下列有關晶體的敘述中,錯誤的是( 。
A、在SiO2晶體中,每個Si原子與4個O原子形成共價鍵B、在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個金屬原子周圍緊鄰的有4個金屬原子C、NaCl晶體中與每個Na+距離相等且最近的Cl-有6個D、CsCl晶體中與每個Cs+距離相等且最近的Cl-有8個
分析:A.二氧化硅晶體中,每個硅原子和4個氧原子形成共價鍵,每個氧原子和2個硅原子形成共價鍵;
B.在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個金屬原子的配位數(shù)是12;
C.氯化鈉晶體中陰陽離子的配位數(shù)是6;
D.氯化銫晶體中陰陽離子的配位數(shù)是8.
解答:解:A.二氧化硅晶體中,每個硅原子和4個氧原子形成共價鍵,每個氧原子和2個硅原子形成共價鍵,Si原子的價層電子對數(shù)為4,屬于sp3雜化,故A正確;
B.面心立方密堆積的金屬晶體的配位數(shù)=3×8×
1
2
=12,即金屬晶體中,每個金屬原子周圍緊鄰的有12個金屬原子,故B錯誤;
C.由氯化鈉晶體的晶胞可知,氯化鈉晶體中每個Na+或Cl-周圍緊鄰的有6個Cl-或Na+,故C正確;
D.由氯化銫體的晶胞可知,CsCl晶體中每個Cs+周圍緊鄰的有8個Cl-,而和每個Cl-等距離緊鄰的也有8個Cs+,故D正確;
故選B.
點評:本題考查了晶胞結構、金屬晶體的堆積方式、二氧化硅的結構等知識點,熟練掌握教材中這幾種晶體結構例子,明確其空間結構類型,會進行計算配位數(shù)、原子雜化方式等,題目難度不大.
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科目:高中化學 來源: 題型:

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(1)下列有關晶體的敘述中錯誤的是
 

A.石英晶體中的硅原子以sp2雜化方式與周圍的氧原子形成共價鍵
B.氯化鈉晶體中每個Na+或Cl-周圍緊鄰的有6個Cl-或Na+
C.在CsCl晶體中每個Cs+周圍緊鄰的有8個Cl-,而和每個Cl-等距離緊鄰的也有8個Cs+
D.在面心立方密堆積的金屬晶體中,每個金屬原子周圍緊鄰的有4個金屬原子
(2)已知MgO的晶體結構屬于NaCl型.某同學畫出的MgO晶胞結構示意圖如圖1所示,請改正圖精英家教網(wǎng)
中錯誤:
 
.(用文字表述)
(3)第三周期部分元素氟化物的熔點見下表:
氟化物 NaF MgF2 SiF4
熔點/K 1266 1534 183
解釋表中氟化物熔點差異的原因:
 

(4)人工模擬是當前研究的熱點.有研究表明,化合物X可用于研究模擬酶,當其結合精英家教網(wǎng)或Cu(I)(I表示化合價為+1)時,分別形成a和b:
分析a和b中微粒間的相互作用(包括化學鍵和分子間相互作用)的差異,試指出
其不同點:a中含
 
,b中含
 
.(用“氫鍵”、“配位鍵”、“極性鍵”、“非極性鍵”等填空)

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