【題目】在給定的條件下，下列選項所示的物質(zhì)間轉(zhuǎn)化均能實現(xiàn)的是（ ）
A.SiO2 SiCl4 Si
B.FeS2 SO2 H2SO4
C.N2 NH3 NH4Cl（aq）
D.MgCO3 MgCl2（aq） Mg

【答案】C
【解析】解：A．二氧化硅屬于酸性氧化物和鹽酸不反應，不能一步實現(xiàn)反應，故A錯誤；
B．二氧化硫和水反應生成亞硫酸，亞硫酸被氧化生成硫酸，二氧化硫和水不能一步轉(zhuǎn)化，故B錯誤；
C．氮氣和氫氣在催化劑、高溫高壓條件下反應生成氨氣，氨氣是堿性氣體和鹽酸反應生成氯化銨，兩步反應能一步實現(xiàn)，故C正確；
D．碳酸鎂溶于鹽酸生成氯化鎂溶液，氯化鎂溶液電解得到氫氧化鎂，氫氣和氯氣，不能直接得到金屬鎂，應是電解熔融狀態(tài)的氯化鎂得到金屬鎂，故D錯誤；
故選C．
A．二氧化硅為酸性氧化物和鹽酸不反應；
B．FeS2燃燒生成二氧化硫，二氧化硫和水反應生成亞硫酸；
C．氮氣和氫氣一定條件下反應生成氨氣，氨氣和鹽酸反應生成氯化銨；
D．碳酸鎂和鹽酸反應生成氯化鎂、二氧化碳和水，氯化鎂溶液電解不能生成金屬鎂．

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】如圖方框中的每一字母各代表一種物質(zhì)或溶液，它們在一定條件下發(fā)生反應的關(guān)系如圖1（圖中略去了一些物質(zhì)）．已知A、D是兩種常見的金屬，B是紅棕色金屬氧化物，C是一種熔點很高的金屬氧化物．
根據(jù)示意圖回答下列問題：
（1）寫出下列物質(zhì)的化學式：B ， K；
（2）寫出H→G的離子方程式；
（3）寫出N→M化學方程式；
（4）實驗室在配制H的溶液時，往往要加入少量的D，其作用是 ．
（5）檢驗G中的陽離子的常用方法和現(xiàn)象是 ．
（6）取圖1中一定量F溶液，向其中逐滴加入NaOH溶液直至過量．如圖2所示示意圖能表示實驗過程中沉淀的質(zhì)量隨NaOH溶液體積變化的是（填序號） ．

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】我們飲用的水是由源水凈化所得。已知，明礬能將水中的懸浮物凝聚而沉淀，氯氣可殺菌。家庭飲用水的凈化過程正確的是 (　　)。

A.源水→過濾→加氯氣→加明礬→沉淀→凈水

B.源水→加氯氣→過濾→加明礬→沉淀→凈水

C.源水→加明礬→加氯氣→過濾→沉淀→凈水

D.源水→加明礬→沉淀→過濾→加氯氣→凈水

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】20℃時，飽和KCl溶液的密度為1.174gcm﹣3 ， 物質(zhì)的量濃度為4.0molL﹣1 ， 則下列說法中不正確的是（ ）
A.20℃時，飽和KCl溶液與等質(zhì)量的水混合后物質(zhì)的量濃度大于2.0molL﹣1
B.20℃時，將29.8 gKCl溶于87.6g水中可得飽和溶液
C.20℃時，密度小于1.174gcm﹣3的KCl溶液是不飽和溶液
D.將此溶液蒸發(fā)部分水，再恢復到20℃時，溶液中各離子的濃度不變

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】把NaOH、MgCl2、AlCl3三種固體組成的混合物溶于足量水后，產(chǎn)生1.16g白色沉淀，再向所得濁液中逐漸加入1.00mol/LHCl溶液，加入HCl溶液的體積與生成沉淀的關(guān)系如圖所示．

（1）A點的沉淀物的化學式為 ．
（2）寫出A點至B點發(fā)生反應的離子方程式： ．
（3）原混合物中NaOH的質(zhì)量是g，C點（此時沉淀恰好完全溶解）HCl溶液的體積為mL．

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】某學生為了探究鋅與鹽酸反應過程中的速率變化，他在100mL稀鹽酸中加入足量的鋅粉，用排水集氣法收集反應放出的氫氣，實驗記錄如表（累計值）：

時間（min）

1

2

3

4

5

氫氣體積（mL）

50

120

232

290

310


（1）哪一時間段（指0～1、1～2、2～3、3～4、4～5min）反應速率最大 ， 原因是 ．
（2）哪一段時段的反應速率最小 ， 原因是
（3）求2～3分鐘時間段以鹽酸的濃度變化來表示的該反應速率 ．
（4）如果反應太激烈，為了減緩反應速率而又不減少產(chǎn)生氫氣的量，他在鹽酸中分別加入等體積的下列溶液：你認為可行的是（填編號）． A．蒸餾水 B．NaCl溶液 C．Na2CO3溶液 D．CuSO4溶液．

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】【化學-選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】砷化鎵（GaAs）是優(yōu)良的半導體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等．回答下列問題：
（1）寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式 ．
（2）根據(jù)元素周期律，原子半徑GaAs，第一電離能GaAs．（填“大于”或“小于”）
（3）AsCl3分子的立體構(gòu)型為 ， 其中As的雜化軌道類型為 ．
（4）GaF3的熔點高于1000℃，GaCl3的熔點為77.9℃，其原因是 ．
（5）GaAs的熔點為1238℃，密度為ρ gcm﹣3 ， 其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示．
該晶體的類型為 ， Ga與As以鍵鍵合．Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa gmol﹣1和MAs gmol﹣1 ， 原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏伽德羅常數(shù)值為NA ， 則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為 ．

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】給下列溶液中通入CO2氣體，不可能產(chǎn)生沉淀的是（ ）

A. 氯化鈣和硝酸鋇的混合液 B. 稀的水玻璃

C. 偏鋁酸鈉溶液 D. 碳酸鈉飽和溶液

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科目：高中化學 來源： 題型：

【題目】根據(jù)題意填空
（1）根據(jù)VSEPR模型判斷，下列微粒中所有原子都在同一平面上的一組是 ．
A.SO32﹣和NO2﹣
B.NO3﹣和SO3
C.H3O+和ClO3﹣
D.PO43﹣和SO32﹣
（2）CaF2的晶胞如圖所示．

①下列有關(guān)CaF2的表達正確的是
a．Ca2+與F﹣間僅存在靜電吸引作用
b．F﹣的離子半徑小于Cl﹣ ， 則CaF2的熔點高于CaCl2
c．陰、陽離子比為2：1的離子化合物，均與CaF2晶體構(gòu)型相同
d．CaF2中的化學鍵為離子鍵，因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導電
②CaF2難溶于水，但可溶于含Al3+的溶液中，原因是（用離子方程式表示，已知[AlF6]3﹣在溶液中可穩(wěn)定存在）．
③晶胞中F﹣的配位數(shù)是 ， 與一個Ca2+等距離且最近的Ca2+有個．
（3）銅、鋅兩種元素的第一電離能、第二電離能如表所示

電離能/kJmol﹣1

I1

I2

銅

746

1958

鋅

906

1733

④寫出Cu原子核外電子排布式；
⑤銅的第一電離能（I1）小于鋅的第一電離能，而銅的第二電離能（I2）卻大于鋅的第二電離能，其主要原因是 ．

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