I.氫能的存儲是氫能應(yīng)用的主要瓶頸,配位氫化物、富氫載體化合韌是目前所采用的主要儲氫材料。
(1)Ti(BH42是一種過渡元素硼氫化物儲氫材料。在基態(tài)Ti2+中,電子占據(jù)的最高能層符號為       ,該能層具有的原子軌道數(shù)為     ;
(2)液氨是富氫物質(zhì),是氫能的理想載體,利用實現(xiàn)儲氫和輸氫。下列說法正確的是        ;
a.NH3分子中氮原子的軌道雜化方式為sp2雜化
b.NH+4與PH+4、CH4、BH-4、ClO4互為等電子體
c.相同壓強時,NH3的沸點比PH3的沸點高
d.[Cu(NH34]2+離子中,N原子是配位原子
(3)已知NF3與NH3的空間構(gòu)型相同,但NF3不易與Cu2+形成配離子,其原因是        ;
II.氯化鈉是生活中的常用調(diào)味品,也是結(jié)構(gòu)化學(xué)中研究離子晶體時常用的代表物,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。

(1)設(shè)氯化鈉晶體中Na+與跟它最近鄰的Cl之間的距離為r,則該Na+與跟它次近鄰的C1個數(shù)為      ,該Na+與跟它次近鄰的Cl之間的距離為     ;
(2)已知在氯化鈉晶體中Na+的半徑為以a pm,Cl的半徑為b pm,它們在晶
體中是緊密接觸的,則在氯化鈉晶體中離子的空間利用率為     ;(用含a、b的式子袁示)
(3)納米材料的表面原子占總原子數(shù)的比例很大,這是它有許多特殊性質(zhì)的原因。假設(shè)某氯化鈉顆粒形狀為立方體,邊長為氯化鈉晶胞的10倍,則該氯化鈉顆粒中表面原子占總原子數(shù)的百分比為                。
Ⅰ.(1)M(1分)    9(2分) 
(2)cd(2分)   
(3)N、F、H三種元素的電負性為F > N >H,在NF3中,共用電子對偏向F,偏離N原子,使得氮原子上的孤電子對難于與Cu2形成配位鍵(2分)
Ⅱ.(1)8(2分)     r(2分) 
(2)(2分) 
(3)26% 或(2分)

試題分析:Ⅰ.(1)Ti原子核外有22個電子,其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d24s2,在基態(tài)Ti2+中,核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d2,對應(yīng)能層分別別為K、L、M,其中能量最高的是最外層M層,該能層有s、p、d三個能級,s能級有1個軌道,p能級有3個軌道,d能級有5個軌道,所以共有9個原子軌道。
(2)a.NH3分子中N原子含有3個共用電子對和一個孤電子對,所以其價層電子對是4,采用sp3雜化,故錯誤。
b.等電子體是指具有相同電子數(shù)目和原子數(shù)目的分子或離子,NH4+與PH4+、CH4、BH4-、ClO4原子數(shù)目相同,電子數(shù)目不同,所以不能互為等電子體,故錯誤。
c.相同壓強時,氨氣中含有氫鍵,PH3中不含氫鍵,所以NH3沸點比PH3高,故正確;
d..[Cu(NH34]2+離子中,N原子提供孤電子對,所以N原子是配位原子,故正確。
所以選cd 。 
(3)N、F、H三種元素的電負性:F>N>H,所以NH3中共用電子對偏向N,而在NF3中,共用電子對偏向F,偏離N原子,故答案為:F的電負性比N大,N-F成鍵電子對向F偏移,導(dǎo)致NF3中N原子核對其孤對電子的吸引能力增強,難以形成配位鍵,故NF3不易與Cu2+形成配離子(或者N、F、H三種元素的電負性:F>N>H,在NF3中,共用電子對偏向F,偏離N原子使得氮原子上的孤對電子難于與Cu2+形成配位鍵.);
Ⅱ.(1)氯化鈉晶體中,,從圖中可以看出,鈉離子在體心和棱心位置,氯離子在頂點和面心位置,Na+與跟它次近鄰的C1(也就是圖中晶胞大立方體中的8個頂點小白圈 )個數(shù)為8個,該Na+與跟它次近鄰的Cl之間的距離也就是邊長為r的小立方體的體對角線,也就是r 。
(2)晶胞為面心立方,一個氯化鈉晶胞中有4個Na和Cl,這個正方體的邊長是2(a+b)pm,體積是8(a+b)3pm3,一個Na體積是pm3,一個Cl體積是pm3,4個Na和Cl體積是pm3,氯化鈉晶體中離子的空間利用率為×100%=
(3)由NaCl的晶胞圖可知,NaCl的晶胞為正立方體結(jié)構(gòu),立方體的體心只有一個Na,而其它的離子都處在立方體的面上,邊長為氯化鈉晶胞邊長的10倍的氯化鈉顆粒中總原子數(shù)為21的立方,而其內(nèi)部的總原子數(shù)為19的立方(立方體相對的兩個面上各被剝?nèi)チ艘粚釉,所以整個邊長相當(dāng)于是減少了2,所以是19),所以該氯化鈉顆粒中表面原子占總原子數(shù)的百分比為=26%,另外列一種比較直觀明了的解法: 由于立方體中的總原子數(shù)為n3(n為棱上原子數(shù)) 因此邊長為氯化鈉晶胞邊長的10倍的氯化鈉顆粒中總原子數(shù)為213,而其內(nèi)部的總原子數(shù)為193(相當(dāng)于將外面剝掉一層),所以其表面的原子數(shù)為213-193。表面原子占總原子數(shù)的百分數(shù):=26%。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

