分析 硫酸鈉溶液通入離子隔膜電解池中,ClO2和雙氧水在II中發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成NaClO2和氣體a,該反應(yīng)中Cl元素化合價由+4價變?yōu)?3價,則O元素化合價由-1價變?yōu)?價,所以生成的氣體a是O2,離子反應(yīng)方程式為2 ClO2+H2O2+2OH-=2 ClO2-+O2↑+2H2O;
III中發(fā)生電解,根據(jù)圖知,生成氫氧化鈉,陰極上生成氫氣同時陰極附近生成NaOH,所以生成的氣體b是H2;陽極上氫氧根離子放電生成氧氣,所以a是O2,同時生成硫酸,所以A溶液是硫酸;酸性條件下,I中NaClO2、Na2SO3發(fā)生氧化還原反應(yīng),離子反應(yīng)方程式為2ClO3-+2H++SO32-=2ClO2↑+SO42-+H2O;
(1)同一化學(xué)反應(yīng)中,失電子化合價降低的反應(yīng)物是還原劑;
(2)堿性條件下,ClO2、H2O2發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成氧氣、ClO2-和水;
(3)通過以上分析知,Ⅲ中電解水,由離子隔膜分離出A是硫酸,硫酸在陽極附近生成,陰極上生成氫氣;
(4)5NaClO2+4HCl=5NaCl+4ClO2↑+2H2O中,5molNaClO2中1mol作氧化劑、4mol作還原劑;該反應(yīng)中酸性、濃度影響離子的性質(zhì).
解答 解:(1)I中反應(yīng)方程式為2ClO3-+2H++SO32-=2ClO2↑+SO42-+H2O,S元素的化合價升高,還原劑是Na2SO3,故答案為:Na2SO3;
(2)Ⅱ中為堿性條件下,ClO2、H2O2發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成氧氣、ClO2-和水,離子方程式為2ClO2+H2O2+2OH-=2ClO2-+O2↑+2H2O,
故答案為:2ClO2+H2O2+2OH-=2ClO2-+O2↑+2H2O;
(3)通過以上分析知,電解硫酸鈉溶液,陽極上氫氧根離子放電生成氧氣,同時生成硫酸,所以A是H2SO4,Ⅲ中陰極上生成氫氣同時陰極附近生成NaOH,所以生成的氣體b是H2,裝置Ⅲ中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是2H2O$\frac{\underline{\;電解\;}}{\;}$2H2↑+O2↑,
故答案為:H2SO4;H2;2H2O$\frac{\underline{\;電解\;}}{\;}$2H2↑+O2↑;
(4)①5NaClO2+4HCl=5NaCl+4ClO2↑+2H2O中,5molNaClO2中1mol作氧化劑、4mol作還原劑,該反應(yīng)中氧化劑和還原劑的物質(zhì)的量之比是1:4,故答案為:1:4;
②研究表明:若反應(yīng)開始時鹽酸濃度越大,則氣體產(chǎn)物中Cl2的含量越大,運(yùn)用氧化還原反應(yīng)規(guī)律分析其原因是ClO2-的氧化性(或Cl-的還原性)隨溶液的酸性和濃度的增大而增強(qiáng),因此Cl-被氧化得到Cl2,
故答案為:ClO2-的氧化性(或Cl-的還原性)隨溶液的酸性和濃度的增大而增強(qiáng).
點(diǎn)評 本題考查物質(zhì)的制備實(shí)驗(yàn)方案,為高頻考點(diǎn),明確I、II、III中發(fā)生的反應(yīng)及物質(zhì)的性質(zhì)是解本題關(guān)鍵,注意常見物質(zhì)的性質(zhì)及離子方程式的書寫,側(cè)重分析與實(shí)驗(yàn)?zāi)芰Φ目疾,綜合性較強(qiáng),題目難度中等.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 對于同一個化學(xué)反應(yīng),一步完成和分幾步完成,其反應(yīng)的焓變不相同 | |
B. | 如果某化學(xué)反應(yīng)的△H和△S均小于0,則反應(yīng)一定能自發(fā)進(jìn)行 | |
C. | 化學(xué)反應(yīng)過程中,斷鍵吸熱,成鍵放熱 | |
D. | 反應(yīng)物的總焓大于反應(yīng)產(chǎn)物的總焓時,△H>0 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | Mg2+、Cl-、Al3+、SO42- | B. | Ba2+、Na+、SO42-、MnO4- | ||
C. | K+、Cl-、HCO3-、CH3COO- | D. | Cu2+、NH4+、NO3-、K+ |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 同族元素的氧化物不可能形成不同類型的晶體 | |
B. | SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1:2 | |
C. | 滿足難溶于水,熔點(diǎn)高,固體不導(dǎo)電,熔化時導(dǎo)電的晶體為離子晶體 | |
D. | 同分異構(gòu)體中,燃燒熱數(shù)值越大,該物質(zhì)越穩(wěn)定 |
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