Question

16．已知A、B、C、D、E、F是周期表前四周期的元素，原子序數(shù)依次增大．A的基態(tài)原子2p能級(jí)有3個(gè)單電子；C的基態(tài)原子2p能級(jí)有1個(gè)單電子；F位于ds區(qū)，最外能層有單電子；D與E不同周期，但最外能層電子數(shù)相等，也有單電子．
（l） 寫出基態(tài)F原子的價(jià)電子排布圖3d¹⁰4s¹．
（2）A、B、C三種元素電負(fù)性由大到小的順序?yàn)镺＜N＜F（用元素符號(hào)表示）．
（3）B、C兩元素形成的化合物BC₂的VSEPR模型名稱為四面體形，B原子的雜化方式為sp³雜化．
（4）寫出由A和B兩種元素形成的與A₃^-互為等電子體的分子的化學(xué)式N₂O、NO₂⁺．
（5）C、D形成的化合物和C、E形成的化合物相比，熔點(diǎn)較高的是NaF，B、E按原子個(gè)數(shù)比1：1形成的化合物中含有的相互作用力是①（填序號(hào)）．
①離子鍵          ②極性共價(jià)鍵          ③非極性共價(jià)鍵
④氫鍵             ⑤范德華力⑥
（6）B、D形成的一種離子化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖l，已知該晶胞的邊長(zhǎng)為a cm，阿伏加德羅常數(shù)為N_A，求晶胞的密度為ρ=$\frac{248}{{a}^{3}{N}_{A}}$g/cm³（用含a、N_A的計(jì)算式表示）．
（7）由F原子形成的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2，設(shè)晶胞邊長(zhǎng)為b，列式表示F原子在晶胞中的空間利用率$\frac{\sqrt{2}}{6}$（不要求計(jì)算結(jié)果）．

Answer 1

分析 A、B、C、D、E、F是周期表前四周期的元素，原子序數(shù)依次增大；A的基態(tài)原子2p能級(jí)有3個(gè)單電子，則A是N元素；C的基態(tài)原子2p能級(jí)有1個(gè)單電子且原子序數(shù)大于A，則C是F元素，B為O元素；
E的基態(tài)原子有6個(gè)單電子，則E為Cr元素；D與E不同周期，但最外能層電子數(shù)相等，則D為Na元素；
F位于ds區(qū)，最外能層有單電子，則F為Cu元素，結(jié)合題目分析解答．

解答 解：A、B、C、D、E、F是周期表前四周期的元素，原子序數(shù)依次增大；A的基態(tài)原子2p能級(jí)有3個(gè)單電子，則A是N元素；C的基態(tài)原子2p能級(jí)有1個(gè)單電子且原子序數(shù)大于A，則C是F元素，B為O元素；
E的基態(tài)原子有6個(gè)單電子，則E為Cr元素；D與E不同周期，但最外能層電子數(shù)相等，則D為Na元素；
F位于ds區(qū)，最外能層有單電子，則F為Cu元素；
（1）基態(tài)F原子的價(jià)電子排布式為3d¹⁰4s¹，故答案為：3d¹⁰4s¹；
（2）A、B、C三種元素分別是N、O、F元素，同一周期元素，元素第一電離能隨著原子序數(shù)增大而呈增大趨勢(shì)，但第IIA族、第VA族元素第一電離能大于其相鄰元素，所以這三種元素第一電離能O＜N＜F，
故答案為：O＜N＜F；
（3）B、C兩元素形成的化合物FO₂中F原子電子對(duì)數(shù)$\frac{7+0}{2}$=3.5，應(yīng)看作4對(duì)電子對(duì)，雜化方式為sp³雜化，VSEPR模型名稱為四面體形．
故答案為：四面體形；sp³雜化；
（4）由N和O兩種元素形成的與N₃^-互為等電子體的粒子的化學(xué)式有N₂O、NO₂⁺等，
故答案為：N₂O、NO₂⁺；
（5）C、D形成的化合物NaF和C、E形成的化合物CrF，由于鈉離子的半徑比鉻粒子的半徑小，NaF的晶格能大，熔點(diǎn)較高的是NaF．
B、E按原子個(gè)數(shù)比1：1形成的化合物CrO中含有的相互作用力是離子鍵，
故答案為：NaF；①；
（6）晶胞中白色球數(shù)目為8，黑色球數(shù)目為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4，該化合物為Na₂O，晶胞質(zhì)量為4×$\frac{62}{{N}_{A}}$g，則晶胞密度為4×$\frac{62}{{N}_{A}}$g÷（acm）³=$\frac{248}{{a}^{3}{N}_{A}}$g/cm³，
故答案為：$\frac{248}{{a}^{3}{N}_{A}}$；
（7）晶胞中E原子數(shù)目為8×$\frac{1}{8}$+6×$\frac{1}{2}$=4，設(shè)E原子半徑為r，則4r=$\sqrt{2}$b，故原子半徑r=$\frac{\sqrt{2}}{4}$b，則E原子在晶胞中的空間利用率為$\frac{4×\frac{3}{4}π×（\frac{\sqrt{2}}{4}b）^{3}}{^{3}}$=$\frac{\sqrt{2}}{6}$，故答案為：$\frac{\sqrt{2}}{6}$．

點(diǎn)評(píng) 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，為高頻考點(diǎn)，涉及晶胞計(jì)算、等電子體、原子核外電子排布、第一電離能大小比較等知識(shí)點(diǎn)，側(cè)重考查學(xué)生分析判斷、計(jì)算、空間想象能力，難點(diǎn)是晶胞計(jì)算，注意（7）題哪幾個(gè)原子緊密相連，為易錯(cuò)點(diǎn)．