【題目】芯片是中美經(jīng)貿(mào)摩擦的焦點(diǎn)之一。制造芯片的高純硅可以用下述方法制取(反應(yīng)條件略),下列說法錯誤的是:

A. 反應(yīng)①、③均為置換反應(yīng)

B. SiCl4Si的化合價為+4

C. Si是金屬元素,因此制造芯片的高純硅具有導(dǎo)電性

D. 硅原子的核電荷數(shù)為14

【答案】C

【解析】

A、置換反應(yīng)是單質(zhì)和化合物反應(yīng)生成單質(zhì)和化合物,反應(yīng)①為二氧化硅和碳反應(yīng)生成硅和一氧化碳,反應(yīng)③為四氯化硅和氫氣反應(yīng)生成硅和氯化氫,均為置換反應(yīng),故A正確;

B、SiCl4中,氯元素的化合價為-1,根據(jù)正負(fù)化合價的代數(shù)和為零,所以Si的化合價為+4,故B正確;

C、Si是非金屬元素,不是金屬元素,故C錯誤;

D、硅的原子序數(shù)是14,硅原子的核電荷數(shù)為14,故D正確;

故選C。

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】(1)在25 ℃下,向濃度均為0.1 mol·L1MgCl2CuCl2混合溶液中逐滴加入氨水,先生成________沉淀(填化學(xué)式),生成該沉淀的離子方程式為___________。已知25 ℃Ksp[Mg(OH)2]1.8×1011,Ksp[Cu(OH)2]2.2×1020。

(2)向BaCl2溶液中加入AgNO3KBr,當(dāng)兩種沉淀共存時,________。[Ksp(AgBr)5.4×1013Ksp(AgCl)2.0×1010]

(3)已知Fe(OH)3的溶度積常數(shù)Ksp1.1×1036。室溫時在FeCl3溶液中滴加NaOH溶液,當(dāng)溶液pH3時,通過計算說明Fe3是否沉淀完全_______________________。(提示:當(dāng)某離子濃度小于105 mol·L1時可以認(rèn)為該離子沉淀完全)

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】能用表示的反應(yīng)是

A.醋酸與氨水B.稀硫酸與氫氧化鋇溶液

C.稀鹽酸與氫氧化銅D.稀硫酸與燒堿溶液

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】水合肼(N2H4·H2O)為無色透明的油狀發(fā)煙液體,是一種重要的精細(xì)化工原料,其制備的反應(yīng)原理為NaClO+2NH3===N2H4·H2O+NaCl。下列關(guān)于實(shí)驗(yàn)室制備水合肼的操作不正確的是(  )

A. 裝置甲中試劑X可以選擇生石灰 B. 裝置乙作為反應(yīng)過程的安全瓶

C. 裝置丙制備水合肼時氨氣從b口進(jìn)入 D. 裝置丁可用于吸收多余的尾氣

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】指出下列反應(yīng)中的氧化劑和還原劑,寫出發(fā)生氧化反應(yīng)和還原反應(yīng)的物質(zhì)中對應(yīng)元素的名稱:

12KMnO4K2MnO4+MnO2+O2,___________

22KNO3+3C+SK2S+3CO2↑+N2_________

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】硫酸反應(yīng)制取氫氣時,下列措施不能使氫氣生成速率加大的是( )

A. 對該反應(yīng)體系加熱

B. 不用稀硫酸,改用98%的濃硫酸

C. 滴加少量CuSO4溶液

D. 不用鐵片,改用鐵粉

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】某實(shí)驗(yàn)小組依據(jù)反應(yīng)AsO43-+2H++2I- AsO33-+I2+H2O設(shè)計左下圖原電池,探究pH對AsO43-氧化性的影響。測得電壓與pH的關(guān)系如右下圖,下列有關(guān)敘述錯誤的是

A. pH>0.68時,甲燒杯中石墨為負(fù)極

B. pH=0.68時,反應(yīng)處于平衡狀態(tài)

C. pH>0.68時,氧化性I2>AsO43-

D. pH=5時,負(fù)極電極反應(yīng)式為2I--2e-=I2

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】1L稀硝酸和稀硫酸的混合液,其物質(zhì)的量濃度分別為0.1mol/L0.4mol/L。若向該混合溶液中加入足量的銅粉,從離子反應(yīng)的角度分析,則最多能溶解銅粉的質(zhì)量為(

A. 9.6gB. 6.4 gC. 3.2 gD. 2.4 g

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

【題目】如圖所示,某化學(xué)興趣小組設(shè)計了一個燃料電池,并探究氯堿工業(yè)原理和粗銅精煉原理,其中乙裝置中X為陽離子交換膜。根據(jù)要求回答相關(guān)問題:

(1)通入氧氣的電極為_____(填“正極”或“負(fù)極”),通氫氣一極的電極反應(yīng)式為_________________;

(2)鐵電極為_______(填“陽極”或“陰極”),乙裝置中電解反應(yīng)的化學(xué)方程式為_________________。

(3)若在標(biāo)準(zhǔn)狀況下,有1.12 L氧氣參加反應(yīng),丙裝置中陰極增重的質(zhì)量為______g;

(4)某粗銅中含有鐵、金、銀和鉑等雜質(zhì),通過電解精制后,為從電解液中制得硫酸銅晶體(CuSO4·5H2O),設(shè)計了如下工藝流程:

已知:幾種金屬陽離子開始沉淀和沉淀完全的pH:

氫氧化物開始沉淀時的pH

氫氧化物沉淀完全時的pH

Fe3+

1.9

3.2

Fe2+

7.0

9.0

Cu2+

4.7

6.7

①步驟I中加入試劑A的目的是_____________________________,試劑A應(yīng)選擇______(填序號);

a.氯氣 b.過氧化氫 C.酸性高錳酸鉀溶液

選擇該試劑的原因_____________________________________________________

②步驟II中試劑B為_________,調(diào)節(jié)pH的范圍是___________

③步驟III的操作是加熱濃縮、_______、___________。

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