相關(guān)習(xí)題
 0  144374  144382  144388  144392  144398  144400  144404  144410  144412  144418  144424  144428  144430  144434  144440  144442  144448  144452  144454  144458  144460  144464  144466  144468  144469  144470  144472  144473  144474  144476  144478  144482  144484  144488  144490  144494  144500  144502  144508  144512  144514  144518  144524  144530  144532  144538  144542  144544  144550  144554  144560  144568  203614 

科目: 來(lái)源: 題型:


將足量CO2氣體通入水玻璃(Na2SiO3溶液)中,然后加熱蒸干,再在高溫下充分灼燒,最后得到的固體物質(zhì)是(  )

A.Na2SiO3  B.Na2CO3、Na2SiO3

C.Na2CO3、SiO2  D.SiO2

查看答案和解析>>

科目: 來(lái)源: 題型:


下列離子方程式不正確的是(  )

A.石英與燒堿反應(yīng):SiO2+2OH-===SiO+H2O

B.硅與燒堿反應(yīng):Si+2OH-===SiO+H2↑

C.硅酸鈉溶液中通入少量CO2:SiO+CO2+H2O===CO+H2SiO3↓

D.往水玻璃中加入鹽酸:2H++SiO===H2SiO3↓

查看答案和解析>>

科目: 來(lái)源: 題型:


下列敘述正確的是(  )

A.高溫下二氧化硅與碳酸鈉反應(yīng)放出二氧化碳,說(shuō)明硅酸(H2SiO3)的酸性比碳酸強(qiáng)

B.陶瓷、玻璃、水泥容器都能貯存氫氟酸

C.石灰抹墻、水泥砌墻的硬化過(guò)程原理相同

D.玻璃窯中出來(lái)的氣體的主要成分是二氧化碳

查看答案和解析>>

科目: 來(lái)源: 題型:


常溫下,下列不發(fā)生反應(yīng)的一組物質(zhì)是(  )

①硅與NaOH溶液、诠枧c鹽酸、酃枧c氫氟酸 ④二氧化硅與碳酸鈉、荻趸枧cNaOH溶液、薅趸枧c濃硝酸

A.①②④  B.③④⑥

C.②⑤⑥  D.②④⑥

      

查看答案和解析>>

科目: 來(lái)源: 題型:


下列敘述正確的是(  )

A.利用高純硅可以制成光電池,將光能直接轉(zhuǎn)化為電能

B.CO、CO2均易與血紅蛋白結(jié)合而中毒

C.在SiO2制備高純硅的過(guò)程中只涉及置換反應(yīng)

D.SiO2和H2O反應(yīng)可直接制備H2SiO3

查看答案和解析>>

科目: 來(lái)源: 題型:


下列說(shuō)法中,不正確的是(  )

A.SiO2是酸性氧化物,但不與水反應(yīng)

B.泡花堿屬于鹽類

C.明礬和漂白粉均可用于自來(lái)水的殺菌、消毒

D.玻璃和陶瓷都屬于傳統(tǒng)硅酸鹽材料

查看答案和解析>>

科目: 來(lái)源: 題型:


下列關(guān)于C、Si兩種非金屬元素的說(shuō)法中,正確的是(  )

A.兩者結(jié)合形成的化合物是共價(jià)化合物

B.在自然界中都能以游離態(tài)存在

C.氫化物的熱穩(wěn)定性比較:CH4<SiH4

D.最高價(jià)氧化物都能與水反應(yīng)生成相應(yīng)的酸

查看答案和解析>>

科目: 來(lái)源: 題型:


單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì)),粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450~500 ℃),四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下:

a.四氯化硅遇水極易水解;

b.硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物;

c.有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:

物質(zhì)

SiCl4

BCl3

AlCl3

FeCl3

PCl5

沸點(diǎn)/℃

57.7

12.8

315

熔點(diǎn)/℃

-70.0

-107.2

升華溫度/℃

180

300

162

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:________________________________________________________________________。

(2)裝置A中g(shù)管的作用是____________;裝置C中的試劑是__________;裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是_______________________________。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅,精餾后的殘留物中,除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是______________________(填寫元素符號(hào))。

查看答案和解析>>

科目: 來(lái)源: 題型:


晶體硅(熔點(diǎn)1 410 ℃)是良好的半導(dǎo)體材料。由粗硅制純硅過(guò)程如下:

Si(粗)SiCl4SiCl4(純)Si(純)

寫出SiCl4的電子式:______________;在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中,測(cè)得每生成1.12 kg純硅需吸收a kJ熱量,寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:________________________________________________________________________。

查看答案和解析>>

科目: 來(lái)源: 題型:


 “碳捕捉技術(shù)”是指通過(guò)一定的方法將工業(yè)生產(chǎn)中產(chǎn)生的CO2分離出來(lái)并利用。如可利用NaOH溶液來(lái)“捕捉”CO2,其基本過(guò)程如下圖所示(部分條件及物質(zhì)未標(biāo)出)。

下列有關(guān)該方法的敘述中正確的是(  )

①能耗大是該方法的一大缺點(diǎn)

②整個(gè)過(guò)程中,只有一種物質(zhì)可以循環(huán)利用

③“反應(yīng)分離”環(huán)節(jié)中,分離物質(zhì)的基本操作是蒸發(fā)結(jié)晶、過(guò)濾

④該方法可減少碳排放,捕捉到的CO2還可用來(lái)制備甲醇等產(chǎn)品

A.①②  B.②③  C.③④  D.①④

查看答案和解析>>

同步練習(xí)冊(cè)答案