硼元素B在化學(xué)中有很重要的地位。硼的化合物在農(nóng)業(yè)、醫(yī)院、玻璃等方面用途很廣。請回答下列問題:
(1)寫出與B元素同主族的Ga元素的基態(tài)原子核外電子分布式       ,從原子結(jié)構(gòu)的角度分析,B、N、O元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>        。
(2)立方氮化硼可利用人工方法在高溫高壓條件下合成,屬于超硬材料,同屬原子晶體的氮化硼(BN)比晶體硅具有更高硬度和耐熱性的原因是       。
(3)在BF3分子中中心原子的雜化軌道類型是        ,SiF4微粒的空間構(gòu)型是        。
(4)科學(xué)家發(fā)現(xiàn)硼化鎂在39K時呈超導(dǎo)性,在硼化鎂晶體的理想模型中,鎂原子和硼原子是分層排布的,一層鎂一層硼相間排列。圖23是該晶體微觀窨中取出的部分原子沿Z軸方向的投影,白球是鎂原子投影,黑球是硼原子投影,圖中的硼原子和鎂原子投影在同一平面上。根據(jù)圖示確定硼化鎂的化學(xué)式為            。

(8分)(1)1s22s22p63s23p63d104s24p1(2分);N>O>B(1分)
(2)N和B的原子半徑比Si的原子半徑小,B-N鍵長比Si-Si短(或B-N鍵能較大)(2分)
(3)sp2雜化(1分);正四面體(1分) (4)MgB2(1分)

解析試題分析:(1)Ga與B同主族,原子序數(shù)是31,則根據(jù)構(gòu)造原理可知,Ga元素的基態(tài)原子核外電子分布
式1s22s22p63s23p63d104s24p1。非金屬性越強(qiáng),第一電離能越大。由于氮元素原子2p能級有3個電子,
處于半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,第一電離能大于相鄰元素,所以B、N、O元素的第一電離能由大到小
的順序?yàn)镹>O>B。
(2)由于N和B的原子半徑比Si的原子半徑小,B-N鍵長比Si-Si短,所以氮化硼比晶體硅具有
更高硬度和耐熱性。
(3)根據(jù)價層電子對互斥理論可知,在BF3分子中中心原子B原子含有的孤對電子對數(shù)=(3-3×1)÷2=0,這說明該化合物是平面正三角形結(jié)構(gòu),則B原子的雜化軌道類型是sp2雜化;同樣根據(jù)價層電子對互斥理論可知,在SiF4分子中中心原子Si原子含有的孤對電子對數(shù)=(4-4×1)÷2=0,這說明該化合物是正四面體結(jié)構(gòu)。
(4)根據(jù)投影可知, 6個B原子構(gòu)成1個正六邊形,中間是鎂原子。1個B原子被周圍的3個正六邊形共用,所以1個正六邊形含有的B原子是6÷3=2,因此硼化鎂的化學(xué)式為MgB2
考點(diǎn):考查核外電子排布、第一電離能比較、雜化軌道類型、空間構(gòu)型、晶體熔點(diǎn)比較、晶體化學(xué)式的判斷等

練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

下表為元素周期表的一部分,其中編號代表對應(yīng)的元素。

請回答下列問題:
(1)寫出元素⑦的基態(tài)原子外圍電子排布式                ,元素⑧位于       區(qū)。
⑤元素原子的價層電子的軌道表示式為                      
(2)若元素①③⑤形成的某化合物顯酸性,經(jīng)測定這三種元素的質(zhì)量比為1:6:16,該化合物對氫氣的相對密度為23,則其中所有雜化原子的雜化方式分別為         。
(3)元素③④⑤⑥的第一電離能由大到小的順序是           (用元素符號表示)。請寫出由④和⑤兩種元素形成的與N3ˉ互為等電子體的分子的化學(xué)式           ,
(寫出一種即可)其VSEPR構(gòu)型為           。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

常見元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下表:

