I、氨氣是一種重要化合物，在工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、生活中有著重要應(yīng)用。

        （1）下圖燒瓶中盛有Na2O2固體，分液漏斗中盛有濃氨水，利用圖示儀器裝置（加熱及夾持固定裝置均已略去）進(jìn)行氨的催化氧化實(shí)驗(yàn)。請(qǐng)根據(jù)下列要求回答問(wèn)題：

①請(qǐng)選擇實(shí)驗(yàn)裝置，按氣流方向從左到右連接順序是（填字母）（  ）→（  ）→（  ）→E；

       ②試管B中的反應(yīng)方程式為                      ；

II、①分別將氯氣和二氧化硫通入品紅溶液中，可觀察到紅色都褪去，該過(guò)程中分別體現(xiàn)了氯氣的           性、二氧化硫的           性。

②一定條件下，向碘水中通入足量氯氣，完全反應(yīng)后再滴加淀粉溶液無(wú)明顯現(xiàn)象。若原有10.0mL 1.0mo1·的碘水，反應(yīng)中共轉(zhuǎn)移了0.1mo1電子，則該反應(yīng)的離子方程式為：

                                                   。

         III、為了探究NO做催化劑參與的硫酸型酸雨的形成，在燒瓶中充入含有少量NO的SO2氣體，慢慢通入O2，該過(guò)程中發(fā)生反應(yīng)化學(xué)方程式為                 、                           ，再噴射適量蒸餾水即得硫酸型酸雨 。

I.   ①  A D B （2分） 

②  4NH3+5O2==4NO+6H2O（條件：催化劑，高溫）；（2分） 

II.  ①氧化性（1分）、漂白性（1分） 

② 5Cl2+I2+6H2O==12H++2IO3-+10Cl- （2分）   

  III.  2NO+O2=2NO2（2分）  

 NO2+SO2=NO+SO3（2分）

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

（15分）

氮化硅（Si3N4）是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途．

I.工業(yè)上有多種方法來(lái)制備氮化硅，常見(jiàn)的方法有：

方法一  直接氮化法：在1300℃-1400℃時(shí)，高純粉狀硅與純氮?dú)饣�，其反�?yīng)方程式為            .

方法二  化學(xué)氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮?dú)狻錃夥磻?yīng)生成氮化硅和HCl，與方法一相比，用此法制得的氮化硅純度較高，其原因是           .

方法三  Si(NH2)4熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si(NH2)4和一種氣體（填分子式）      ；然后使Si(NH2)4受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為          ．

II.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

已知：X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng)，Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，Z的焰色呈黃色．

（1）寫(xiě)出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式：                       ．

（2）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液的化學(xué)方程式：                       ．

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2012-2013學(xué)年河南省原名校高三下學(xué)期第二次聯(lián)考理綜化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

氮化硅（ Si3N4）是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途．

I．工業(yè)上有多種方法來(lái)制備氮化硅，常見(jiàn)的方法有：

方法一：直接氮化法：在1300℃－1400℃時(shí)，高純粉狀硅與純氮?dú)饣�，其反�?yīng)方程式為

                                                                   。

方法二：化學(xué)氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮?dú)�、氫氣反�?yīng)生成氮化硅和HC1，與方法一相比，用此法制得的氮化硅純度較高，其原因是                   ．

方法三：Si（NH2）4熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si（NH2）4和一種氣體（填分子式）________；然后使Si（NH2）4受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為               。

II．工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

已知：X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng)，Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，Z的焰色呈黃色．

（1）原料B的主要成分是（寫(xiě)名稱）                                  。

（2）寫(xiě)出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式：                            。

（3）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時(shí)，陽(yáng)極材料能否用Cu                （填“能”或“不能”），寫(xiě)出Cu為陽(yáng)極電解A的水溶液開(kāi)始一段時(shí)間陰陽(yáng)極的電極方程式：

陽(yáng)極：                             ；陰極：                            。

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2012-2013學(xué)年河南省原名校高三下學(xué)期第二次聯(lián)考理綜化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

氮及其化合物與我們的吃、穿、住、行、健康等都有著密切的聯(lián)系，也是高中化學(xué)學(xué)習(xí)中重要的一部分。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

I．（1）現(xiàn)有一支15mL的試管，充滿NO倒置于水槽中，向試管中緩緩?fù)ㄈ胍欢垦鯕�，�?dāng)試管內(nèi)液面穩(wěn)定時(shí)，剩余氣體3mL。則通入氧氣的體積可能為                         。

（2）一定條件下，某密閉容器中發(fā)生反應(yīng)：4NH3（g）+5O2（g）      4NO（g）+6H2O（g）。

起始濃度（ mol/L）

C(NH3)

C(O2)

C(NO)

C(H2O)

甲

1

2

0

0

乙

4

8

0

0

丙

0.2

x

y

z

 

