氣態(tài)中性基態(tài)原子的原子核外電子排布發(fā)生如下變化，吸收能量最多的是

A．1s22s22p63s23p2→1s22s22p63s23p1
B．1s22s22p63s23p3→1s22s22p63s23p2
C．1s22s22p63s23p4→1s22s22p63s23p3
D．1s22s22p63s23p63d104s24p1 →1s22s22p63s23p63d104s2

B

解析試題分析：由原子核外電子排布可知A、B、C、D依次為Si、P、S、Ge；Si和Ga，同一主族，Si在Ga上一周期，Si第一電離能大；Si、P、S為同一周期相鄰元素，P元素原子的3p軌道為半充滿，穩(wěn)定性強(qiáng)，電子能量較低，P元素的第一電離能大，即第一電離能P＞S＞Si，所以第一電離能P＞S＞Si＞Ga，因此P原子失去1個(gè)電子吸收的能量最多，答案選B。
考點(diǎn)：考查考查核外電子排布規(guī)律、電離能的比較

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

現(xiàn)有四種短周期元素的原子半徑及主要化合價(jià)數(shù)據(jù)如下表所示：

元素
甲
乙
丙
丁
原子半徑/nm
0.186
0.102
0.152
0.074
主要化合價(jià)
＋1
＋6、－2
＋1
－2
 
下列敘述不正確的是
A．甲單質(zhì)的熔點(diǎn)比丙單質(zhì)的熔點(diǎn)高
B．甲單質(zhì)可用電解其鹽溶液的方法冶煉而得
C．常溫下，丁的兩種氫化物均為液體
D．乙的簡(jiǎn)單離子是四種元素各自形成的簡(jiǎn)單離子中半徑最大的

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X、Y、Z、W是短周期元素，原子序數(shù)依次增大。X是原子半徑最小的元素；Y元素原子的最外層電子數(shù)是電子層數(shù)的2倍；Z元素的-1價(jià)陰離子、W元素的+3價(jià)陽(yáng)離子的核外電子排布均與氖原子相同。下列說(shuō)法正確的是

A．X、Y形成的化合物只含有極性鍵
B．X單質(zhì)和Z單質(zhì)在暗處能劇烈反應(yīng)
C．含W元素的鹽溶液一定顯酸性
D．Z離子半徑小于W離子半徑

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

以下是一些原子的2p能級(jí)和3d能級(jí)中電子排布的情況。其中違反了洪特規(guī)則的是

A．① B．①③ C．②④⑤ D．③④⑤

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

R為短周期元素,其原子所具有的電子層數(shù)為最外層電子數(shù)的一半。下列說(shuō)法中不正確的是

A．當(dāng)它形成含氧酸根離子R2O42—時(shí),也可以形成RO32—
B．當(dāng)它形成含氧酸根離子RO42—時(shí),還可以形成HRO3—
C．當(dāng)它形成含氧酸根離子RO4—時(shí),還可以形成RO3—
D．當(dāng)它形成含氧酸根離子R2O72—時(shí),也可以形成RO42—

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

若某一個(gè)原子在處于能量最低狀態(tài)時(shí)，外圍電子排布為4d15s2，則下列各項(xiàng)說(shuō)法正確的是

A．該元素原子最外層共有3個(gè)電子 
B．該元素位于第5周期ⅡA族 
C．該元素原子核外第N層上共有9個(gè)不同狀態(tài)的電子 
D．該元素原子第四電子層上有5個(gè)空軌道 

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

A的原子結(jié)構(gòu)示意圖為：，其基態(tài)原子的價(jià)電子層電子排布式正確的是

A．3s23p2 B．3d24s2 C．4s24p2 D．3s23p4

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

重水(D2O)是重要的核工業(yè)原料，下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是
A．氘(D)原子核外有1個(gè)電子
B．1H與D互稱同位素
C．H2O與D2O互稱同素異形體
D．1H218O與D216O的相對(duì)分子質(zhì)量相同

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：單選題

已知A、B、C均為短周期的元素，A、B同周期，A、C的最低價(jià)離子分別為A2- 和C—，B2+和C—具有相同的電子層結(jié)構(gòu)，下列說(shuō)法正確的是
A．離子半徑：A2-＞C—＞B2+               B．C元素的最高正價(jià)一定為+7價(jià)
C．對(duì)應(yīng)氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性A＞C         D．還原性：A2-<C－

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