Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：

（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為                           。

（2）下列說法正確的是             （選填序號(hào)）。

A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素    B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體

C．電負(fù)性：As＞Ga                   D．第一電離能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是   （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為         。

Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca2+的配位數(shù)為              。

（2）已知Ca2+的半徑為a cm，O2-的半徑為b cm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，

該晶體的密度為          g/cm3。（用含a、b、NA的代數(shù)式表示）

 

【答案】

Ⅰ（1） 

（2）AC

（3）非極性分子    sp2

Ⅱ（1）  6

   （2） 

【解析】

 

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似．試回答：
（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為
1s22s22p63d104s24p1
1s22s22p63d104s24p1
．
（2）下列說法正確的是
AC
AC
（選填序號(hào)）．
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C．電負(fù)性：As＞Ga        D．第一電離能Ga＞As
（3）GaAs是由（CH3）3Ga和AsH3在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是
非極性分子
非極性分子
（填“極性分子”或“非極性分子”）．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2
．
（4）如圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子．

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：

（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為                          。

（2）下列說法正確的是            （選填序號(hào)）。

A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素    B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體

C．電負(fù)性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是   （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為         。

Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca2+的配位數(shù)為             。

（2）已知Ca2+的半徑為a cm，O2-的半徑為b cm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，

該晶體的密度為         g/cm3。（用含a、b、NA的代數(shù)式表示）

 

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科目：高中化學(xué) 來源：2011屆江蘇省鹽城中學(xué)高三第一次模擬考試化學(xué)試卷 題型：填空題

Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。試回答：
（1）Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為                          。
（2）下列說法正確的是            （選填序號(hào)）。
A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C．電負(fù)性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As
（3）GaAs是由(CH3)3Ga和AsH3在一定條件下制得，同時(shí)得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是  （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH3)3Ga中鎵原子的雜化方式為        。
Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca2+的配位數(shù)為             。
（2）已知Ca2+的半徑為a cm，O2-的半徑為b cm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，
該晶體的密度為         g/cm3。（用含a、b、NA的代數(shù)式表示）

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科目：高中化學(xué) 來源：同步題 題型：填空題

請(qǐng)完成下列各題：
(1)前四周期元素中，基態(tài)原子中未成對(duì)電子數(shù)與其所在周期數(shù)相同的元素有________種。
(2)第ⅢA、VA族元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。Ga原子的電子排布式為_________。在GaN晶體中，每個(gè)Ga原子與________個(gè)N原子相連，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為_________。在四大晶體類型中，GaN屬于_______晶體。
(3)在極性分子NCl3中，N原子的化合價(jià)為-3，Cl原子的化合價(jià)為+1，請(qǐng)推測(cè)NCl3水解的主要產(chǎn)物是_________（填化學(xué)式）。

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