①恒溫恒容下，平衡時(shí)NH3的轉(zhuǎn)化率甲        乙。（填“＞”、“=”、或“＜”）

②恒溫恒容下，若要使丙與甲平衡時(shí)各組分濃度相同，則x=        ，y=      ，z=       ．

（3）向容積相同、溫度分別為T(mén)1和T2的兩個(gè)密閉容器中分別充入等量NO2，發(fā)生反應(yīng)：2NO2（g）N2O4（g）△H<0。恒溫恒容下反應(yīng)相同時(shí)間后，分別測(cè)定體系中NO2的百分含量分別為a1和a2；已知T1< T2，則a1_          a2。

A．大于        B．小于         C．等于         D．以上都有可能

（4）2．24L（標(biāo)準(zhǔn)狀況）氨氣被200 mL l mol/L HNO3溶液吸收后，反應(yīng)后溶液中的離子濃度關(guān)系是                                                   。

Ⅱ．三氟化氮（NF3）是一種新型的電子材料，它在潮濕的空氣中與水蒸氣能發(fā)生氧化還原反應(yīng)，其生成物有HF、 NO、 HNO3。根據(jù)要求回答下列問(wèn)題：

（1）寫(xiě)出該反應(yīng)的化學(xué)方程式：                                                。反應(yīng)過(guò)程中，氧化劑和還原劑物質(zhì)的量之比為                                   。

（2）若反應(yīng)中生成0．2mol HNO3，轉(zhuǎn)移的電子數(shù)目為                               。

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2010-2011學(xué)年遼寧省高三第四次模擬考試（理綜）化學(xué)部分 題型：填空題

（15分）

氮化硅（Si3N4）是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途．

I.工業(yè)上有多種方法來(lái)制備氮化硅，常見(jiàn)的方法有：

方法一  直接氮化法：在1300℃-1400℃時(shí)，高純粉狀硅與純氮?dú)饣�，其反�?yīng)方程式為             .

方法二  化學(xué)氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氮?dú)�、氫氣反�?yīng)生成氮化硅和HCl，與方法一相比，用此法制得的氮化硅純度較高，其原因是           .

方法三  Si(NH2)4熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si(NH2)4和一種氣體（填分子式）      ；然后使Si(NH2)4受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為           ．

II.工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

已知：X、高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng)，Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，Z的焰色呈黃色．

（1）寫(xiě)出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式：                        ．

（2）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液的化學(xué)方程式：                        ．

 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2010-2011學(xué)年安徽知名省高三第一次聯(lián)合統(tǒng)考（理綜）化學(xué)部分 題型：填空題

氮化硅（Si3N4）是一種優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。

I．工業(yè)上有多種方法來(lái)制備氮氦化硅，常見(jiàn)的方法有：

方法一  直接氦化法：在1300~1400℃時(shí)，高純粉狀硅與純氦氣化合，其反應(yīng)方程式為

                                                                           

方法二  化學(xué)氣相沉積法：在高溫條件下利用四氯化硅氣體、純氦氣、氫氣反應(yīng)生成氦化硅和HCl，與方法一相比，用此法制得的氦化硅純度較高，其原因是             。

方法三  Si（NH­2）4熱分解法：先用四氯化硅與氨氣反應(yīng)生成Si（NH­2）4和一種氣體

          （填分子式）；然后使Si（NH2）4受熱分解，分解后的另一種產(chǎn)物的分子式為              。

II．（1）氨化硅抗腐蝕能力很強(qiáng)，但易被氫氟酸腐蝕，氨化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，此鹽中存在的化學(xué)鍵類型有                  。

   （2）已知：25℃，101kPa條件下的熱化學(xué)方程式：

        3Si（s）+2N2（g）==Si3N4（s）   △H=—750.2kJ/mol

        Si（s）+2Cl2（g）==SiCl4（g）   △H=—609.6kJ/mol

        H2（g）+Cl2（g）==HCl（g） △H=—92.3kJ/mol

        請(qǐng)寫(xiě)出四氯化硅氣體與氮?dú)�、氫氣反�?yīng)的熱化學(xué)方程式：

                                                                             。

III．工業(yè)上制取高純硅和四氯化硅的生產(chǎn)流程如下：

 

    已知：X，高純硅、原料B的主要成分都可與Z反應(yīng)，Y與X在光照或點(diǎn)燃條件下可反應(yīng)，Z的焰色呈黃色。

   （1）原料B的主要成分是               。

   （2）寫(xiě)出焦炭與原料B中的主要成分反應(yīng)的化學(xué)方程式：                  。

   （3）上述生產(chǎn)流程中電解A的水溶液時(shí)，陽(yáng)極材料能否用Cu？   （填“能”或“不能”）。

        寫(xiě)出Cu為陽(yáng)極電解A的水溶液開(kāi)始一段時(shí)間陰陽(yáng)極的電極方程式：

        陽(yáng)極：                      ；陰極：                    。

 

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