下列關(guān)于SiO₂和CO₂的敘述中不正確的是(　　)。

A．都是共價(jià)化合物

B．SiO2可用于制光導(dǎo)纖維，干冰可用于人工降雨

C．都能溶于水且與水反應(yīng)生成相應(yīng)的酸

D．都是酸性氧化物，都能與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)

壽山石主要成分為葉蠟石，葉蠟石組成為Al₂O₃·4SiO₂·H₂O，下列觀點(diǎn)不正確的是(　　)。

A．壽山石雕刻作品要避免與酸、堿接觸

B．壽山石顏色豐富多彩是因?yàn)楹�有不同形態(tài)的金屬氧化物

C．潮濕的空氣可能導(dǎo)致壽山石作品表面溶解變質(zhì)

D．置于干燥空氣中可能會(huì)導(dǎo)致壽山石作品脫水變質(zhì)

青石棉(crocidolite)是世界衛(wèi)生組織確認(rèn)的一種致癌物質(zhì)，是《鹿特丹公約》中受限制的46種化學(xué)品之一，青石棉的化學(xué)式為Na₂Fe₅Si₈O₂₂(OH)₂，青石棉用稀硝酸處理時(shí)，還原產(chǎn)物只有NO，下列說(shuō)法中正確的是(　　)。

A．青石棉是一種易燃品，且易溶于水

B．青石棉的化學(xué)組成用氧化物的形式可表示為：Na2O·3FeO·Fe2O3·8SiO2·H2O

C．1 mol Na2Fe5Si8O22(OH)2與足量的硝酸作用，至少需消耗8.5 L 2 mol·L－1 HNO3溶液

D．1 mol Na2Fe5Si8O22(OH)2與足量氫氟酸作用，至少需消耗7 L 2 mol·L－1 HF溶液

如何除去下列各粉末狀混合物中的雜質(zhì)(括號(hào)內(nèi)為雜質(zhì))，請(qǐng)選用下面提供的試劑和操作，將標(biāo)號(hào)填在表內(nèi)。
供選試劑：A鹽酸；B燒堿溶液；C氧氣；D水；ECO₂；F不用其他試劑
供選操作：①加熱；②加熱熔融；③過(guò)濾；④結(jié)晶

含雜質(zhì)的物質(zhì)	所加試劑	主要操作
(1)SiO2(NaHCO3)
(2)SiO2(CaCO3)
(3)SiO2(Si)
(4)NaCl(SiO2)

 

已知A、B、C、D、E、F、G、H可以發(fā)生如下圖所示的轉(zhuǎn)化，反應(yīng)中部分生成物已略去。其中，A、G為同一主族元素的單質(zhì)，B、C、H在通常情況下為氣體，化合物C是一種形成酸雨的大氣污染物。

請(qǐng)?zhí)羁眨?br />(1)寫出E的兩種用途           、           。
(2)反應(yīng)②的離子方程式為                               。
(3)反應(yīng)③的化學(xué)方程式是                               。
(4)反應(yīng)④的離子方程式是                               。
(5)寫出一個(gè)由A生成H的置換反應(yīng)方程式：                               。

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用過(guò)量的碳還原二氧化硅制得粗硅，同時(shí)得到一種可燃性氣體；
②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl₃(Si＋3HClSiHCl₃＋H₂)；
③SiHCl₃與過(guò)量的H₂在1 100～1 200 ℃的溫度下反應(yīng)制得純硅，已知SiHCl₃能與水劇烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。
請(qǐng)回答：
(1)第一步制取粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                        。
(2)粗硅與HCl氣體反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量SiCl₄(沸點(diǎn)57.6 ℃)和HCl(沸點(diǎn)－84.7 ℃)，提純SiHCl₃采用的方法為                      。
(3)實(shí)驗(yàn)室用SiHCl₃與過(guò)量的H₂反應(yīng)制取純硅裝置如圖所示(加熱和夾持裝置略去)：

①裝置B中的試劑是      ，裝置C中的燒杯需要加熱，目的是                    。
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是                               ，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是                              ，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是                               。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及                               。

某�；瘜W(xué)研究性學(xué)習(xí)小組，在學(xué)習(xí)金屬的冶煉以后對(duì)一氧化碳還原金屬氧化物的實(shí)驗(yàn)非常感興趣，他們查閱有關(guān)資料后發(fā)現(xiàn)，一氧化碳的制備可利用甲酸和濃硫酸共熱到60～80 ℃發(fā)生脫水反應(yīng)制取：
HCOOHCO↑＋H₂O
請(qǐng)根據(jù)以下各圖幫他們組裝成一套相對(duì)合理的實(shí)驗(yàn)裝置圖(某些裝置可重復(fù)使用)。

