硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:

①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式____________________________。

②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式_________________;H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2,可能引起的后果是_________________________。

(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是__________________(填字母)。

A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,其熔點(diǎn)很高

E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋_______________________________。

(1)①SiHCl3+H2Si+3HCl

②SiHCl3+3H2OH2SiO3+H2↑+3HCl  高溫下,H2遇O2發(fā)生爆炸

(2)ABCD

(3)生成白色絮狀沉淀,有刺激性氣味的氣體生成;發(fā)生雙水解反應(yīng),+2+2H2O2NH3·H2O+H2SiO3

解析:(2)SiC和Si3N4均為原子晶體,熔點(diǎn)高,性質(zhì)穩(wěn)定,A、B正確。光導(dǎo)纖維的材料為SiO2,C正確。普通玻璃的主要成分為Na2SiO3和CaSiO3,它是以石英砂(SiO2)、石灰石(CaCO3)和純堿(Na2CO3)為主要原料反應(yīng)制成的。Na2CO3+SiO2Na2SiO3+CO2↑;CaCO3+SiO2CaSiO3+CO2↑,D正確,常溫下,Si只能與唯一一種酸HF反應(yīng)不與HCl反應(yīng),E錯(cuò)。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣.
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅,工業(yè)上可以按如下步驟制備高純硅.
Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅;
Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450~500℃條件下反應(yīng)制得SiCl4
Ⅲ.SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H2在1 100~1 200℃條件下反應(yīng)制得高純硅.
已知SiCl4沸點(diǎn)為57.6℃,能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng).1mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2kJ.
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
①第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為
2H2(g)+SiCl4(g)
 1100-1200℃ 
.
 
Si(s)+4HCl(g)△H=+240.4kJ?mol-1
2H2(g)+SiCl4(g)
 1100-1200℃ 
.
 
Si(s)+4HCl(g)△H=+240.4kJ?mol-1

②整個(gè)制備純硅的過(guò)程中必須嚴(yán)格控制在無(wú)水無(wú)氧的條件下.SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧,其生成物是
H2SiO3(或H4SiO4)和HCl
H2SiO3(或H4SiO4)和HCl
;H2還原SiCl4過(guò)程中若混入O2,可能引起的后果是
爆炸
爆炸

(2)二氧化硅被大量用于生產(chǎn)玻璃.工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO2 44kg,生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3?CaSiO3?xSiO2表示,則其中x=
4
4

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(2008?廣東)硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣.請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅.三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下:

①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式
SiHCl3+H2
 1357K 
.
 
Si+3HCl
SiHCl3+H2
 1357K 
.
 
Si+3HCl

②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧.SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式
3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
3SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl
;H2還原SiHCl3過(guò)程中若混O2,可能引起的后果是
高溫下,H2遇O2發(fā)生爆炸
高溫下,H2遇O2發(fā)生爆炸

(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是
ABCD
ABCD
(填字母).
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水混
B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂的,其熔點(diǎn)很高
D.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃.取少量硅酸鈉溶液于試管中,逐滴加入飽和氯化銨溶液,振蕩.寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋
生成白色絮狀沉淀,又刺激性氣味的氣體生成,SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng),SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3
生成白色絮狀沉淀,又刺激性氣味的氣體生成,SiO32-與NH4+發(fā)生雙水解反應(yīng),SiO32-+2NH4++2H2O═2NH3?H2O+H2SiO3

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣.三氯硅烷(SiHCl3)還原法是目前工業(yè)制高純度硅的主要方法,生產(chǎn)過(guò)程如下圖:
精英家教網(wǎng)
根據(jù)題意完成下列備題:
(1)硅在元素周期表的位置
 
,其最外層有
 
種能量不同的電子.
(2)硅的氣態(tài)氫化物為SiH4,其空間構(gòu)型為
 
;三氯硅烷中某些元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性
 
 
(填化學(xué)式).
(3)寫出三氯硅烷與氫氣反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)方程式:
 

(4)自然界中硅酸鹽種類多,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,通常用二氧化硅和金屬氧化物的形式來(lái)表示其組成.如正長(zhǎng)石(KALSi3O8),氧化物形式為:
 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011屆福建省廈門外國(guó)語(yǔ)學(xué)校高三11月月考化學(xué)試卷 題型:填空題

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅,工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅:
Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450 ℃~500 ℃ 反應(yīng)制得SiCl4
Ⅲ.  SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過(guò)量H2在1100 ℃~1200 ℃ 反應(yīng)制得純硅
已知SiCl4沸點(diǎn)為57.6 ℃,能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng)。1 mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2 kJ。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
① 第Ⅰ步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                                       ,第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是                                                   。
②整個(gè)制備純硅過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧,其生成物是          ;H2還原SiCl4過(guò)程中若混O2,可能引起的后果是        。
(2)二氧化硅大量用于生產(chǎn)玻璃。工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應(yīng)時(shí)放出CO2 44 kg,生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示,則其中x         

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