下列離子中,電子數(shù)大于質(zhì)子數(shù)且質(zhì)子數(shù)大于中子數(shù)的是 ( )
A.D3O+ B.Li+ C.OD¯ D.OH¯
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解
元素 | A | B | C | D |
結(jié)構(gòu)性質(zhì) 信息 |
基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道,且每種軌道中的電子數(shù)相同 | 原子核外有兩個(gè)電子層,最外層有3個(gè)未成對(duì)的電子 | 基態(tài)原子的M層有2對(duì)成對(duì)的p電子 | 其原子序數(shù)比A、B、C三種元素原子的質(zhì)子數(shù)總和還少1,有+1、+2兩種常見化合價(jià) |
A-O | A=O | F-O | F=O | |
鍵能(KJ/mol) | 360 | 803 | 464 | 640 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年遼寧省撫順市六校聯(lián)合體高三上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
X、Y、Z、R、W均為周期表中前四周期的元素,其原子序數(shù)依次增大;x2-和Y+有相同的核外電子排布;Z的氫化物的沸點(diǎn)比其上一周期同族元素氫化物的沸點(diǎn)低;R的基態(tài)原子在前四周期元素的基態(tài)原子中單電子數(shù)最多;W為金屬元素,X與W形成的某種化合物與Z的氫化物的濃溶液加熱時(shí)反應(yīng)可用于實(shí)驗(yàn)室制取Z的氣態(tài)單質(zhì)。回答下列問題(相關(guān)回答均用元素符號(hào)或化學(xué)式表示):
(1)R的基態(tài)原子的核外電子排布式是_______。
(2)Z的氫化物的沸點(diǎn)比其上一周期同族元素氫化物的沸點(diǎn)低的原因是________。
(3)X與Z中電負(fù)性較大的是__________;Z的某種含氧酸鹽常用于實(shí)驗(yàn)室中X的單質(zhì)的制取,此酸根離子的空間構(gòu)型是_____,此離子中含有的化學(xué)鍵類型是____;X一Z一X的鍵角_____109. 50。(填“>”、“=”或“<”)
(4)X與Y形成的化合物Y2X的晶胞如圖。其中X離子的配位數(shù)為_______,以相距一個(gè)X離子最近的所有Y離子為頂點(diǎn)構(gòu)成的幾何體為 。該化合物與MgO相比,熔點(diǎn)較高的是_____。
(5)已知該化合物的晶胞邊長(zhǎng)為a pm,則該化合物的密度為____g/cm3。(列算式,不必計(jì)算出數(shù)值,阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA)
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科目:高中化學(xué) 來源:2015屆福建霞浦一中高一下學(xué)期第一次月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
A、B、C、D、E五種短周期主族元素,原子序數(shù)依次增大。A原子的核外電子數(shù)等于最外層電子數(shù);B原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2倍;C原子的M層電子數(shù)與L層電子數(shù)相差7;D原子的最外層電子數(shù)是A、B、C三原子的最外層電子數(shù)之和;卮鹣铝袉栴}。
(1)元素B在周期表中的位置為第 周期 族;元素D簡(jiǎn)單離子的結(jié)構(gòu)示意圖為 。
(2)元素C、D簡(jiǎn)單離子的半徑由大到小的順序?yàn)?用離子符號(hào)表示) 。
(3)元素B可形成離子BH3-,下列與其具有相同電子數(shù)和質(zhì)子數(shù)的微粒是 。
A.NH4+ B.OH- C.F- D.HS-
(4)元素A、C組成化合物甲CA,甲能與水反應(yīng)產(chǎn)生一種強(qiáng)堿和一種氣體,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為 。
(5)A元素有aA、a+1A、a+2A三種同位素,E元素有eE、e+2E兩種同位素,二者所形成分子的相對(duì)分子質(zhì)量有 種。
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