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科目: 來源:不詳 題型:單選題

已知Zn2+的4s軌道和4p軌道可以形成sp3型雜化軌道,那么[ZnCl4]2的空間構(gòu)型為(       )
A.直線型B.平面正方形C.正四面體型D.正八面體型

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科目: 來源:不詳 題型:單選題

下列表示物質(zhì)結(jié)構(gòu)的化學(xué)用語或模型圖正確的是(   )
A.氯化銨(NH4Cl)的電子式:
B.H2O2的電子式:
C.HClO的結(jié)構(gòu)式:H-O-Cl
D.14C的原子結(jié)構(gòu)示意圖:

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

均由兩種短周期元素組成的A、B、C、D化合物分子,都含有18個(gè)電子,它們分子中所含原子的數(shù)目依次為2、3、4、6。A和C分子中的原子個(gè)數(shù)比為1∶1,B和D分子中的原子個(gè)數(shù)比為1∶2。D可作為火箭推進(jìn)劑的燃料。
請(qǐng)回答下列問題:
(1)A、B、C、D分子中相對(duì)原子質(zhì)量較大的四種元素第一電離能由大到小排列的順序?yàn)?br />(用元素符號(hào)回答)。
(2)A與HF相比,其熔、沸點(diǎn)較低,原因是                             。
(3)B分子的空間構(gòu)型為          形,該分子屬于          分子(填“極性”或“非極性”) 。
(4)C為一種綠色氧化劑,有廣泛應(yīng)用。請(qǐng)寫出Cu、稀H2SO4與C反應(yīng)制備硫酸銅的離子方程式                                      ,該反應(yīng)中反應(yīng)物Cu的基態(tài)原子電子排布式為                       。銅晶體中銅原子的堆積方式為面心立方堆積,下圖是銅晶體一個(gè)晶胞的示意圖,則晶胞中含        個(gè)銅原子。

(5)D分子中心原子的雜化方式是            ,由該原子組成的單質(zhì)分子中包含
      個(gè)π鍵,與該單質(zhì)分子互為等電子體的常見分子的分子式為           

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

A、B、C、D、E、F、G七種元素,它們的原子序數(shù)依次增大,除G外均為前20號(hào)元素。A原子基態(tài)時(shí)p能級(jí)原子軌道上電子數(shù)等于次外能層電子數(shù),C元素的原子基態(tài)時(shí)s能級(jí)與p能級(jí)上的電子數(shù)相等,C、D處于相同的能級(jí),且D是同期中電負(fù)性最大的元素,E原子的第一至第四電離能(kJ·mol-1)分別為:578、1817、2745、11575,F(xiàn)元素原子中4s能級(jí)有2個(gè)電子。G元素的離子形成的硫酸鹽結(jié)晶水合物呈藍(lán)色。
(1)B形成的單質(zhì)中σ鍵和Π鍵的個(gè)數(shù)比為        ,上述元素形成的化合物中和B的單質(zhì)是等電子體的是__________(填化學(xué)式)
(2)G元素的基態(tài)原子的電子排布式為           
(3)常溫下,E單質(zhì)投入到B的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的濃溶液中的現(xiàn)象是    
(4)D、F組成的晶體FD2結(jié)構(gòu)如圖Ⅰ所示,G形成晶體的結(jié)構(gòu)如Ⅲ所示,Ⅱ?yàn)镠3BO3(硼酸)晶體結(jié)構(gòu)圖(層狀結(jié)構(gòu),層內(nèi)的H3BO3分子通過氫鍵結(jié)合)。

圖Ⅰ                    圖Ⅱ                  圖Ⅲ
①圖Ⅰ所示的FD2晶體中與F離子最近且等距離的F離子數(shù)為            ,圖Ⅲ中未標(biāo)號(hào)的G原子形成晶體后周圍最緊鄰的G原子數(shù)為                   ;
②圖Ⅱ所示的物質(zhì)結(jié)構(gòu)中最外能層已達(dá)8電子結(jié)構(gòu)的原子是         (寫元素符號(hào)),H3BO3晶體中B原子個(gè)數(shù)與極性鍵個(gè)數(shù)比為            ;
③三種晶體中熔點(diǎn)高低的順序?yàn)?u>                       (填化學(xué)式),H3BO3晶體受熱熔化時(shí),克服的微粒之間的相互作用為                          。

