Se是半導體材料,也是補硒保健品中的元素,工業(yè)上提取硒的方法之一是用H2SO4和NaNO3處理含Se的工業(yè)廢料而得到亞硒酸(H2SeO3)和少量硒酸(H2SeO4).硒酸與鹽酸共熱可生成亞硒酸,反應為H2SeO4+2HCl=H2SeO3+Cl2↑+H2O,當SO2通入亞硒酸溶液中有單質硒析出.據(jù)此,下列說法中正確的是

[  ]

A.H2SeO4氧化性強于Cl2

B.H2SeO3氧化性強于稀H2SO4

C.SeO2的還原性強于SO2

D.析出1mol Se需H2SeO3,SO2,H2O各1mol

答案:A
解析:

導解:根據(jù)題目的條件,結合氧化還原反應的有關知識,可知本題答案為A項

導解:根據(jù)題目的條件,結合氧化還原反應的有關知識,可知本題答案為A項.


練習冊系列答案
相關習題

科目:高中化學 來源: 題型:

Ga和As在一定條件下可以合成GaAs,GaAs是一種新型化合物半導體材料,其性能比硅更優(yōu)越.多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機鹽,其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等.
(1)Ga在元素周期表的位置是
第四周期第IIIA族
第四周期第IIIA族
,As的原子結構示意圖

(2)Ga的原子核外電子排布式為:
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1

(3)GaCl3和AsF3的空間構型分別是:GaCl3
平面三角形
平面三角形
,AsF3
三角錐形
三角錐形

(4)第IV A族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料SiC,其結構跟金剛石相似,則SiC屬于
原子
原子
晶體,并寫出其主要的物理性質
硬度大、熔點高
硬度大、熔點高
  (任2種).
(5)第一電離能:As
Se(填“>”、“<”或“=”).
(6)硫化鋅的晶胞中(結構如圖所示),硫離子的配位數(shù)是
4
4

(7)二氧化硒分子的空間構型為
V形
V形
,寫出它的1個等電子體的分子式
O3(或SO2
O3(或SO2

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科目:高中化學 來源: 題型:單選題

Se是半導體材料,也是補硒保健品中的元素,工業(yè)上提取硒的方法之一是用H2SO4和NaNO3處理含Se的工業(yè)廢料而得到亞硒酸(H2SeO3)和少量硒酸(H2SeO4)Se是半導體材料,也是補硒保健品中的元素,工業(yè)上提取硒的方法之一是用H2SO4和NaNO3處理含Se的工業(yè)廢料而得到亞硒酸(H2SeO3)和少量硒酸(H2SeO4).硒酸與鹽酸共熱可生成亞硒酸,反應為H2SeO4+2HCl=H2SeO3+Cl2↑+H2O,當SO2通入亞硒酸溶液中有單質硒析出.據(jù)此,下列說法中正確的是


  1. A.
    H2SeO4氧化性強于Cl2
  2. B.
    H2SeO3氧化性強于稀H2SO4
  3. C.
    SeO2的還原性強于SO2
  4. D.
    析出1mol Se需H2SeO3,SO2,H2O各1mol

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

Ga和As在一定條件下可以合成GaAs,GaAs是一種新型化合物半導體材料,其性能比硅更優(yōu)越.多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機鹽,其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等.
(1)Ga在元素周期表的位置是______,As的原子結構示意圖______.
(2)Ga的原子核外電子排布式為:______.
(3)GaCl3和AsF3的空間構型分別是:GaCl3______,AsF3______.
(4)第IV A族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料SiC,其結構跟金剛石相似,則SiC屬于______晶體,并寫出其主要的物理性質______  (任2種).
(5)第一電離能:As______Se(填“>”、“<”或“=”).
(6)硫化鋅的晶胞中(結構如圖所示),硫離子的配位數(shù)是______.
(7)二氧化硒分子的空間構型為______,寫出它的1個等電子體的分子式______.
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