A、平衡態(tài)Ⅰ與平衡態(tài)Ⅱ的正反應(yīng)速率相等 |
B、平衡移動的原因可能是增大了反應(yīng)物濃度 |
C、平衡移動的原因可能是增大了壓強 |
D、平衡狀態(tài)Ⅰ和平衡狀態(tài)Ⅱ的平衡常數(shù)的大小關(guān)系為K1<K2 |
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儀器 | 加入試劑 | 加入試劑的目的 |
B | 飽和NaHCO3溶液 | |
C | ||
D |
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高溫高壓 |
催化劑 |
A、最終可生成0.2mol NH3 |
B、使用催化劑不影響反應(yīng)速率 |
C、升高溫度反應(yīng)速率增大 |
D、增大壓強反應(yīng)速率減小 |
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A、①②③ | B、③④ |
C、②⑤⑥ | D、①②④⑤⑥ |
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A、硅是良好的半導(dǎo)體材料 |
B、二氧化硅屬于酸性氧化物 |
C、硅酸的酸性比碳酸的強 |
D、硅在地殼中的含量僅次于氧,居第二位 |
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