鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱．下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（　�。�
化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
鍵能/kJ?mol-1 460 360 436 431 176 347
A．SiCl4的熔點(diǎn)比SiC熔點(diǎn)低
B．HCl的穩(wěn)定性比HI穩(wěn)定性高
C．C-C的鍵能大于Si-Si
D．拆開(kāi)1mol晶體硅中的化學(xué)鍵所吸收的能量為176kJ
A、SiCl4的是分子晶體，SiC是原子晶體，熔點(diǎn)原子晶體＞分子晶體，所以SiCl4的熔點(diǎn)比SiC熔點(diǎn)低，故A正確；
B、H-I鍵的鍵長(zhǎng)比H-Cl長(zhǎng)，鍵長(zhǎng)越短鍵能越大，化學(xué)鍵越穩(wěn)定，氫化物越穩(wěn)定，所以HCl的穩(wěn)定性比HI穩(wěn)定性高，故B正確；
C、C原子半徑小于Si原子半徑，C-C鍵的鍵長(zhǎng)比Si-Si鍵的短，鍵長(zhǎng)越短化學(xué)鍵越穩(wěn)定，鍵能越大，所以C-C的鍵能大于Si-Si，故C正確；
D、晶體硅中1個(gè)Si原子與周圍的4個(gè)Si形成正四面體空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，每個(gè)Si原子形成4個(gè)Si-Si鍵，每個(gè)Si-Si鍵為1個(gè)Si原子通過(guò)
1
2
Si-Si鍵，所以1mol晶體硅中含有Si-Si鍵為1mol×4×
1
2
=2mol，拆開(kāi)1mol晶體硅中的化學(xué)鍵所吸收的能量為176kJ/mol×2mol=352kJ，故D錯(cuò)誤．
故選D．
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相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱．下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（　�。�
化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
鍵能/kJ?mol-1 460 360 436 431 176 347

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：

鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差．參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：
化學(xué)鍵 Si-O Si-Cl H-H H-Cl Si-Si Si-C
鍵能/kJ?mol-1 460 360 436 431 176 347
（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“＞”或“＜”）
SiC
＞
＞
Si； SiCl4
＜
＜
SiO2
（2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？
不能
不能
（填“能”或“不能”），原因是
物質(zhì)熔點(diǎn)高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定，單質(zhì)Si屬于原子晶體，原子間作用力是共價(jià)鍵；SiCl4屬于分子晶體，分子間作用力是范德華力，比共價(jià)鍵弱得多．因此不能都根據(jù)鍵能來(lái)判斷物質(zhì)的熔點(diǎn)高低．
物質(zhì)熔點(diǎn)高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定，單質(zhì)Si屬于原子晶體，原子間作用力是共價(jià)鍵；SiCl4屬于分子晶體，分子間作用力是范德華力，比共價(jià)鍵弱得多．因此不能都根據(jù)鍵能來(lái)判斷物質(zhì)的熔點(diǎn)高低．

（3）如圖立方體中心的“?”表示金剛石晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“?”表示出與之緊鄰的碳原子

（4）工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。篠iCl4（g）+2H2（g）
高溫
 Si（s）+4HCl（g）計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為
+236kJ/mol
+236kJ/mol
．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2011-2012學(xué)年四川省巴中市四縣中高二上期期末聯(lián)考化學(xué)試卷 題型：填空題

（6分）鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的化學(xué)鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：

化學(xué)鍵
Si-O
Si-Cl
H-H
H-Cl
Si-Si
Si-C
鍵能/KJ.mol-1
460
360
436
431
176
347
（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“>”“<”）
SiC_______Si;   SiCl4_______SiO2
（2）能否根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si晶體和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？    （填“能”或“不能”）原因是：                            
（3）工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。篠iCl4（g）+2H2（g）Si(s)+4HCl(g)，計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為                  。

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2011-2012學(xué)年福建省建甌二中高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷（帶解析） 題型：填空題

鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：

化學(xué)鍵
Si—O
Si—Cl
H—H
H—Cl
Si—Si
Si—C
鍵能/kJ·mol-1
460
360
436
431
176
347
（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“>”或“<”）
SiC__________Si； SiCl4___________SiO2
（2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si 和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？____________（填“能”或“不能”），理由是___________________（提示對(duì)比二者晶體類型及內(nèi)部微粒作用力）
（3）如右圖立方體中心的“·”表示金剛石晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“·”表示出與之緊鄰的碳原子；

（4）工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。�
SiCl4(g) + 2H2（g） 高溫   Si（s）+4HCl（g)
計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為_(kāi)_____________________（要包含數(shù)據(jù)和焓變單位）

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源：2013屆寧夏高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷（解析版） 題型：填空題

（每空2分，共12分）鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：

化學(xué)鍵

Si—O

Si—Cl

H—H

H—Cl

Si—Si

Si—C

鍵能/kJ·mol-1

460

       360

436

431

176

347

 

（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“>”或“<”）

SiC       Si； SiCl4       SiO2

（2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si 和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？        （填“能”或“不能”），原因是                                                             。

（3）如圖立方體中心的“· ”表示金剛石晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“· ”表示出與之緊鄰的碳原子

（4）工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。篠iCl4(g) + 2H2（g）  高溫    Si（s）+4HCl（g)

計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為_(kāi)_________________。

 

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