科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.晶格能是氣態(tài)離子形成1摩離子晶體釋放的能量 |
B.晶格能通常取正值,但是有時(shí)也取負(fù)值 |
C.晶格能越大,形成的離子晶體越不穩(wěn)定 |
D.晶格能越大,物質(zhì)的硬度反而越小 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.簡(jiǎn)單立方堆積、配位數(shù)6、空間利用率68% |
B.體心立方堆積、配位數(shù)6、空間利用率68% |
C.六方最密堆積、配位數(shù)8、空間利用率74% |
D.面心立方最密堆積、配位數(shù)12、空間利用率74% |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.C3N4晶體是分子晶體 |
B.C3N4晶體中,C-N鍵的鍵長(zhǎng)比金剛石中的C-C鍵的鍵長(zhǎng)要長(zhǎng) |
C.C3N4晶體中每個(gè)C原子連接4個(gè)N原子,而每個(gè)N原子連接3個(gè)C原子 |
D.C3N4晶體中微粒間通過離子鍵結(jié)合 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.1個(gè)Ca2+周圍距離最近且等距離的C22-數(shù)目為6 |
B.該晶體中的陰離子與F2是等電子體 |
C.6.4克CaC2晶體中含陰離子0.1mol |
D.與每個(gè)Ca2+距離相等且最近的Ca2+共有12個(gè) |
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科目: 來源:不詳 題型:填空題
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科目: 來源:不詳 題型:填空題
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科目: 來源:不詳 題型:填空題
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科目: 來源:不詳 題型:填空題
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.C60氣化和I2升華克服的作用力相同 |
B.分子晶體在水溶液中一定導(dǎo)電 |
C.氯化鈉和氯化氫溶于水時(shí),破壞的化學(xué)鍵都是離子鍵 |
D.用作高溫結(jié)構(gòu)陶瓷材料的Si3N4固體是分子晶體 |
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科目: 來源:不詳 題型:單選題
A.與每個(gè)Ba2+距離相等且最近的Ba2+共有6個(gè) |
B.晶體中Ba2+的配位數(shù)為8 |
C.晶體的化學(xué)式為Ba2O2 |
D.該氧化物是含有非極性鍵的離子化合物 |
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