下列分子中σ鍵是由兩個原子的s軌道以“頭碰頭”方式重疊構(gòu)建而成的是(  )
A.H2B.CCl4C.Cl2D.F2
A
考查原子核外電子的排布規(guī)律和共價鍵的形成。氫原子的核外電子全部在s軌道上,使用氫氣是以氫原子的s軌道以“頭碰頭”方式重疊構(gòu)建而成的,A正確;選項(xiàng)B、C、D都是p軌道形成的,答案選A。
本題關(guān)鍵是掌握原子核外電子的排布規(guī)律及σ鍵概念和形成過程。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列說法正確的是
A.124g P4含有的P-P鍵的個數(shù)為6NA
B.12g石墨中含有的C-C鍵的個數(shù)為2NA
C.60g SiO2中含Si-O鍵的個數(shù)為2NA
D.12g 金剛石中含有的C-C鍵的個數(shù)為1.5NA

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

共價鍵、離子鍵、分子間作用力都是物質(zhì)結(jié)構(gòu)中微粒間不同的相互作用。下列物質(zhì)含有上述兩種相互作用的有( )
A.石英B.干冰C.食鹽D.燒堿

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

(12分)2SO2(g)+ O2(g) 2SO3(g) △H =- a kJ·mol1,反應(yīng)過程的能量變化如圖所示。已知1mol SO2(g)完全轉(zhuǎn)化為1mol SO3(g)放熱99 kJ。請回答:

⑴圖中A點(diǎn)表示__________________,a=__________。
⑵Ea的大小對該反應(yīng)的△H _______(填“有”或“無”)影響。該反應(yīng)常用V2O5作催化劑,加入V2O5會使圖中B點(diǎn)_________(填“升高”、“降低”或“不變”)。
⑶已知單質(zhì)硫的燃燒熱為296kJ·mol1,寫出反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:_____________________,常溫常壓下,由單質(zhì)硫和氧氣經(jīng)兩步反應(yīng),生成3 mol SO3(g),放出的總熱量為___     _。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列各組晶體物質(zhì)中,化學(xué)鍵類型相同,晶體類型也相同的是 (  )。
①SiO2和SO3、诰w硼和HCl、跜O2和SO2 ④晶體硅和金剛石、菥w氖和晶體氮、蘖蚧呛偷
A.①②③B.④⑤⑥C.③④⑥D.①③⑤

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列說法中不正確的是( 。
A.含有氫鍵的物質(zhì)熔點(diǎn)不一定都升高
B.氫鍵不屬于化學(xué)鍵,但比化學(xué)鍵強(qiáng)
C.共價化合物中一定不含離子鍵
D.能形成配位鍵的原子一方必須有孤電子對,另一方必須有空軌道

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列物質(zhì)性質(zhì)的變化規(guī)律,與共價鍵的鍵能大小有關(guān)的是(  )
A.F2、Cl2、Br2、I2的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)逐漸升高
B.干冰和冰的硬度不同
C.金剛石的硬度、熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都高于晶體硅
D.KF、KCl、KBr、KI的熔點(diǎn)依次降低

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列能跟氫原子形成最強(qiáng)極性鍵的原子是(   )
A.FB.ClC.BrD.I

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下列化合物中離子核間距最大的是
A.NaCl  B.KI     C.KFD.LiI

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