回答以下問(wèn)題：
(1)合理實(shí)驗(yàn)裝置的連接順序是(寫小寫字母)       。
(2)在反應(yīng)時(shí)一定要先通一會(huì)一氧化碳?xì)怏w，然后再點(diǎn)燃加熱氧化鐵的酒精燈，原因是       。

A．因?yàn)橐话惴磻?yīng)從左到右進(jìn)行

B．排除體系內(nèi)的空氣，使反應(yīng)過(guò)程更安全

C．甲酸與濃硫酸反應(yīng)可以產(chǎn)生大量的CO

D．此反應(yīng)加熱時(shí)間長(zhǎng)有利于產(chǎn)生CO

(3)請(qǐng)說(shuō)出你所選擇的第一個(gè)NaOH洗氣瓶的作用是                                  。
(4)在觀察到硬質(zhì)玻璃管中的物質(zhì)由       色完全變?yōu)?u>       色時(shí)停止加熱，然后繼續(xù)           ，原因是防止鐵被氧化。
(5)硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為                           。
(6)該實(shí)驗(yàn)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是把實(shí)驗(yàn)過(guò)程中的尾氣利用排水法收集起來(lái)，收集的氣體前后有幾瓶，分別按收集的先后順序編號(hào)，點(diǎn)燃各個(gè)瓶中的氣體，中間編號(hào)的集氣瓶中氣體           ，編號(hào)最先和最后的集氣瓶中氣體       ，原因是                    。

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用炭在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì))，粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息：①四氯化硅遇水極易水解；②SiCl₄沸點(diǎn)為57.7℃，熔點(diǎn)為－70.0℃。請(qǐng)回答：
（1）寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式                                          。
（2）裝置C中的試劑是             ；裝置F的作用是                            ；
裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是                                            。
（3）裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中含有鐵元素，為了分析殘留物中鐵元素的含量，先將殘留物預(yù)處理，使鐵元素還原成Fe^2＋,再用KMnO₄標(biāo)準(zhǔn)溶液在酸性條件下進(jìn)行氧化還原滴定。
①反應(yīng)的離子方程式：                                                       。
②滴定前是否要滴加指示劑？    （填“是”或“否”），請(qǐng)說(shuō)明理由                  。
③滴定前檢驗(yàn)Fe^3＋是否被完全還原的實(shí)驗(yàn)操作是                                 。

下列化學(xué)物質(zhì)在實(shí)際生產(chǎn)生活和科技等方面的應(yīng)用不正確的是

A．測(cè)定NaOH熔點(diǎn)時(shí)，可以將NaOH放入石英坩堝中高溫加熱

B．石英砂可以用于制取高純度的硅，硅是將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的常用材料

C．因?yàn)榘币滓夯�，液氨在氣化時(shí)會(huì)吸收大量的熱量，所以液氨可作制冷劑

D．硫酸和硝酸都是重要的工業(yè)原料，工業(yè)上可用于制化肥、農(nóng)藥和炸藥

(15分)高純晶體硅是信息技術(shù)的關(guān)鍵材料。
（1）硅元素位于周期表的______周期______族。下面有關(guān)硅材料的說(shuō)法中正確的是__________(填字母)。

A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承

C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料———光導(dǎo)纖維

D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，故在玻璃尖口點(diǎn)燃H2時(shí)出現(xiàn)黃色火焰

E．鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
（2）工業(yè)上用石英砂和焦炭可制得粗硅。
已知：

請(qǐng)將以下反應(yīng)的熱化學(xué)方程式補(bǔ)充完整：
SiO₂(s) + 2C(s) ="==" Si(s) + 2CO(g)   △H = ________
（3）粗硅經(jīng)系列反應(yīng)可生成硅烷(SiH₄)，硅烷分解生成高純硅。已知硅烷的分解溫度遠(yuǎn)低于甲烷，用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因：_________，Si元素的非金屬性弱于C元素，硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷。
（4）將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅(SiHCl₃)，進(jìn)一步反應(yīng)也可制得高純硅。
①SiHCl₃中含有的SiCl₄、AsCl₃等雜質(zhì)對(duì)晶體硅的質(zhì)量有影響。根據(jù)下表數(shù)據(jù)，可用________ 方法提純SiHCl₃。

物質(zhì)	SiHCl3	SiCl4	AsCl3
沸點(diǎn)/℃	32.0	57.5	131.6

②用SiHCl₃制備高純硅的反應(yīng)為SiHCl₃(g) +H₂(g) Si(s) + 3HCl(g)， 不同溫度下，SiHCl₃的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比(反應(yīng)初始時(shí)，各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比)的變化關(guān)系如右圖所示。下列說(shuō)法正確的是________(填字母序號(hào))。

a．該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
b．橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是
c．實(shí)際生產(chǎn)中為提高SiHCl₃的利用率，應(yīng)適當(dāng)升高溫度
③整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式：____________________。