Al和Si、Ge(鍺)和As(砷)在元素周期表金屬和非金屬過渡位置上，且砷(As)與氮同主族，其單質(zhì)和化合物在 建筑業(yè)、電子工業(yè)和石油化工等方面應(yīng)用廣泛。請回答下列問題：
(1)As的價電子排布式為______________。
(2)AlCl3是化工生產(chǎn)中的常用催化劑，熔點為192.6℃，熔融狀態(tài)以二聚體Al2Cl6形式存在，其中鋁原子與氯原子的成鍵類型是________。
(3)Si和C同主族，Si、C和O成鍵情況如下
在C和O之間可以形成雙鍵形成CO2分子，而Si和O則不能和碳那樣形成有限分子的原因是___________。
(1)4s24p3
(2)共價鍵（或σ鍵）
(3)Si-O大于C-O的鍵能，C=O的鍵能大于Si=O的鍵能，所以Si和O成單鍵，而C和O以雙鍵形成穩(wěn)定分子，這個事實與Si比C的半徑大也很有關(guān)系
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相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：

（2013?浙江）《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》模塊
請回答下列問題：
（1）N、Al、Si、Zn四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下：
電離能           I1       I2         I3         I4       …
In/kJ．mol-1     578      1817      2745      11578    …
則該元素是
Al
Al
（填寫元素符號）．
（2）基態(tài)鍺（Ge）原子的電子排布式是
1s22s22p63s23p63d104s24p2
1s22s22p63s23p63d104s24p2
．Ge的最高價氯化物分子式是
GeCl4
GeCl4
．該元素可能的性質(zhì)或應(yīng)用有
CD
CD
．
A．是一種活潑的金屬元素  B．其電負(fù)性大于硫  C．其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料  D．其最高價氯化物的沸點低于其溴化物的沸點
（3）關(guān)于化合物，下列敘述正確的有
BD
BD
．
A．分子間可形成氫鍵 B．分子中既有極性鍵又有非極性鍵 C．分子中有7個σ鍵和1個π鍵 D．該分子在水中的溶解度大于2-丁烯
（4）NaF的熔點
＞
＞
的熔點（填＞、=或＜），其原因是
兩者均為離子化合物，且電荷數(shù)均為1，但后者離子半徑大，離子鍵較弱，因此熔點較低
兩者均為離子化合物，且電荷數(shù)均為1，但后者離子半徑大，離子鍵較弱，因此熔點較低
．

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科目：高中化學(xué) 來源：期末題 題型：填空題

Al和Si、Ge(鍺)和As(砷)在元素周期表金屬和非金屬過渡位置上，且砷(As)與氮同主族，其單質(zhì)和化合物在建筑業(yè)、電子工業(yè)和石油化工等方面應(yīng)用廣泛。請回答下列問題：
(1)As的價電子排布式為____________。
(2)AlCl3是化工生產(chǎn)中的常用催化劑，熔點為192.6℃，熔融狀態(tài)以二聚體Al2Cl6形式存在，Al2Cl6中化學(xué)鍵類型是____________。
(3)超高導(dǎo)熱絕緣耐高溫納米氮化鋁(AlN)在絕緣材料中的應(yīng)用廣泛，AlN晶體與金剛石類似，每個Al原子與____個N原子相連，與同一個Al原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為_________。在四大晶體類型中，
AlN屬于____晶體。
(4)Si和C同主族，Si、C和O成鍵情況如下
在SiO2中，硅原子軌道雜化形式為________，1mol CO2中含有π鍵數(shù)目為______________。二氧化碳的熔沸點遠低于二氧化硅的原因是____________。
(5)SiCl4（液）常用作煙霧劑，原因Si存在3d軌道，能同H2O(液)配位而劇烈水解，在潮濕的空氣中發(fā)煙，試用化學(xué)方程式表示其原理_____________________。

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科目：高中化學(xué) 來源：期末題 題型：填空題

Al和Si、Ge(鍺)和As(砷)在元素周期表金屬和非金屬過渡位置上，且砷(As)與氮同主族，其單質(zhì)和化合物在建筑業(yè)、電子工業(yè)和石油化工等方面應(yīng)用廣泛。請回答下列問題：
(1)As的價電子排布式為____。
(2)AlCl3是化工生產(chǎn)中的常用催化劑，熔點為192.6℃，熔融狀態(tài)以二聚體Al2Cl6形式存在，Al2Cl6中化學(xué)鍵類型是____。
(3)超高導(dǎo)熱絕緣耐高溫納米氮化鋁(A1N)在絕緣材料中的應(yīng)用廣泛，A1N晶體與金剛石類似，每個Al 原子與____個N原子相連，與同一個Al原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為____。在四大晶體類型中，A1N屬于____晶體。
(4)Si和C同主族，Si、C和O成鍵情況如下：
在SiO2中，硅原子軌道雜化形式為____，1mol CO2中含有π鍵數(shù)目為____。二氧化碳的熔沸點遠低于二氧化硅的原因是____。
(5) SiCl4（液）常用作煙霧劑，原因是Si存在3d軌道，能同H2O(液)配位而劇烈水解，在潮濕的空氣中發(fā) 煙，試用化學(xué)方程式表示其原理_________。

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科目：高中化學(xué) 來源：2013年浙江省高考化學(xué)試卷（解析版） 題型：解答題

《物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》模塊
請回答下列問題：
（1）N、Al、Si、Zn四種元素中，有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下：
電離能           I1       I2         I3         I4       …
In/kJ．mol-1     578      1817      2745      11578    …
則該元素是______（填寫元素符號）．
（2）基態(tài)鍺（Ge）原子的電子排布式是______．Ge的最高價氯化物分子式是______．該元素可能的性質(zhì)或應(yīng)用有______．
A．是一種活潑的金屬元素  B．其電負(fù)性大于硫  C．其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料  D．其最高價氯化物的沸點低于其溴化物的沸點
（3）關(guān)于化合物，下列敘述正確的有______．
A．分子間可形成氫鍵 B．分子中既有極性鍵又有非極性鍵 C．分子中有7個σ鍵和1個π鍵 D．該分子在水中的溶解度大于2-丁烯
（4）NaF的熔點______的熔點（填＞、=或＜），其原因是______．

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