Ⅰ.金屬鎳及其化合物在合金材料以及催化劑等方面應(yīng)用廣泛。
(1)基態(tài)鎳原子的價電子(外圍電子)排布式為                。 
(2)金屬鎳能與CO形成配合物Ni(CO)4,寫出與CO互為等電子體的一種分子和一種離子的化學(xué)式    、    。 
(3)很多不飽和有機物在Ni催化下可與H2發(fā)生加成反應(yīng)。
如①CH2CH2、②HC≡CH、③、④HCHO,其中碳原子采取sp2雜化的分子有       (填物質(zhì)序號),HCHO分子的立體結(jié)構(gòu)為    形。 
(4)Ni2+和Fe2+的半徑分別為69 pm和78 pm,則熔點NiO    FeO(填“<”或“>”)。 
(5)金屬鎳與鑭(La)形成的合金是一種良好的儲氫材料,其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如左下圖所示。該合金的化學(xué)式為            。 
(6)丁二酮肟常用于檢驗Ni2+:在稀氨水中,丁二酮肟與Ni2+反應(yīng)生成鮮紅色沉淀,其結(jié)構(gòu)如右下圖所示。該結(jié)構(gòu)中,除共價鍵外還存在配位鍵和氫鍵,請在圖中用箭頭和“…”表示出配位鍵和氫鍵。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

已知:A、B、C、D為周期表1~36號中的元素,它們的原子序數(shù)逐漸增大。A的基態(tài)原子有3個不同的能級,各能級中電子數(shù)相等;C的基態(tài)原子2p能級上的未成對電子數(shù)與A原子相同;D的基態(tài)原子的M電子層上有4個未成對電子。
請回答下列問題:
(1)D是元素周期表中第________周期,第________族的元素;其基態(tài)原子的外圍電子排布式為________。
(2)A、B、C、D四種元素中,電負性最大的是________(填元素符號)。
(3)由A、B、C形成的離子CAB與AC2互為等電子體,則CAB中A原子的雜化方式為________。B的氫化物的沸點遠高于A的氫化物的沸點的主要原因是________________________________________________________________。
(4)D能與AC分子形成D(AC)5,其原因是AC分子中含有________________。D(AC)5常溫下呈液態(tài),熔點為-20.5 ℃,沸點為103 ℃,易溶于非極性溶劑,據(jù)此可判斷D(AC)5晶體屬于________(填晶體類型)。
(5)SiO2的晶胞可作如下推導(dǎo):先將NaCl晶胞中的所有Cl去掉,并將Na全部換成Si原子,再在每兩個不共面的“小立方體”中心處各放置一個Si原子便構(gòu)成了晶體Si的一個晶胞。再在每兩個相鄰的Si原子(距離最近的兩個Si原子)中心連線的中點處增添一個O原子,便構(gòu)成了SiO2晶胞,故SiO2晶胞中有________個Si原子,________個O原子。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

有a、b、c、d、f五種前四周期元素,原子序數(shù)依次增大,a、b、c三種元素的基態(tài)原子具有相同的能層和能級,第一電離能I1(a)<I1(c)<I1(b)且其中基態(tài)b原子的2p軌道處半充滿狀態(tài),已知bc2+與ac2互為等電子體,d為周期表前四周期中電負性最小的元素,f的原子序數(shù)為29。請回答下列問題。(如需表示具體元素請用相應(yīng)的元素符號)
(1)寫出bc2+的電子式__________,基態(tài)f原子的核外電子排布式為___________。
(2)b的簡單氫化物極易溶于c的簡單氫化物,其主要原因是                 。

(3)化合物甲由c、d兩種元素組成,其晶胞如甲圖,甲的化學(xué)式___________。
(4)化合物乙的部分結(jié)構(gòu)如乙圖,乙由a、b兩元素組成,硬度超過金剛石。①乙的晶體類型為________________________,其硬度超過金剛石的原因是_________________________。
②乙的晶體中a、b兩種元素原子的雜化方式均為___________________。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

