鎳（Ni）可形成多種配合物，且各種配合物有廣泛的用途．

（1）配合物Ni（CO）₄常溫下為液態(tài)，易溶于CCl₄、苯等有機(jī)溶劑．固態(tài)Ni（CO）₄屬于晶體；基態(tài)Ni原子的電子排布式為；寫出兩種與配體CO互為等電子體微粒的化學(xué)式、．
（2）某鎳配合物結(jié)構(gòu)如圖1所示，分子內(nèi)含有的作用力有（填序號(hào)）．
A．氫鍵     B．離子鍵    C．共價(jià)鍵
D．金屬鍵   E．配位鍵
（3）很多不飽和有機(jī)物在Ni催化下可與H₂發(fā)生加成反應(yīng)，如①CH₂=CH₂、②HC≡CH、③、④HCHO等，其中碳原子采取sp²雜化的分子有（填序號(hào)）；HCHO分子的空間構(gòu)型為：．
（4）據(jù)報(bào)道，某種含有鎂、鎳和碳三種元素的晶體具有超導(dǎo)性，其結(jié)構(gòu)如圖2所示．則該晶體的化學(xué)式為．晶體中每個(gè)鎂原子周圍距離最近的鎳原子有個(gè)．

【化學(xué)--選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
三種常見元素結(jié)構(gòu)信息如下表，試根據(jù)信息回答有關(guān)問題：

元素	A	B	C
結(jié)構(gòu)信息	基態(tài)原子核外有兩個(gè)電子層，最外層有3個(gè)未成對(duì)的電子	基態(tài)原子的M層有1對(duì)成對(duì)的p電子	基態(tài)原子核外電子排布為[Ar]3d104sx，有+1、+2兩種常見化合價(jià)

（1）寫出B原子的基態(tài)電子排布式；
（2）用氫鍵表示式寫出A的氫化物溶液中存在的氫鍵（任寫一種）；A的氫化物分子結(jié)合一個(gè)H⁺形成陽離子后，其鍵角（填寫“變大”、“變小”、“不變”）；
（3）往C元素的硫酸鹽溶液中逐滴加入過量A元素的氫化物水溶液，可生成的配合物的化學(xué)式為，簡(jiǎn)要描述該配合物中化學(xué)鍵的成鍵情況；
（4）下列分子結(jié)構(gòu)圖中的“●”表示上述相關(guān)元素的原子中除去最外層電子的剩余部分，“○”表示氫原子，小黑點(diǎn)“?”表示沒有形成共價(jià)鍵的最外層電子，短線表示共價(jià)鍵．

在以上分子中，中心原子采用sp³雜化形成化學(xué)鍵是（填寫序號(hào)）；在②的分子中有個(gè)σ鍵和個(gè)π鍵．

[化學(xué)一選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
一水硫酸四氨合銅（Ⅱ）（化學(xué)式為[Cu（NH₃）₄SO₄?H₂O]是一種重要的染料及農(nóng)藥中間體．某學(xué)習(xí)小組以孔雀石（主要成分為Cu₂（OH）₂CO₃，含少量Fe₂O₃和SO₂雜質(zhì)）為原料制備該物質(zhì)的流程如下圖：

請(qǐng)回答：
（1）沉淀A的晶體中最小環(huán)上的原子個(gè)數(shù)為，氣體C分子中σ鍵和π鍵的個(gè)數(shù)比為．
2）溶液D的溶質(zhì)陰離子的空間構(gòu)型為，其中心原子的雜化軌道類型為．
3）MgO的熔點(diǎn)高于CuO的原因?yàn)?!--BA-->．
4）畫出一水硫酸四氨合銅（Ⅱ）中配離子（[Cu（NH₃）₄]²⁺）的配位鍵．
（5）濕法煉銅就是利用溶液D制得銅單質(zhì)，銅單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖甲所示，其晶胞如圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖丙所示．

①銅單質(zhì)晶體中原子的堆積方式為，晶胞中Cu原子的配位數(shù)為．
若Cu原子半徑為acm，則Cu單質(zhì)晶體的密度為g/cm³（只列出計(jì)算式，阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A）．

