Question

鍺（Ge）是典型的半導體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛�；卮鹣铝袉栴}：

（1）基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]____________，有__________個未成對電子。

（2）Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是________________。

（3）比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點，分析其變化規(guī)律及原因_____________________。

	GeCl4	GeBr4	GeI4
熔點/℃	?49.5	26	146
沸點/℃	83.1	186	約400

（4）光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負性由大至小的順序是______________。

（5）Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為______________微粒之間存在的作用力是_____________。

（6）晶胞有兩個基本要素：①原子坐標參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置，下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標參數(shù)A為（0,0,0）；B為（，0，）；C為（，，0）。則D原子的坐標參數(shù)為______。

②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76 pm，其密度為__________g·cm-3（列出計算式即可）。

Answer 1