原子序數(shù)依次增大的A、B、C、D、E、F六種元素。其中A的基態(tài)原子有3個不同的能級,各能級中的電子數(shù)相等;C的基態(tài)原子2p能級上的未成對電子數(shù)與A原子的相同;D為它所在周期中原子半徑最大的主族元素;E和C位于同一主族,F(xiàn)的原子序數(shù)為24。
(1)F原子基態(tài)的核外電子排布式為   
(2)在A、B、C三種元素中,第一電離能由大到小的順序是   (用元素符號回答)。
(3)元素B的簡單氣態(tài)氫化物的沸點遠高于元素A的簡單氣態(tài)氫化物的沸點,其主要原因是   。
(4)由A、B、C形成的離子CAB與AC2互為等電子體,則CAB的結(jié)構(gòu)式為   
(5)在元素A與E所形成的常見化合物中,A原子軌道的雜化類型為   。
(6)由B、C、D三種元素形成的化合物晶體的晶胞如圖所示,則該化合物的化學(xué)式為        。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

A、B、C、D、E、F為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大,其中A含有3個能級,且每個能級所含的電子數(shù)相同;C的最外層有6個運動狀態(tài)不同的電子;D是短周期元素中電負性最小的元素;E的最高價氧化物的水化物酸性最強;F除最外層原子軌道處于半充滿狀態(tài),其余能層均充滿電子。G元素與D元素同主族,且相差3個周期。
(1)元素A、B、C的第一電離能由小到大的是_______用元素符號表示)。
(2)E的最高價含氧酸中E的雜化方式為_______。
(3)F原子的外圍電子排布式為________________________________________,F(xiàn)的晶體中原子的堆積方式是下圖中的_______(填寫“甲”、“乙”或“丙”)。

(4)DE,GE兩種晶體,都屬于離子晶體,但配位數(shù)不同,其原因是______________________。
(5)已知DE晶體的晶胞如下圖所示:若將DE晶胞中的所有E離子去掉,并將D離子全部換為A原子,再在其中的4個“小立方體”中心各放置一個A原子,且這4個“小立方體”相鄰。位于“小立方體”中的A原子與最近的4個A原子以單鍵相連,由此表示A的一種晶體的晶胞(已知A — A鍵的鍵長acm, NA表示阿伏加德羅常數(shù)),則該晶胞中含有個   A原子,該晶體的密度是_____g/cm3。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

下面是C60、金剛石和二氧化碳的分子模型。

請回答下列問題:
(1)硅與碳同主族,寫出硅原子基態(tài)時的核外電子排布式:_________________
(2)從晶體類型來看,C60屬于_________晶體。
(3)二氧化硅結(jié)構(gòu)跟金剛石結(jié)構(gòu)相似,即二氧化硅的結(jié)構(gòu)相當(dāng)于在硅晶體結(jié)構(gòu)中每個硅與硅的化學(xué)鍵之間插入一個O原子。觀察圖乙中金剛石的結(jié)構(gòu),分析二氧化硅的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中,Si、O原子形成的最小環(huán)上O原子的數(shù)目是__________________________;晶體硅中硅原子與共價鍵的個數(shù)比為            
(4)圖丙是二氧化碳的晶胞模型,圖中顯示出的二氧化碳分子數(shù)為14個。實際上一個二氧化碳晶胞中含有________個二氧化碳分子,二氧化碳分子中鍵與鍵的個數(shù)比為                
(5)有機化合物中碳原子的成鍵方式有多種,這也是有機化合物種類繁多的原因之一。丙烷分子中2號碳原子的雜化方式是_______,丙烯分子中2號碳原子的雜化方式是_______,丙烯分子中最多有      個原子共平面。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

已知大多數(shù)含氧酸可用通式XOm(OH)n來表示,如X是S,則m=2,n=2,則這個式子就表示H2SO4。一般而言,該式中m大于等于2的是強酸,m為0的是弱酸。下列各含氧酸中酸性最強的是
A.H2SeO3 B.HMnO4C.H3BO3D.H3PO4

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

碳與硅是十分重要的兩種元素,金剛石、SiC具有耐磨、耐腐蝕特性,應(yīng)用廣泛。
(1)碳元素在周期表中的位置是_______________,其原子核外通常未成對電子數(shù)為___________個。
(2)已知2Ca3(PO4)2(s)+10C(s)→P4(g)+6CaO(s)+10CO(g)反應(yīng)中,被破壞的化學(xué)鍵有________。
a.離子鍵      b.極性共價鍵   c. 非極性共價鍵
(3)一定條件下,Na還原CCl4可制備金剛石,反應(yīng)結(jié)束冷卻至室溫后,除去粗產(chǎn)品中少量鈉的試劑為_______________。
(4)下列敘述正確的有____________填序號),
①Na還原CCl4的反應(yīng)、Cl2與H2O的反應(yīng)均是置換反應(yīng)
②水晶、干冰熔化時克服粒子間作用力的類型相同
③NaSiO3溶液與SO3的反應(yīng)可用于推斷Si與S的非金屬性強弱
④Si在一定條件下可與FeO發(fā)生置換反應(yīng)

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