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科目: 來(lái)源: 題型:

下列有機(jī)物中,一氯取代物有2種的是( 。
 ②

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科目: 來(lái)源: 題型:

可逆反應(yīng)2NO2(g)?2NO(g)+O2(g),在體積不變的密閉容器中反應(yīng),達(dá)到平衡狀態(tài)的標(biāo)志是(  )
①單位時(shí)間內(nèi)生成n molO2的同時(shí)生成2n mol NO2
②單位時(shí)間內(nèi)生成n molO2的同時(shí)生成2n mol NO
③NO2、NO、O2的物質(zhì)的量濃度比值為2:2:1
④混合氣體的顏色不再改變的狀態(tài)
⑤混合氣體的密度不再改變的狀態(tài)
⑥混合氣體的總壓強(qiáng)不再改變的狀態(tài).

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科目: 來(lái)源: 題型:

下列敘述中,不正確的是( 。

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科目: 來(lái)源: 題型:

可逆反應(yīng):3A(g)+B(g)?2C(g)+2D(g) 在不同條件下的反應(yīng)速率分別為:
(1)v(A)=0.6mol?L-1?min-1     
(2)v(B)=0.45mol?L-1?min-1
(3)v(C)=0.4mol?L-1?min-1     
(4)v(D)=0.48mol?L-1?min-1
此反應(yīng)在不同條件下進(jìn)行最快的是(  )

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科目: 來(lái)源: 題型:

下列反應(yīng)中,屬于取代反應(yīng)的是( 。

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科目: 來(lái)源: 題型:

下列說(shuō)法不正確的是( 。

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科目: 來(lái)源: 題型:

把A、B、C、D四塊金屬浸入稀硫酸溶液中,用導(dǎo)線兩兩相連組成原電池.若A、B相連時(shí),A為負(fù)極;C、D相連時(shí),D極產(chǎn)生大量氣泡; A、C相連時(shí),C極發(fā)生還原反應(yīng);B、D相連時(shí),電子由D經(jīng)導(dǎo)線流向B.據(jù)此,判斷四種金屬的活動(dòng)性順序由強(qiáng)到弱是(  )

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科目: 來(lái)源: 題型:

下列各組物質(zhì)中,互為同分異構(gòu)體是(  )

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科目: 來(lái)源: 題型:

第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導(dǎo)體材料,其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似.試回答:
(1)Ga的基態(tài)原子的價(jià)電子的軌道排布式為
1s22s22p63d104s24p1
1s22s22p63d104s24p1

(2)下列說(shuō)法正確的是
AC
AC
(選填序號(hào)).
A.砷和鎵都屬于p區(qū)元素   B.GaN、GaP、GaAs均為分子晶體
C.電負(fù)性:As>Ga        D.第一電離能Ga>As
(3)GaAs是由(CH33Ga和AsH3在一定條件下制得,同時(shí)得到另一物質(zhì),該物質(zhì)分子是
非極性分子
非極性分子
(填“極性分子”或“非極性分子”).(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
sp2
sp2

(4)如圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個(gè)原子,請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子.

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科目: 來(lái)源: 題型:

(2011?江蘇)原子序數(shù)小于36的X、Y、Z、W四種元素,其中X是形成化合物種最多的元素,Y原子基態(tài)時(shí)最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍,Z原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對(duì)的電子,W的原子序數(shù)為29.
回答下列問(wèn)題:
(1)Y2X2分子中Y原子軌道的雜化類型為
sp雜化
sp雜化
,1mol Y2X2含有σ鍵的數(shù)目為
3mol或3×6.02×1023個(gè)
3mol或3×6.02×1023個(gè)

(2)化合物ZX3的沸點(diǎn)比化合物YX4的高,其主要原因是
NH3分子存在氫鍵
NH3分子存在氫鍵

(3)元素Y的一種氧化物與元素Z的一種氧化物互為等電子體,元素Z的這種氧化物的分子式是
N2O
N2O

(4)元素W的一種氯化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該氯化物的化學(xué)式是
CuCl
CuCl
,它可與濃鹽酸發(fā)生非氧化還原反應(yīng),生成配合物H2WCl3,反應(yīng)的化學(xué)方程式為
CuCl+2HCl═H2CuCl3(或CuCl+2HCl═H2[CuCl3]
CuCl+2HCl═H2CuCl3(或CuCl+2HCl═H2[CuCl3]

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