高純硅是當(dāng)今科技的核心材料.工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g)
高溫
Si(s)+4HCl(g).已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸.向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng).SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:
時(shí)間/min 0 2 4 t1 t2
n(SiCl4)/mol
溫度/℃
T1 5.0 4.5 4.2 n1 n1
T2 5.0 4.2 3.6 n2 n2
(1)T1時(shí),反應(yīng)開始的2min內(nèi),用HCl表示的反應(yīng)速率為
 

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=
 

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是
 

a.充入更多的SiCl4(g)    b.充入更多的H2(g)         c.及時(shí)分離出Si(s)
d.使用催化劑           e.將容器的體積擴(kuò)大一倍
(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1
 
  T2(填“>”或“<”,下同),理由是
 

已知n1>n2,△H
 
0.
(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率.該認(rèn)識(shí)
 
(填“合理”或“不合理”),理由是
 

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到
 
分析:(1)依據(jù)變化的物質(zhì)的量之比等于化學(xué)計(jì)量數(shù)之比,然后根據(jù)v=
△c
△t
=
△n
V
△t
計(jì)算速率;
(2)平衡常數(shù)為生成物的濃度冪之積除以反應(yīng)物的濃度冪之積,注意固體.
(3)根據(jù)濃度、溫度、壓強(qiáng)對(duì)化學(xué)平衡的影響來(lái)分析;
(4)根據(jù)溫度高化學(xué)反應(yīng)速率快來(lái)判斷;根據(jù)溫度對(duì)化學(xué)平衡的影響;
(5)根據(jù)SiCl4遇水完全水解;
(6)一般情況下溶解度大的沉淀較易轉(zhuǎn)化成溶解度小的沉淀;
解答:解:(1)T1時(shí),反應(yīng)開始的2min內(nèi),SiCl4的物質(zhì)的量減少0.5mol,變化的物質(zhì)的量之比等于化學(xué)計(jì)量數(shù)之比,所以生成氯化氫的物質(zhì)的量為2mol,用HCl表示的反應(yīng)速率為
2mol
1L
2S
=1.0 mol/(L?min);
故答案為:1.0 mol/(L?min);
(2)平衡常數(shù)為生成物的濃度冪之積除以反應(yīng)物的濃度冪之積,由于Si為固體,則平衡常數(shù)為
C4(HCl)
C(SiCl4)C2(H2)
,
故答案為:
C4(HCl)
C(SiCl4)C2(H2)
;
(3)a.充入更多的SiCl4(g),SiCl4(g)的濃度增大,平衡正向移動(dòng),氫氣的轉(zhuǎn)化率升高,但SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率降低,故a錯(cuò)誤;
b.充入更多的H2(g),H2(g)的濃度增大,平衡正向移動(dòng),SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率升高,但H2(g)的轉(zhuǎn)化率降低,故b正確;
c.及時(shí)分離出Si(s),由于硅是固體,濃度不變,平衡不移動(dòng),SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率不變,故c錯(cuò)誤;
d.使用催化劑,反應(yīng)速率加快,但平衡不移動(dòng),SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率不變,故c錯(cuò)誤;
e.將容器的體積擴(kuò)大一倍,即減小壓強(qiáng),平衡平衡正向移動(dòng),SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率升高,故e正確;
故答案為:be;
(4)由表格可知,T2時(shí)速率快,則T1<T2,
由表格可知,在t1、t2時(shí)刻反應(yīng)都到達(dá)平衡,n1>n2,說(shuō)明溫度越高,平衡正向移動(dòng),即△H>0,
故答案為:<;T2時(shí)反應(yīng)速率快;>;
(5)SiCl4遇水完全水解生成硅酸和鹽酸,所以不能采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率;
故答案為:不合理;SiCl4遇水完全水解生成硅酸和鹽酸;
(6)因氯化銀的溶解度大于硫化銀的溶解度,所以白色的氯化銀沉淀可以轉(zhuǎn)化為黑色的硫化銀沉淀;
故答案為:白色沉淀可以轉(zhuǎn)化為黑色沉淀;
點(diǎn)評(píng):本題主要考查了化學(xué)反應(yīng)速率的計(jì)算,化學(xué)平衡常數(shù)、外界條件對(duì)化學(xué)反應(yīng)速率、化學(xué)平衡的影響以及沉淀的轉(zhuǎn)化,難度不大,掌握反應(yīng)的原理是解題的關(guān)鍵.
練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:

(1)T1時(shí),反應(yīng)開始的2 min內(nèi),用HCl表示的反應(yīng)速率為              。

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=                           。

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是             。

a.充入更多的SiCl4(g)

b.充入更多的H2(g)

c.及時(shí)分離出Si(s)

d.使用催化劑

e.將容器的體積擴(kuò)大一倍

(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1         T2(填“>”或“<”,下同),理由是          。已知n1>n2,ΔH        0。

(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí)      (填“合理”或“不合理”),理由是                            。

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到                   。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:

(1)T1時(shí),反應(yīng)開始的2 min內(nèi),用HCl表示的反應(yīng)速率為              。

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=                           。

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是            

a.充入更多的SiCl4(g)

b.充入更多的H2(g)

c.及時(shí)分離出Si(s)

d.使用催化劑

e.將容器的體積擴(kuò)大一倍

(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1         T2(填“>”或“<”,下同),理由是          。已知n1>n2,ΔH        0。

(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí)      (填“合理”或“不合理”),理由是                            。

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到                   。

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2011-2012學(xué)年河南省鎮(zhèn)平一高高三下學(xué)期第二次周考理綜化學(xué)部分(解析版) 題型:填空題

(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:

(1)T1時(shí),反應(yīng)開始的2 min內(nèi), 用HCl表示的反應(yīng)速率為               。

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=                           。

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是             。

a.充入更多的SiCl4(g)

b.充入更多的H2(g)

c.及時(shí)分離出Si(s)

d.使用催化劑

e.將容器的體積擴(kuò)大一倍

(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1         T2(填“>”或“<”,下同),理由是           。已知n1>n2,ΔH        0。

(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí)      (填“合理”或“不合理”),理由是                             。

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到                   

 

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科目:高中化學(xué) 來(lái)源:2010-2011學(xué)年山西省太原市高三模擬(二)(理綜)化學(xué)部分 題型:填空題

(14分)高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上,用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4(g)+2H2(g) Si(s)+4HCl(g) 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4(g)和H2(g),分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示:

(1)T1時(shí),反應(yīng)開始的2 min內(nèi), 用HCl表示的反應(yīng)速率為               。

(2)該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為:K=                           。

(3)保持其他條件不變,下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是             。

a.充入更多的SiCl4(g)

b.充入更多的H2(g)

c.及時(shí)分離出Si(s)

d.使用催化劑

e.將容器的體積擴(kuò)大一倍

(4)據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析:T1         T2(填“>”或“<”,下同),理由是           。已知n1>n2,ΔH        0。

(5)有同學(xué)認(rèn)為,采用水淋法來(lái)吸收生成的HCl,可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識(shí)      (填“合理”或“不合理”),理由是                             。

(6)將平衡后的混合氣體溶于水,取少量上層清液,向其中滴加足 量的AgNO3溶液,反應(yīng)后過(guò)濾,取沉淀向其中加入Na2S溶液,可觀察到                    。

 

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