Question

【題目】[化學——選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]鍺（Ge）是典型的半導體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應用廣泛�；卮鹣铝袉栴}：

（1）基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]____________，有__________個未成對電子。

（2）Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是________________。

（3）比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點，分析其變化規(guī)律及原因_____________________。

	GeCl4	GeBr4	GeI4
熔點/℃	49.5	26	146
沸點/℃	83.1	186	約400

（4）光催化還原CO2制備CH4反應中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應的良好催化劑。Zn、Ge、O電負性由大至小的順序是______________。

（5）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為_______________________，微粒之間存在的作用力是_____________。

（6）晶胞有兩個基本要素：

①原子坐標參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置，下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標參數(shù)A為（0,0,0）；B為（，0， ）；C為（， ，0）。則D原子的坐標參數(shù)為______。

②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a="565.76" pm，其密度為__________g·cm-3（列出計算式即可）。

Answer 1

【答案】（1）3d104s24p2；2；

（2）Ge原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長，p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵；

（3）GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點依次增高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似，分子量依次增大，分子間相互作用力逐漸增強。

（4）O＞Ge＞Zn；

（5）sp3；共價鍵；

（6）①(， ， )；②。

【解析】試題分析：（1）Ge是32號元素，與碳元素是同一主族的元素，在元素周期表中位于第四周期IVA族；基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar] 4s24p2，也可寫為3d104s24p2；在其原子的最外層的2個4s電子是成對電子，位于4s軌道，2個4p電子分別位于2個不同的4p軌道上，所以基態(tài)Ge原子有2個未成對的電子；（2）Ge與C是同族元素，C原子原子半徑較小，原子之間可以形成雙鍵、三鍵；但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵，從原子結(jié)構(gòu)角度分析，這是由于鍺的原子半徑大，原子之間形成的ρ單鍵較長，p-p軌道肩并肩重疊的程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵；（3）鍺元素的鹵化物在固態(tài)時都為分子晶體，分子之間通過微弱的分子間作用力結(jié)合。對于組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì)來說，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，熔沸點越高。由于相對分子質(zhì)量：GeCl4＜GeBr4＜GeI4，所以它們的熔沸點由低到高的順序是：GeCl4＜GeBr4＜GeI4；（4）光催化還原CO2制備CH4反應中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應的良好催化劑。元素的非金屬性越強，其吸引電子的能力就越強，元素的電負性就越大。元素Zn、Ge、O的非金屬性強弱順序是：O＞Ge＞Zn，所以這三種元素的電負性由大至小的順序是O＞Ge＞Zn ；（5） Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為1個s軌道與3個p軌道進行的sp3雜化；由于是同一元素的原子通過共用電子對結(jié)合，所以微粒之間存在的作用力是非極性共價鍵(或?qū)憺楣矁r鍵)；（6） ①根據(jù)各個原子的相對位置可知，D在各個方向的1/4處，所以其坐標是(， ， )；根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知，在晶胞中含有的Ge原子數(shù)是8×1/8+6×1/2+4=8，所以晶胞的密度=cm3。