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

元素X 位于第四周期,其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子,且最外層電子數(shù)為2。元素Y基態(tài)原子的3p 軌道上有4個(gè)電子。元素Z 的原子最外層電子數(shù)是其內(nèi)層的3倍。
(1)X與Y所形成化合物晶體的晶胞如圖所示。

①在1個(gè)晶胞中,X離子的數(shù)目為     
②該化合物的化學(xué)式為         。若其晶胞邊長(zhǎng)為540.0pm,則密度為                       ,X與最近的Y之間的距離為                 
(2)在Y的氫化物(H2Y)分子中,Y原子軌道的雜化類型是       。
(3)Y 與Z 可形成YZ42
①YZ42的空間構(gòu)型為          (用文字描述)。
②寫出一種與YZ42互為等電子體的分子的化學(xué)式:         。
(4)X的氯化物與氨水反應(yīng)可形成配合物[X(NH3)4]Cl2,1mol該配合物中含有σ鍵的數(shù)目為   

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

[化學(xué)—物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
(1)依據(jù)第2周期元素第一電離能的變化規(guī)律,參照下圖B、F元素的位置,用小黑點(diǎn)標(biāo)出C、N、O三種元素的相對(duì)位置。

(2)NF3可由NH3和F2在Cu催化劑存在下反應(yīng)直接得到:4NH3+3F2NF3+3NH4F
①上述化學(xué)方程式中的5種物質(zhì)所屬的晶體類型有_________(填序號(hào))。
a.離子晶體 b.分子晶體 c.原子晶體 d.金屬晶體
②基態(tài)銅原子的核外電子排布式為________。
(3)BF3與一定量水形成(H2O)2·BF3晶體Q,Q在一定條件下可轉(zhuǎn)化為R:

①晶體Q中各種微粒間的作用力不涉及___________(填序號(hào))。
a.離子鍵  b.共價(jià)鍵  c.配位鍵 d.金屬鍵 e.氫鍵 f.范德華力
②R中陽離子的空間構(gòu)型為_______,陰離子的中心原子軌道采用_______雜化。
(4)已知苯酚()具有弱酸性,其Ka=1.1 ×10-10;水楊酸第一級(jí)電離形成的離子能形成分子內(nèi)氫鍵。據(jù)此判斷,相同溫度下電離平衡常數(shù)Ka2(水楊酸)_______Ka(苯酚)(填“>”或“<”),其原因是__________。

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

“物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)”模塊(10分)
請(qǐng)回答下列問題:
(1)N、AI、Si、Zn四種元素中,有一種元素的電離能數(shù)據(jù)如下:

(2)則該元素是_____(填寫元素符號(hào))。Zn原子的電子排布式是____。Ce的最高價(jià)氯化物分子式是_ _____。該元素可能的性質(zhì)或應(yīng)用有_____。
A.是一種活潑的金屬元素
B.其電負(fù)性大于硫
C.其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料
D.其最高價(jià)氯化物的沸點(diǎn)低于其溴化物的沸點(diǎn)
關(guān)于化合物   ,下列敘述正確的有      ⑤    。
A.分子間可形成氫鍵
B.分子中既有極性鍵又有非極性鍵
C.分子中有7個(gè)鍵和1個(gè)
D.該分子在水中的溶解度大于2-丁烯
(4)NaF的熔點(diǎn)   ⑥   的熔點(diǎn)(填>、<或=),其原因是    ⑦

