案為:;
(2)3p軌道上有2個(gè)未成對電子時(shí)有兩種情況,一種是另一個(gè)3p軌道上沒有電子,一種是另一個(gè)3p軌道上充滿電子,所以當(dāng)另一個(gè)3p軌道上沒有電子,該原子是Si;一種是另一個(gè)3p軌道上充滿電子,該原子是S,故答案為:Si或S;
(3)原子的外圍電子排布是4s24p4,說明該原子中各個(gè)軌道都充滿電子,該原子核外電子數(shù)是34,所以是硒元素,故答案為:硒;
(4)根據(jù)VSEPR模型得,H3O+的價(jià)層電子對=3+(6﹣1﹣3×1)=4,有1個(gè)孤電子對,所以是三角錐形;SO2的價(jià)層電子對=2+(6﹣2×2)=3,有1個(gè)孤電子對,所以是V形,
故答案為:三角錐形;V形;
(5)體心立方晶胞中鐵原子個(gè)數(shù)=1+8×=2;面心立方晶胞中實(shí)際含有的Fe原子個(gè)數(shù)=6×+8×=4,所以體心立方晶胞和面心立方晶胞中實(shí)際含有的Fe原子個(gè)數(shù)之比1:2;
設(shè)體心立方中晶胞的棱長為x,鐵原子的直徑為A,則3x2=(2A)2,解得x=;
鐵原子直徑=A,所以其晶胞體積=R3,面心立方中晶胞的對角線為2A,則其邊長=A,其晶胞體積=2A3.
體心立方的密度與面心立方的密度之比=:=3:8,故答案為:1:2; 3:8.
(6)①銅是29號(hào)元素,其原子核外有29個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理知,其基態(tài)原子核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1,
故答案為:1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1;
②CuSO4•5H2O中銅離子含有空軌道,水分子含有孤對電子對,銅離子與水分子之間形成配位鍵,銅離子配體數(shù)為4.水合銅離子的結(jié)構(gòu)簡式為,故答案為:;
(7)決定離子空間結(jié)構(gòu)的因素有有三個(gè)方面:幾何因素、電荷因素、離子鍵的純粹程度,故答案為:幾何因素;電荷因素.
點(diǎn)評:
本題考查了原子結(jié)構(gòu)示意圖的書寫、微粒的空間構(gòu)型的判斷、晶胞的密度、原子核外電子排布式的書寫、配位鍵的表示方法等知識(shí)點(diǎn),難點(diǎn)是計(jì)算晶胞的密度,能正確解答晶胞的體積是解本題的關(guān)鍵,知道體心立方和面心立方中哪三個(gè)原子緊密相連即可分析解答,難度較大.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
反應(yīng)C(s)+H2O(g)⇌CO(g)+H2(g)在一固定容積的密閉容器中進(jìn)行,下列條件的改變對其反應(yīng)速率有影響的是( )
| A. | 減少H2O的濃度 | B. | 加入催化劑 |
| C. | 增加C的用量 | D. | 升高溫度 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列說法正確的是( 。
| A. | 1molNa2O2晶體中陰離子與陽離子之比為1:1 |
| B. | 1molSi晶體中含4molSi﹣Si鍵 |
| C. | 60gSiO2中含Si﹣O鍵的個(gè)數(shù)為4NA |
| D. | 12 g金剛石中含有C﹣C鍵的個(gè)數(shù)為NA |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列各項(xiàng)所述的數(shù)字不是6的是( 。
| A. | 在NaCl晶體中,與一個(gè)Na+最近的且距離相等的Cl﹣的個(gè)數(shù) |
| B. | 在金剛石晶體中,最小的環(huán)上的碳原子個(gè)數(shù) |
| C. | 在二氧化硅晶體中,最小的環(huán)上的原子個(gè)數(shù) |
| D. | 在NaCl晶體中,與一個(gè)Cl﹣最近的且距離相等的Na+的個(gè)數(shù) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
如圖曲線a表示放熱反應(yīng) X(g)+Y(g)⇌Z(g)+M(g)+N(s)△H<0進(jìn)行過程中X的轉(zhuǎn)化率隨時(shí)間變化的關(guān)系.若要改變起始條件,使反應(yīng)過程按b曲線進(jìn)行,可采取的措施是( 。
| A. | 升高溫度 | B. | 加大X的投入量 |
| C. | 加催化劑 | D. | 增大體積 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
在氨水中存在下列電離平衡:NH3•H2O⇌NH4++OH﹣,下列情況能引起電離平衡向正向移動(dòng)的有( 。
①加NH4Cl固體 ②加NaOH溶液、奂親Cl、芗覥H3COOH溶液、菁铀、藜訅海
| A. | ①③⑤ | B. | ①④⑥ | C. | ③④⑤ | D. | ①②④ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
如圖所示,一定溫度下,冰醋酸加水稀釋過程中溶液的導(dǎo)電能力曲線圖,請回答.
(1)“O”點(diǎn)為什么不導(dǎo)電 .
(2)a、b、c三點(diǎn)的氫離子濃度由小到大的順序?yàn)?u> .
(3)a、b、c三點(diǎn)中,醋酸的電離程度最大的一點(diǎn)是 .
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
下列根據(jù)反應(yīng)原理設(shè)計(jì)的應(yīng)用,不正確的是 ( )。
A.CO+H2OHCO+OH- 用熱的純堿溶液清洗油污
B.Al3++3H2OAl(OH)3+3H+ 明礬凈水
C.TiCl4+(x+2)H2O(過量)TiO2·xH2O↓+4HCl制備TiO2納米粉
D.SnCl2+H2OSn(OH)Cl↓+HCl 配制氯化亞錫溶液時(shí)加入氫氧化鈉
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