砷(As)在地殼中含量不大,但砷的化合物卻是豐富多彩。

(1)基態(tài)砷原子的電子排布式為　　　　;砷與溴的第一電離能較大的是　　　　。 

(2)AsH3是無色稍有大蒜味的氣體。AsH3的沸點(diǎn)高于PH3,其主要原因是　。 

(3)Na3AsO4可作殺蟲劑。As的空間構(gòu)型為　　　　,與其互為等電子體的一種分子為　　　　。 

(4)某砷的氧化物俗稱“砒霜”,其分子結(jié)構(gòu)如圖所示。該化合物的化學(xué)式為　　　　,As原子采取　　　　雜化。 

(5)GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似。GaAs晶體中,每個As與　　　　個Ga相連,As與Ga之間存在的化學(xué)鍵有　　　　(填字母)。 

A.離子鍵　B.σ鍵　C.π鍵　D.氫鍵　E.配位鍵　F.金屬鍵　G.極性鍵

A、B、C、D、E、F為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大,其中A含有3個能級,且每個能級所含的電子數(shù)相同;C的最外層有6個運(yùn)動狀態(tài)不同的電子;D是短周期元素中電負(fù)性最小的元素;E的最高價氧化物的水化物酸性最強(qiáng);F除最外層原子軌道處于半充滿狀態(tài),其余能層均充滿電子。G元素與D元素同主族,且相差3個周期。

(1)元素A、B、C的第一電離能由小到大的是　　　　(用元素符號表示)。 

(2)E的最高價含氧酸中E的雜化方式為　　　　。 

(3)F原子的外圍電子排布式為　　　　。 

(4)DE,GE兩種晶體,都屬于離子晶體,但配位數(shù)不同,其原因是　。 

(5)已知DE晶體的晶胞如圖所示,若將DE晶胞中的所有E離子去掉,并將D離子全部換為A原子,再在其中的4個“小立方體”中心各放置一個A原子,且這4個“小立方體”不相鄰。位于“小立方體”中的A原子與最近的4個A原子以單鍵相連,由此表示A的一種晶體的晶胞(已知A—A鍵的鍵長為a cm,NA表示阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值),則該晶胞中含有　　　　個A原子,該晶體的密度是　　　　g·cm-3(列式表示)。 

MnO2是堿錳電池材料中最普通的正極材料之一,在活性材料MnO2中加入CoTiO3納米粉體,可以提高其利用率,優(yōu)化堿錳電池的性能。

(1)寫出基態(tài)Mn原子的核外電子排布式　。 

(2)CoTiO3晶體結(jié)構(gòu)模型如圖1所示。在CoTiO3晶體中1個Ti原子、1個Co原子,周圍距離最近的O原子數(shù)分別為　　　　個、　　　　個。 

(3)二氧化鈦(TiO2)是常用的、具有較高催化活性和穩(wěn)定性的光催化劑,常用于污水處理。O2在其催化作用下,可將CN-氧化成CNO-,進(jìn)而得到N2。與CNO-互為等電子體的分子、離子化學(xué)式分別為　　　　、　　　　(各寫一種)。 

(4)三聚氰胺是一種含氮化合物,其結(jié)構(gòu)簡式如圖2所示。

三聚氰胺分子中氮原子軌道雜化類型是　　　　,1 mol三聚氰胺分子中σ鍵的數(shù)目為　　　　。 

ⅤA族的氮、磷、砷(As)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài),含ⅤA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題:

(1)白磷單質(zhì)中的P原子采用的軌道雜化方式是　　　　。 

(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?/span>　　　　。 

(3)As原子序數(shù)為　　　　,其核外M層和N層電子的排布式為　　　　。 

(4)NH3的沸點(diǎn)比PH3　　　　(填“高”或“低”),原因是　。 

P的立體構(gòu)型為　　　　。 

(5)H3PO4的K1、K2、K3分別為7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13。硝酸完全電離,而亞硝酸K=5.1×10-4,請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋:

①H3PO4的K1遠(yuǎn)大于K2的原因　; 

②硝酸比亞硝酸酸性強(qiáng)的原因　。 

(6)NiO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體類似,其晶胞的棱長為a cm,則該晶體中距離最近的兩個陽離子核間的距離為　　　　cm(用含有a的代數(shù)式表示)。在一定溫度下NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”(如下頁圖),可以認(rèn)為氧離子作密致單層排列,鎳離子填充其中,列式并計算每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為　　　　g(氧離子的半徑為1.40×10-10 m)。