元素
相關(guān)信息
X
X的基態(tài)原子核外只有三個能級,且各能級電子數(shù)相等
Y
Y的基態(tài)原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子總數(shù)的2.5倍
Z
Z的基態(tài)價電子結(jié)構(gòu)為nsn-1
W
W單質(zhì)常在火山口附近被發(fā)現(xiàn),其氧化物是造成酸雨的主要原因之一
 
(1)Y位于元素周期表第        周期      族,其基態(tài)原子未成對電子有    個。
(2)X的電負(fù)性比W的        (填“大”或“小”);Y的最簡單氣態(tài)氫化物比X的最簡單氣態(tài)氫化物易液化,其主要原因是                                  
(3)Z與同周期左右相鄰的兩種元素的原子相比較,三者第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>              (用元素符號表示)。Y和Z形成的化合物為       晶體,該物質(zhì)遇水強(qiáng)烈水解的化學(xué)方程式為                                          。
(4)在一定溫度下,向一個容積不變的密閉容器中充入1molY2和3mol氫氣,發(fā)生反應(yīng):Y2(g)+3H2(g)    2YH3(g) ΔH=-akJ/mol。在該條件下達(dá)到平衡時放出的熱量為bkJ,其平衡常數(shù)表達(dá)式K=                     。若起始向此容器中充入2molYH3,在相同溫度下達(dá)到平衡時,反應(yīng)過程中吸收的熱量為ckJ,則a、b、c三者之間的關(guān)系為                   (用一個式子表示)。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

A、B、C、D是元素周期表前四周期常見的四種元素,原子序數(shù)依次增大, 它們的相關(guān)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)信息如下表所示,請結(jié)合相關(guān)信息,完成相關(guān)的問題:

元素
相關(guān)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
A
A為非金屬元素,其一種單質(zhì)是電的良導(dǎo)體,難熔、質(zhì)軟并有潤滑性,可用作電極材料
B
是蛋白質(zhì)的組成元素之一,原子核外有三種不同能量的電子,且未成對電子數(shù)最多
C
其單質(zhì)既能與強(qiáng)酸溶液應(yīng)又能與強(qiáng)堿溶液反應(yīng),其簡單離子在第三周期單核離子中半徑最小
D
D的高價氯化物的鹽溶液常用于印刷電路極電路的“刻蝕”
 
(1)D位于元素周期表第  周期第  族,其基態(tài)原子核外價電子排布式為               ;元素D的高價氯化物形成的鹽溶液刻蝕印刷電路板電路所發(fā)生反應(yīng) 的離子方程式為                      ;
(2)鈉與B元素形成的Na3B晶體屬于       晶體(填“分子”、“原子”、“離子”)。 分析B元素的氣態(tài)氫化物極易溶于水的原因,除了因?yàn)樗鼈兙菢O性分子之外,還因?yàn)?u>                               ;
(3)元素A與元素B相比,非金屬性較強(qiáng)的是         (用元素符號表示),可以作為判斷兩者非金屬性強(qiáng)弱的依據(jù)的是        
a.常溫下A的單質(zhì)和B的單質(zhì)狀態(tài)不同
b.該兩種原子形成的共價鍵中共用電子對的偏向
c.最高價氧化物對應(yīng)水化物的酸性強(qiáng)弱
d.單質(zhì)與酸反應(yīng)的難易程度
(4)已知?dú)?.4g元素C的單質(zhì)可與元素D的低價氧化物反應(yīng),放出346.2kJ的熱量。試寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:                                            。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

回答以下關(guān)于第三周期元素及其化合物的問題。
(1)Na原子核外共有       種不同運(yùn)動狀態(tài)的電子,有     種不同能量的電子。
(2)相同壓強(qiáng)下,部分元素氟化物的熔點(diǎn)見下表:

氟化物
NaF
MgF2
SiF4
熔點(diǎn)/℃
1266
1534
183
試解釋上表中氟化物熔點(diǎn)差異的原因:                                      。
(3)SiF4分子的空間構(gòu)型為             ,SiF4中Si—F鍵間的鍵角是           。
(4)在P、S、Cl三種元素形成的氫化物中,熱穩(wěn)定性最大的是        (填氫化物的化學(xué)式);
已知Na的原子半徑大于Cl的原子半徑,其原因是:                        。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