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

根據(jù)所學(xué)知識(shí),回答以下問題:
(1)Ni(CO)4是無色液體,沸點(diǎn)42.1℃,熔點(diǎn)-19.3℃,難溶于水,易溶于有機(jī)溶劑推測(cè)Ni(CO)4是____________分子(填“極性”或“非極性”)。
(2)肼(N2H4)分子可視為NH3分子中的一個(gè)氫原子被-NH2(氨基)取代形成的另一種氮的氫化物。
①N2H4的結(jié)構(gòu)式為          ;NH4+的空間構(gòu)型是          
②肼可用作火箭燃料,燃燒時(shí)發(fā)生的反應(yīng)是:N2O4(l)+2N2H4(l)===3N2(g)+4H2O(g) △H=-1038.7 kJ·mol-1若該反應(yīng)中有259.7kJ能量釋放時(shí),則形成的π鍵有______mol。
(3)硼砂是含結(jié)晶水的四硼酸鈉,其陰離子Xm(含B、O、H三種元素)的球棍模型如圖所示:則Xm的化學(xué)式為            ,硼原子軌道的雜化類型有          雜化,原子3的軌道雜化類型為     雜化,Na+與Xm之間的作用力是      。

(4)BN晶體,具有熔沸點(diǎn)高,耐磨擦和較高的硬度等性質(zhì)。則BN的晶體類型是          ,N的價(jià)層電子的電子排布圖為            。

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

已知:A、B、C、D四種短周期元素,其化合價(jià)最高正價(jià)數(shù)依次為1、4、5、7,已知B原子的核外次外層電子數(shù)為2。A、C原子的核外次外層電子數(shù)為8。D元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物是已知含氧酸中酸性最強(qiáng)的酸。試回答下列有關(guān)的問題:
(1)寫出C元素原子的價(jià)電子軌道表達(dá)式       ;D元素的價(jià)電子排布式        。
(2)已知B元素與氫元素形成的氣態(tài)化合物在標(biāo)準(zhǔn)狀況下的密度為1.161g·L-1,則在該化合物的分子中B原子的雜化方式為          。
(3)已知C、D兩種元素形成的化合物通常有CD3、CD5兩種。這兩種化合物中一種為非極性分子,一種為極性分子,則屬于極性分子的化合物的化學(xué)式是          。
(4)由B元素形成具有正四面體結(jié)構(gòu)的晶體和由C元素形成具有正四面體結(jié)構(gòu)的晶體相比,熔點(diǎn)較高的晶體是        (填寫晶體的名稱)。
(5)由A、D兩元素形成的化合物組成的晶體中,陰、陽離子都具有或近似具有球型對(duì)稱結(jié)構(gòu),它們都可以看作剛性圓球,并彼此“相切”。如下圖所示為A、D形成化合物的晶胞結(jié)構(gòu)圖以及晶胞的剖面圖:

a=5.6×10-8cm,則該晶體的密度為              g·cm-3(精確到小數(shù)點(diǎn)后1位)。

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科目: 來源:不詳 題型:填空題

下表是Na、Mg、Si、S、Br五種元素的單質(zhì)的沸點(diǎn),其中b、e均是熱和電的良導(dǎo)體。
單質(zhì)
a
b
c
d
e
沸點(diǎn)(℃)
58.8
882.9
444.7
2 355
1 107
(1) a的元素在元素周期表中的位置為________。
(2) 寫出d的元素原子的電子式________;其最高價(jià)氧化物形成的晶體為________晶體(填類型),溶于強(qiáng)堿的離子方程式為________________________________________。
(3) c與氫形成的分子X的空間構(gòu)型為________;寫出X的水溶液與足量b元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物反應(yīng)的離子方程式___________________________________。
(4) 上述元素所能形成的簡(jiǎn)單離子中半徑最小的是________(填離子符號(hào)),最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物酸性最強(qiáng)的是________(填分子式),e元素與N元素形成化合物的電子式為____________________________。
(5) b元素與氯元素形成的化合物Y的晶體中,1個(gè)晶胞內(nèi)含有的基本微粒及個(gè)數(shù)是________。

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