工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料，其中部分原料可用于制備多晶硅．

(1)如圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖，電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是________；NaOH溶液的出口為_(kāi)_______(填字母)；精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_(kāi)_______(填字母)；干燥塔中應(yīng)使用的液體是________．

(2)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn)，其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注．

①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同)，方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng)，產(chǎn)物有兩種，化學(xué)方程式為_(kāi)_______．

②SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用．一定條件下，在20 L恒容密閉容器中的反應(yīng)：

3SiCl4(g)＋2H2(g)＋Si(g)4SiHCl3(g)

達(dá)平衡后，H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140 mol/L和0.020 mol/L，若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物，理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為_(kāi)_______kg．

(3)采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水，可制取氯酸鈉，同時(shí)生成氫氣，現(xiàn)制得氯酸鈉213.0 kg，則生成氫氣________m3(標(biāo)準(zhǔn)狀況)．

答案：
解析：

　　(1)①氯氣；a；d；濃硫酸(各1分)

　　(2)①SiCl4＋2H2＋O2SiO2＋4HCl�、�0.35(各2分)

　　(3)134.4(2分)


練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

下列有關(guān)實(shí)驗(yàn)原理或?qū)嶒?yàn)操作正確的是（　　）

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

下列有關(guān)說(shuō)法正確的是（　�。�
A、反應(yīng)CO2（g）+C（s）=2CO（g）在高溫下可自發(fā)進(jìn)行，則該反應(yīng)的△H＞0B、工業(yè)上電解飽和食鹽水時(shí)，以石墨作陰極，鐵棒作陽(yáng)極C、常溫下，0.1mol?L-1 CH3COOH溶液pH=1D、常溫下，在AgCl懸濁液中加入少量NaCl飽和溶液，c（Ag+）減小，Ksp（AgCl） 減小

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2012-2013學(xué)年江蘇省南通市海安縣高二上學(xué)期期末考試化學(xué)試卷（帶解析） 題型：單選題

下列有關(guān)實(shí)驗(yàn)原理或?qū)嶒?yàn)操作正確的是

A．利用右圖1裝置定量測(cè)定H2O2的分解速率
B．利用右圖2裝置模擬工業(yè)上電解飽和食鹽水
C．配制FeCl3溶液時(shí)加入少量鹽酸，以防止溶液渾濁
D．用HNO2溶液做導(dǎo)電性實(shí)驗(yàn)，燈光較暗，說(shuō)明HNO2是弱電解質(zhì)

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2013-2014學(xué)年福建省四地六校高三上學(xué)期第三次月考化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

下列敘述不正確的是(     )

A．鐵表面鍍鋅，鋅作陽(yáng)極

B．船底鑲嵌鋅塊，鋅作正極，以防船體被腐蝕

C．鋼鐵吸氧腐蝕的正極反應(yīng)：O2＋2H2O＋4e－=4OH－

D．工業(yè)上電解飽和食鹽水的

 

查看答案和解析>>

科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2014屆江蘇省鹽城市高三上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：選擇題

下列有關(guān)說(shuō)法正確的是

A．反應(yīng)CO2(g)+C(s)=2CO(g)在高溫下可自發(fā)進(jìn)行，則該反應(yīng)的△H ＞ 0

B．工業(yè)上電解飽和食鹽水時(shí)，以石墨作陰極，鐵棒作陽(yáng)極

C．常溫下，0.1mol·L－1 CH3COOH溶液pH=1

D．常溫下,在AgCl懸濁液中加入少量NaCl飽和溶液，c(Ag+)減小，Ksp(AgCl) 減小

 

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案