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精英家教網(wǎng) > 高中化學(xué) > 題目詳情

通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（ΔH），化學(xué)反應(yīng)的ΔH等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。

化學(xué)鍵	Si—O	Si—Cl	H—H	H—Cl	Si—Si	Si—C
鍵能/kJ·mol^－1	460	360	436	431	176	347

請回答下列問題：
（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低（填“＞”或“＜”）。SiC____________Si；SiCl₄____________SiO₂。
（2）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請在立方體的頂點用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

（3）工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取：SiCl₄（g）＋2H₂（g）

Si（s）＋4HCl（g）該反應(yīng)的反應(yīng)熱ΔH＝________ kJ·mol^－1。

（1）＞�。肌�
（2）如下圖

（3）236

解析

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相關(guān)習題

科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

下列說法正確的是

A．已知Ag₂CrO₄的Ksp為1.12×10^-12，則將等體積的１×10^-3mo1/L的AgNO₃溶液和１×0^-3mo1/LK₂CrO₄溶液混合，會有Ag₂CrO₄沉淀產(chǎn)生

B．Si—O鍵的鍵能大于Si—Cl鍵的鍵能，因此SiO₂的熔點高于晶體SiCl₄的熔點

C．常溫時，濃度均為0.01mol/L Na₂CO₃溶液和NaHCO₃溶液，等體積混合，其溶液中粒子濃度關(guān)系為3c(Na^＋)＝2c(HCO₃^－)＋2c(CO₃²^－)＋2c(H₂CO₃)

D．已知：2CO（g）+O₂（g）＝2CO₂（g） △H＝-566kJ·mol^-1，下圖可表示由CO生成CO₂的反應(yīng)過程和能量關(guān)系

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：單選題

《美國化學(xué)會志》報道了中國科學(xué)家以二氧化碳和鈉在一定條件下制得金剛石，其化學(xué)方程式為3CO₂+4Na=2X+C（金剛石）。設(shè)N_A為阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值，下列有關(guān)此反應(yīng)的敘述中，不正確的是（）

A．1mol C（金剛石）中含有c—c鍵數(shù)目為2N_A

B．金剛石與石墨互為同素異形體

C．當有0.4molNa參加反應(yīng)時，消耗的CO₂的體積為6.72L

D．3molCO₂參加反應(yīng)時．轉(zhuǎn)移電子數(shù)目為4N_A

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]（15分）
下表為長式周期表的一部分，其中的序號代表對應(yīng)的元素。

①

②

③

④

⑤

⑥

⑦

⑧

⑨

⑩

（1）寫出上表中元素⑨原子的外圍電子排布式__________。
（2）在元素③與①形成的水果催熟劑氣體化合物中，元素③的雜化方式為__________雜化；元素⑦與⑧形成的化合物的晶體類型是__________。
（3）元素④的第一電離能__________元素⑤（填寫“＞”“＝”或“＜”）的第一電離能；元素④與元素①形成的最簡單的X分子的空間構(gòu)型為__________。請寫出與元素④的單質(zhì)互為等電子體分子、離子的化學(xué)式__________（各寫一種）。
（4）在測定元素①與⑥形成化合物的相對分子質(zhì)量時，實驗測得的值一般高于理論值的主要原因是_______。
（5）元素④的最高價氧化物對應(yīng)的水化物稀溶液與元素⑦的單質(zhì)反應(yīng)時，元素④被還原到最低價，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為__________。
（6）將過量的X通入含有元素⑩的藍色硫酸鹽溶液中，反應(yīng)的離子方程式為__________；元素⑩的某種氧化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，其中實心球表示元素⑩原子，則一個晶胞中所包含的氧原子數(shù)目為__________。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu)。請回答下列問題。
（1）下圖是石墨的結(jié)構(gòu)，其晶體中存在的作用力有（填序號）

Aσ鍵；Bπ鍵；C氫鍵；D配位鍵；E分子間作用力；F金屬鍵；G離子鍵
（2）下面關(guān)于晶體的說法不正確的是___________

A．晶體熔點由低到高：CF₄<CCl₄<CBr₄<CI₄

B．硬度由大到�。航饎偸�>碳化硅>晶體硅

C．熔點由高到低：Na>Mg>Al

D．晶格能由大到�。篘aF> NaCl> NaBr>NaI

（3）CaF₂結(jié)構(gòu)如圖Ⅰ所示，Cu形成晶體的結(jié)構(gòu)如Ⅲ所示，Ⅱ為H₃BO₃晶體結(jié)構(gòu)圖(層狀結(jié)構(gòu)，層內(nèi)的H₃BO₃分子通過氫鍵結(jié)合)

圖Ⅰ                         圖Ⅱ                    圖Ⅲ
① 圖I所示的晶體中與Ca²⁺離子最近且等距離的Ca²⁺離子數(shù)為            ，
圖III中未標號的Cu原子形成晶體后周圍最緊鄰的Cu原子數(shù)為              ；
②H₃BO₃晶體中B原子雜化方式______ ;
③三種晶體中熔點高低的順序為                  (填化學(xué)式)，H₃BO₃晶體受熱熔化時，克服的微粒之間的相互作用為
（4）碳的某種單質(zhì)的晶胞如圖所示，一個晶胞中有_____個碳原子；若該晶體的密度為ρ g/cm³，阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A，則晶體中最近的兩個碳原子之間的距離為_   ____cm(用代數(shù)式表示)

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

傳統(tǒng)中藥的砷劑俗稱“砒霜”，請回答下列問題：
（1）砷劑的分子結(jié)構(gòu)如圖所示。該化合物中As原子的雜化方式為______。

（2）基態(tài)砷原子的價層電子排布式為___________________，砷與硒的第一電離能較大的是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
（3）已知：

依據(jù)表中數(shù)據(jù)解釋NH₃熔點最高的原因____________________。
（4）砷酸（H₃AsO₄）是一種三元中強酸，根據(jù)價層電子對互斥理論推測AsO₄^3-的空間構(gòu)型為____________________。
（5）砷鎳合金的晶胞如圖所示，該晶體中與每個Ni原子距離最近的As原子有______個。

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科目：高中化學(xué) 來源： 題型：填空題

某金屬（A）在TK以下晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如左下圖所示，T K以上轉(zhuǎn)變?yōu)橛蚁聢D所示結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)單元，在兩種晶體中最鄰近的A原子間距離相同

（1）在T K以下的純A晶體中，與A原子等距離且最近的A原子數(shù)為______個；在T K以上的純A晶體中，與A原子等距離且最近的A原子數(shù)為___________；
（2）純A晶體在晶型轉(zhuǎn)變前后，二者基本結(jié)構(gòu)單元的邊長之比為（TK以上與TK以下之比）___________。
（3）左上圖的的堆積方式為，經(jīng)測定其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)參數(shù)如下表所示