15.鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛.回答下列問題:
(1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]3d104s24p2,有2個未成對電子.
(2)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵.從原子結構角度分析,原因是Ge原子半徑大,原子間形成的σ單鍵較長,p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊,難以形成π鍵.
(3)比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點,分析其變化規(guī)律及原因GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點依次增高.原因是分子結構相似,分子量依次增大,分子間相互作用力逐漸增強.
GeCl4GeBr4GeI4
熔點/℃-49.526146
沸點/℃83.1186約400
(4)光催化還原CO2制備CH4反應中,帶狀納米Zn2GeO4是該反應的良好催化劑.Zn、Ge、O電負性由大至小的順序是O>Ge>Zn.
(5)①Ge單晶具有金剛石型結構,其中Ge原子的雜化方式為sp3,微粒之間存在的作用力是共價鍵.
②已知Ge單晶的晶胞的邊長為565.76pm,其密度為$\frac{8×73}{6.02×1{0}^{23}×(565.76×1{0}^{-10})^{3}}$g•cm-3(列出計算式即可,阿伏加德羅常數(shù)用NA表示,Ge的相對原子質量為73).

分析 (1)Ge是32號元素,位于第四周期第IVA族,基態(tài)Ge原子核外電子排布式為[Ar]3d104s24p2;
(2)Ge原子半徑大,難以通過“肩并肩”方式形成π鍵;
(3)鍺的鹵化物都是分子晶體,相對分子質量越大,分子間作用力越強,熔沸點越高;
(4)元素的非金屬性越強,吸引電子的能力越強,元素的電負性越大;
(5)①Ge單晶具有金剛石型結構,Ge原子與周圍4個Ge原子形成正四面體結構,向空間延伸的立體網(wǎng)狀結構,屬于原子晶體;
②Ge單晶具有金剛石型結構,則晶胞中Ge原子數(shù)目為8,結合阿伏伽德羅常數(shù)表示出晶胞的質量,再根據(jù)ρ=$\frac{m}{V}$計算晶胞密度.

解答 解:(1)Ge是32號元素,位于第四周期第IVA族,基態(tài)Ge原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p2或[Ar]3d104s24p2,在最外層的4s能級上2個電子為成對電子,4p軌道中2個電子分別處以不同的軌道內,有2軌道未成對電子,
故答案為:3d104s24p2;2;
(2)雖然Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但考慮Ge的原子半徑大,難以通過“肩并肩”方式形成π鍵,所以Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵,
故答案為:Ge原子半徑大,原子間形成的σ單鍵較長,p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊,難以形成π鍵;
(3)鍺的鹵化物都是分子晶體,分子間通過分子間作用力結合,對于組成與結構相似的分子晶體,相對分子質量越大,分子間作用力越強,熔沸點越高,由于相對分子質量:GeCl4<GeBr4<GeI4,故沸點:GeCl4<GeBr4<GeI4,
故答案為:GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點依次增高.原因是分子結構相似,分子量依次增大,分子間相互作用力逐漸增強;
(4)元素非金屬性:Zn<Ge<O,元素的非金屬性越強,吸引電子的能力越強,元素的電負性越大,故電負性:O>Ge>Zn,
故答案為:O>Ge>Zn;
(5)①Ge單晶具有金剛石型結構,Ge原子與周圍4個Ge原子形成正四面體結構,向空間延伸的立體網(wǎng)狀結構,屬于原子晶體,Ge原子之間形成共價鍵,Ge原子雜化軌道數(shù)目為4,采取sp3雜化,
故答案為:sp3;共價鍵;
②晶胞中Ge原子數(shù)目為8,結合阿伏伽德羅常數(shù),晶胞參數(shù)a=565.76pm,可知出晶胞的密度為:$\frac{m}{V}$=$\frac{8×73g/mol}{6.02×1{0}^{23}mo{l}^{-1}}$÷(565.76×10-10cm)3=$\frac{8×73}{6.02×1{0}^{23}×(565.76×1{0}^{-10})^{3}}$g•cm-3,
故答案為:$\frac{8×73}{6.02×1{0}^{23}×(565.76×1{0}^{-10})^{3}}$.

點評 本題是對物質結構與性質的考查,涉及核外電子排布、化學鍵、晶體類型與性質、電負性、雜化方式、晶胞計算等,(5)中晶胞計算為易錯點、難點,難度較大.

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(2)F的電子式為
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