(9分)4種相鄰的主族短周期元素的相對位置如表,元素x的原子核外電子數(shù)是m的2倍,y的氧化物具有兩性;卮鹣铝袉栴}:
 
 
m
n
x
y
 
 
(1)元素x在周期表中的位置是第_____周期、第____族,其單質(zhì)可采用電解熔融的_____方法制備。
(2)m、n、y三種元素最高價氧化物的水化物中,酸性最強的是______,堿性最強的是______.(填化學式)
(3)氣體分子(mn)2的電子式為_______,(mn)2稱為擬鹵素,性質(zhì)與鹵素類似,其與氫氧化鈉溶液反應(yīng)的化學方程式是_____________________________。
(1) 第三周期第ⅡA族;MgCl2;(2) HNO3、Al(OH)3
(3)        (CN)2+2NaOH=NaCN+NaCNO+H2O.

試題分析:根據(jù)題意可得x是Mg;y是Al;m是C;n是N.(1)元素Mg在周期表中的位置是第三周期第ⅡA族,Mg在工業(yè)上采用電解熔融的MgCl2的方法制取。(2)元素的非金屬性越強,其最高價氧化物對應(yīng)的水化物的酸性就越強,所以酸性強弱順序是HNO3> H2CO3>Al(OH)3. 酸性最強的是HNO3。氫氧化鋁是兩性氫氧化物,既有酸性,也有堿性,因此堿性最強的是Al(OH)3。(3)氣體分子(CN)2是共價化合物。它的電子式為。 (CN)2與NaOH反應(yīng)類似氯氣與氫氧化鈉的反應(yīng)。方程式是:(CN)2+2NaOH=NaCN+NaCNO+H2O.
練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

短周期元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,W與Y原子的最外層電子數(shù)之和為X原子的最外層電子數(shù)的2倍,Z原子的最外層電子數(shù)等于其最內(nèi)層電子數(shù),X、Y、Z的簡單離子的電子層結(jié)構(gòu)相同,W的單質(zhì)是空氣中體積分數(shù)最大的氣體。下列說法正確的是
A.元素Y的氣態(tài)氫化物比W的穩(wěn)定
B.元素Y的最高正價與負價絕對值的和等于8
C.化合物XY2與ZY2分子中的化學鍵類型相同
D.原子半徑的大小順序:r(W)>r(X)>r(Y)>r(Z)

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

原子序數(shù)依次增大的四種元素A、B、C、D分別處于第一至第四周期,其中A原子核是一個質(zhì)子;B原子核外電子有6種不同的運動狀態(tài),B與C可形成正四面體型分子,D原子外圍電子排布為3d104s1。 請回答下列問題:
(1)這四種元素中電負性最大的是      (填元素符號)、第一電離能最小的是       (填元素符號);
(2)C所在的主族元素氣態(tài)氫化物中,沸點最低的是           (填化學式);
(3)B元素可形成多種單質(zhì),其中“只有一層原子厚”的物質(zhì),被公認為目前世界上已知的最薄、最堅硬、傳導電子速度最快的新型材料,該材料晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,其原子的雜化類型為           

(4)D的醋酸鹽晶體局部結(jié)構(gòu)如右圖,該晶體中含有的化學鍵是   (填選項序號);
①極性鍵    ②非極性鍵   ③配位鍵    ④金屬鍵
(5)某學生所做的有關(guān)D元素的實驗流程如下圖:


第①步產(chǎn)生的棕色的煙屬于         (填一種分散系),如第②步加大量水,溶液呈     色,
寫出第⑤步反應(yīng)的離子方程式:                                       。

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

(14分)元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途,請根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識回答下列問題:
(1)按原子序數(shù)遞增的順序(稀有氣體除外),以下說法正確的是               。
a.原子序數(shù)和離子半徑均減小              b.金屬性減弱,非金屬性增強
c.氧化物對應(yīng)的水合物堿性減弱,酸性增強  d.單質(zhì)的熔點降低
(2)原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱為           ,氧化性最弱的簡單陽離子是   。
(3)已知:
化合物
MgO
Al2O3
MgCl2
AlCl3
類型
離子化合物
離子化合物
離子化合物
共價化合物
熔點/℃
2800
2050
714
191
 
工業(yè)制鎂時,電解MgCl2而不電解MgO的原因是                           ;制鋁時,電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是                                                 。
(4)晶體硅(熔點1410℃)是良好的半導體材料。由粗硅制純硅過程如下:

寫出SiCl4的電子式:            ;在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中,測得每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量,寫出該反應(yīng)的熱化學方程式:                                 。
(5)P2O5是非氧化性干燥劑,下列氣體不能用濃硫酸干燥,可用P2O5干燥的是          
a. NH3        b. HI        c. SO2      d . CO2
(6)KClO3可用于實驗室制O2,若不加催化劑,400℃時分解只生成兩種鹽,其中一種是無氧酸鹽,另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為1:1。寫出該反應(yīng)的化學方程式:                                   。     

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

根據(jù)原子結(jié)構(gòu)及元素周期律的知識,下列推斷正確的是
A.同主族元素含氧酸的酸性隨核電荷數(shù)的增加而減弱
B.核外電子排布相同的微;瘜W性質(zhì)也相同
C.Cl?、S2?、Ca2+、K+半徑逐漸減小
D.得電子能力相同

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

以下是1-18號元素某性質(zhì)的遞變規(guī)律,Y軸代表的是                     
A.原子半徑B.金屬性C.非金屬性D.最外層電子數(shù)

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下列表示方法正確的是
A.銅的原子結(jié)構(gòu)示意圖:
B.S2- 核外電子排布式:[Ne] 2s23p6
C.O原子處于基態(tài)的軌道表示式: 
D.用電子式表示MgCl2的形成:Mg:+

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:單選題

下列物質(zhì)互為同分異構(gòu)體的是(   )                                    
A.12C和14CB.CH4和C2H6
C.C2H5OH和CH3OCH3D.O2和O3

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科目:高中化學 來源:不詳 題型:填空題

(12分)【化學——物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
銅單質(zhì)及其化合物在很多領(lǐng)域有重要用途,如金屬銅用來制造電線電纜,無水合硫酸銅可用作殺菌劑等。
(1)Cu2+的核外電子排布式為________________。
(2)科學家通過X射線測膽礬中既含有配位鍵,又含有氫鍵,其結(jié)構(gòu)示意圖可簡單表示如下:

①膽礬的化學式用配合物的形式表示為______。
②膽礬中的空間構(gòu)型為_________,H2O中O原子的雜化方式為____________。
(3)向硫酸銅溶液中加入過量氨水,可生成配離子。已知的空間構(gòu)型都是三角錐形,但NF3不易與Cu2+形成配離子,其原因是____________________________。
(4)N形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,N3-的配位數(shù)是________。設(shè)晶胞邊長為a cm,密度為b g/cm3,則阿伏加德羅常數(shù)可表示為___________(用含a、b的式子表示)。

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