Question

（本題10分）

元素的單質(zhì)及其化合物有著廣泛的用途。請根據(jù)元素周期表中第三周期元素相關(guān)知識回答下列問題。

完成下列填空：

23．按原子序數(shù)遞增的順序（稀有氣體除外），以下說法正確的是 。

A．原子半徑和簡單離子半徑均減小

B．金屬性減弱，非金屬性增強

C．氧化物對應(yīng)的水化物堿性減弱，酸性增強

D．單質(zhì)的熔點降低

24．原子最外層電子數(shù)與次外層中p亞層電子數(shù)相同的元素名稱是__________，磷元素原子最外層電子排布的軌道表示式是________________________________。

25．已知：

化合物	MgO	Al2O3	MgCl2	AlCl3
類型	離子化合物	離子化合物	離子化合物	共價化合物
熔點/℃	2800	2050	714	191

工業(yè)制鎂時，電解MgCl2而不電解MgO的原因是_______________________________；

制鋁時，電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是___________________________________。

26．晶體硅（熔點1410℃）是良好的半導(dǎo)體材料。由粗硅制純硅過程如下：

在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中，測得每生成1.12 kg純硅需吸收a kJ熱量，寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：___________________________________。

27．KClO3可用于實驗室制O2，若不加催化劑，400℃時分解只生成兩種鹽，其中一種是無氧酸鹽，另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為1∶1。寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式： _______________

Answer 1

（共10分）23．B; 24．硫 （2分）

25．MgO熔點高，熔融時耗能大，增加生產(chǎn)成本 AlCl3是共價化合物，熔融時難導(dǎo)電

26．SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g) ΔH=+0.025a kJ/mol（2分）

27．4KClO3KCl+3KClO4（2分）

【解析】

試題分析：23.A.在同一周期的元素中，隨原子序數(shù)遞增，原子半徑逐漸減小，而元素的原子形成的簡單離子，由于金屬陽離子具有上一周期的惰性氣體原子的結(jié)構(gòu)，非金屬陰離子具有同一周期的惰性氣體的原子結(jié)構(gòu)。對于電子層結(jié)構(gòu)相同的離子來說，核電荷數(shù)越大，離子半徑就越小。對于電子層結(jié)構(gòu)不同的離子來說，離子核外電子層數(shù)越多，離子半徑就越大。錯誤；B．同一周期的元素，原子半徑逐漸減小，原子失去電子的能力逐漸減弱，獲得電子的能力逐漸增強，因此元素的金屬性減弱，非金屬性增強，正確；C．元素的金屬性越強，其最高價氧化物對應(yīng)的水化物的堿性就越強；元素的非金屬性越強，其最高價氧化物對應(yīng)的水化物的酸性就越強，氧化物可能有多種價態(tài)，故不能說氧化物對應(yīng)的水化物堿性減弱，酸性增強，錯誤；D．同一周期的元素形成的單質(zhì)的晶體類型有金屬晶體、原子晶體、分子晶體，熔化時斷裂的作用力性質(zhì)不同，因此不能比較單質(zhì)的熔點的變化規(guī)律，錯誤；

24.在第三周期的元素中，原子最外層電子數(shù)與次外層中p亞層電子數(shù)相同的元素名稱是硫，15號元素磷元素原子最外層電子數(shù)是5個，最外層電子的排布的軌道表示式是；

25．MgO、MgCl2都是離子晶體，熔化時斷裂的是離子鍵。工業(yè)制鎂時，電解MgCl2而不電解MgO的原因是由于­­­­­­­­MgO離子鍵強，斷裂離子鍵消耗的能量大，物質(zhì)的熔點高，熔融時耗能大，增加生產(chǎn)成本；制鋁時，電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是AlCl3是共價化合物，熔融時破壞的是分子間作用力，難導(dǎo)電；

26．n(Si)=1120g÷28g/mol=40mol，吸收能量是a kJ，則產(chǎn)生1mol的晶體硅吸收的能量是a/40KJ=0.025a kJ

/mol，故該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是：SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g) ΔH=+0.025a kJ/mol；

27． KClO3可用于實驗室制O2，若不加催化劑，400℃時分解只生成兩種鹽，其中一種是無氧酸鹽，另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為1∶1。則根據(jù)題意可得該反應(yīng)的化學(xué)方程式是：4KClO3KCl+3KClO4。

考點：考查元素周期表、元素周期律的應(yīng)用、原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì)和位置的關(guān)系、原子核外電子排布的軌道表達式的書寫、物質(zhì)電解原料的選擇及原因、化學(xué)方程式和熱化學(xué)方程式的書寫。