A. | 電解精煉銅時(shí),陽(yáng)極質(zhì)量減少6.4g,電路中電子轉(zhuǎn)移的總數(shù)為0.2NA | |
B. | 6.0gSiO2晶體中含有0.2NA個(gè)Si-O鍵 | |
C. | NA個(gè)CH4在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的體積約為22.4L | |
D. | 苯與液溴反應(yīng)生成1mol時(shí)消耗0.5NA個(gè)Br2 |
分析 A、電解精煉銅時(shí),陽(yáng)極上放電的不止是銅;
B、求出二氧化硅的物質(zhì)的量,然后根據(jù)1mol二氧化硅中含4mol硅氧鍵來(lái)分析;
C、氣體體積V=$\frac{N}{{N}_{A}}{V}_{m}$來(lái)分析;
D、苯和液溴反應(yīng)時(shí),取代1molH原子消耗1mol溴.
解答 解:A、電解精煉銅時(shí),陽(yáng)極上放電的不止是銅,還有比銅活潑的金屬,故當(dāng)陽(yáng)極減少6.4g時(shí),轉(zhuǎn)移的電子數(shù)多于0.2NA個(gè),故A錯(cuò)誤;
B、6.0g二氧化硅的物質(zhì)的量為0.1mol,而1mol二氧化硅中含4mol硅氧鍵,故0.1mol二氧化硅中含0.4NA個(gè)硅氧鍵,故B錯(cuò)誤;
C、氣體體積V=$\frac{N}{{N}_{A}}{V}_{m}$=$\frac{{N}_{A}}{{N}_{A}/mol}×22.4mol/L$=22.4L,故C正確;
D、苯和液溴反應(yīng)時(shí),取代1molH原子消耗1mol溴,故當(dāng)生成1mol溴苯時(shí)消耗1mol溴即NA個(gè)溴,故D錯(cuò)誤.
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了阿伏伽德羅常數(shù)的有關(guān)計(jì)算,熟練掌握公式的使用和物質(zhì)的結(jié)構(gòu)是解題關(guān)鍵,難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 由甲可知:氫氣的燃燒熱為219.8kJ/mol | |
B. | 由乙可知:鹽橋中的Cl-向Cd電極移動(dòng) | |
C. | 由丙可知:將A、B飽和溶液分別由T1℃升溫至T2℃時(shí),溶質(zhì)的質(zhì)量分?jǐn)?shù):A=B | |
D. | 由丁可知:同溫度、同濃度的NaA溶液與NaB溶液相比,其PH:NaA<NaB |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | x<y | B. | x>y | C. | x﹦y | D. | 無(wú)法判斷 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 蛋白質(zhì)的水解可用于分離和提純蛋白質(zhì) | |
B. | 丙烯酸甲酯可通過(guò)縮聚反應(yīng)生成高分子化合物 | |
C. | 有機(jī)物的核磁共振氫譜有兩個(gè)峰,且峰面積之比為3:1 | |
D. | 用乙醇和濃硫酸制備乙烯時(shí),可用水浴加熱控制反應(yīng)的溫度 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 充電過(guò)程,電源G的b極為負(fù)極 | |
B. | 放電過(guò)程,Y極發(fā)生還原反應(yīng) | |
C. | 放電過(guò)程,X極的電極反應(yīng)式為L(zhǎng)i-e-+O2-═LiO2 | |
D. | 充電過(guò)程,每轉(zhuǎn)移2 mol電子,Y極放出44.8L(標(biāo)準(zhǔn)狀況)O2 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 1mol O | B. | 1mol O2 | C. | 1mol氧原子 | D. | 1摩爾小麥 |
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