Ⅰ．氯化鐵溶液用于檢驗(yàn)食用香精乙酰乙酸乙酯時(shí)，會(huì)生成紫色配合物，其配離子結(jié)構(gòu)如右圖所示．
（1）此配合物中，鐵離子的價(jià)電子排布式為．
（2）此配離子中含有的作用力有（填序號(hào)）．
A．離子鍵    B．金屬鍵   C．極性鍵   D．非極性鍵
E．配位鍵    F．氫鍵      G．σ鍵     H．π鍵
（3）此配合物中碳原子的雜化軌道類型有．
Ⅱ．元素A的基態(tài)原子占據(jù)紡錘形原子軌道的電子總數(shù)為2，元素B與A同周期，其基態(tài)原子占據(jù)s軌道的電子數(shù)與p軌道相同；C是A的同族相鄰元素，電負(fù)性小于A；D是B的同族相鄰元素，第一電離能小于B．則：
（4）化合物CA和DB₂的晶體熔點(diǎn)較高的是（填化學(xué)式）．
（5）AD₂分子的空間構(gòu)型為．
（6）A、B和C的成鍵情況如下：

	A-B	A=B	C-B	C=B
鍵能/kJ?mol-1	360	803	464	640

A和B之間易形成含有雙鍵的AB₂分子晶體，而C和B之間則易形成含有單鍵的CB₂原子晶體，請(qǐng)結(jié)合數(shù)據(jù)分析其原因?yàn)?!--BA-->．

元素周期表中第四周期的金屬元素在生產(chǎn)和科研中有非常重要的使用價(jià)值．
（1）測(cè)定土壤中鐵的含量時(shí)需先將三價(jià)鐵還原為二價(jià)鐵，再采用鄰啡羅啉作顯色劑，用比色法測(cè)定，若土壤中含有高氯酸鹽時(shí)會(huì)對(duì)測(cè)定有干擾．相關(guān)的反應(yīng)如下：
4FeCl₃+2NH₂OH?HCl→4FeCl₂+N₂O↑+6HCl+H₂O
①Fe²⁺在基態(tài)時(shí)，核外電子排布式．
②羥胺中（NH₂OH）采用SP³雜化的原子有．
③Fe²⁺與鄰啡羅啉形成的配合物中，配位數(shù)為．
（2）向硫酸銅溶液中加入過量氨水，然后加入適量乙醇，溶液中析出深藍(lán)色的[Cu（NH₃）₄]SO₄晶體，該晶體中含有的化學(xué)鍵類型是．
（3）往硫酸銅溶液中加入過量氨水，可生成[Cu（NH₃）₄]²⁺，已知NF₃與NH₃的空間構(gòu)型都是三角錐形，但NF₃ 不易與Cu²⁺形成配離子，其原因是．
（4）配合物Ni（CO）₄常溫下呈液態(tài)，易溶于CCl₄、苯等有機(jī)溶劑．固態(tài)Ni（CO）₄屬于晶體；
（5）如果把晶胞頂點(diǎn)與最近三個(gè)面心所圍成的空隙叫做四面體空隙，第四周   期電負(fù)性最小的原子可作為容體摻入C₆₀ 晶體的空隙中，形成具有良好的超導(dǎo)性的摻雜C₆₀ 化合物．現(xiàn)把C₆₀抽象成質(zhì)點(diǎn)，該晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，若每個(gè)四面體空隙填入一個(gè)原子，則全部填滿C₆₀ 晶體的四面體空隙后，所形成的摻雜C₆₀ 化合物的化學(xué)式為．

20世紀(jì)50年代科學(xué)家提出價(jià)層電子對(duì)互斥理論（簡(jiǎn)稱VSEPR模型），用于預(yù)測(cè)簡(jiǎn)單分子立體構(gòu)型．其要點(diǎn)可以概括為：
用ABn表示只含一個(gè)中心原子的分子，A為中心原子，B為與中心原子相結(jié)合的原子，m為中心原子最外層未參與成鍵的孤電子對(duì)，（n+m）稱為價(jià)層電子對(duì)數(shù)．分子中的價(jià)層電子對(duì)總是互相排斥，均勻的分布在中心原子周圍的空間…
（1）根據(jù)上述要點(diǎn)可以畫出ABn的VSEPR理想模型，請(qǐng)?zhí)顚懴卤恚?br />

n+m	2	4
VSEPR理想模型	直線形
價(jià)層電子對(duì)之間的理想鍵角		109°28′

（2）SO32-的立體構(gòu)型為．