能源問題日益成為制約國際社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,越來越多的國家開始實(shí)行“陽光計劃”,開發(fā)太陽能資源,尋求經(jīng)濟(jì)發(fā)展的新動力。
(1)太陽能熱水器中常使用一種以鎳或鎳合金空心球?yàn)槲談┑奶柲芪鼰嵬繉,基態(tài)鎳原子M層上的未成對電子數(shù)為       。
(2)大阪大學(xué)近日宣布,有機(jī)太陽能固體電池效率突破5.3%,而高純度C60是其“秘密武器”。C60的結(jié)構(gòu)如圖1,分子中碳原子軌道的雜化類型為      ;1 mol C60分子中π鍵的數(shù)目為        。
(3)金屬酞菁配合物在硅太陽能電池中有重要作用,一種金屬鎂酞菁配合物的結(jié)構(gòu)如下圖2。該結(jié)構(gòu)中,碳氮之間的共價鍵類型有     (按原子軌道重疊方式填寫共價鍵的類型),請在下圖2中用箭頭表示出配位鍵。
     
圖1                  圖2              圖3
(4)多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機(jī)鹽,其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等。
①第一電離能:As     Se(填“>”、“<”或“=”)。
②硫化鋅的晶胞中(結(jié)構(gòu)如圖所示),硫離子的配位數(shù)是     

③二氧化硒分子的空間構(gòu)型為              。
④砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得,反應(yīng)的方程式為          。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

已知A、B、C、D、E是短周期的五種元素,它們的原子序數(shù)依次增大。A是短周期元素中原子半徑最小的元素;C、D、E三種元素的最高價氧化物對應(yīng)水化物之間可以兩兩反應(yīng);A與C同主族;B與E同主族;E的單質(zhì)為淡黃色晶體。
(1)寫出E元素在周期表中的位置               ;
(2)寫出C元素的離子結(jié)構(gòu)示意圖               ;
(3)寫出化合物A2B的電子式                ;
(4)寫出C、D的最高價氧化物對應(yīng)水化物相互反應(yīng)的化學(xué)方程式:                           。

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題

已知元素A和B的原子序數(shù)都小于18,A元素原子的最外層電子數(shù)為a,次外層電子數(shù)為b,B元素M層電子數(shù)為 a-b,L層電子數(shù)為 a+b。請完成下列問題:
(1) 元素A在周期表中的位置                              
(2) 元素A的原子結(jié)構(gòu)示意圖                              
(3) 元素B的單質(zhì)的一種用途                              
(4) 用B的氧化物的一種用途                              
(5) B元素的氧化物與NaOH溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式
                                                     

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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:問答題

氮化硼(BN)是一種重要的功能陶瓷材料。以天然硼砂為起始物,經(jīng)過一系列反應(yīng)可以得到BF3和BN,請回答下列問題
(1)基態(tài)B原子的電子排布式為_________;B和N相比,電負(fù)性較大的是_________,BN中B元素的化合價為_________;
(2)在BF3分子中,F(xiàn)-B-F的鍵角是_______,B原子的雜化軌道類型為_______,BF3和過量NaF作用可生成NaBF4,BF4的立體結(jié)構(gòu)為_______;
(3)在與石墨結(jié)構(gòu)相似的六方氮化硼晶體中,層內(nèi)B原子與N原子之間的化學(xué)鍵為________,層間作用力為________;
(4)六方氮化硼在高溫高壓下,可以轉(zhuǎn)化為立方氮化硼,其結(jié)構(gòu)與金剛石相似,硬度與金剛石相當(dāng),晶胞邊長為361.5pm,立方氮化硼晶胞中含有______各氮原子、________各硼原子,立方氮化硼的密度是_______g·cm-3(只要求列算式,不必計算出數(shù)值,阿伏伽德羅常數(shù)為NA)。

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同步練習(xí)冊答案