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原子序數(shù)小于18的八種連號元素,它們單質(zhì)的熔點隨原子序數(shù)增大而變化的趨勢如圖所示。圖中X元素應(yīng)屬

A   ⅢA族    B   ⅣA族     C   ⅤA族    D   ⅥA族

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外圍電子構(gòu)型為4f75d16s2元素在周期表中的位置是

A  四周期ⅦB族   B  五周期ⅢB族     C  六周期ⅦB族     D  六周期ⅢB族

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(08安徽皖北模擬)由乙烯和其他無機(jī)原料合成環(huán)狀化合物其合成過程如下(水及其他無機(jī)產(chǎn)物均已省略):

 

  

 

請分析后回答下列問題:

   (1)反應(yīng)的類型分別是①___________、②________________;

    (2)D物質(zhì)中的官能團(tuán)為___________________________;

    (3)C物質(zhì)的結(jié)構(gòu)簡式___________________,物質(zhì)X與A互為同分異構(gòu)體,則X的結(jié)構(gòu)簡式為_________________,X的名稱為_______________________________;

(4)B、D在一定條件下除能生成環(huán)狀化合物E外,還可反應(yīng)生成一種高分子化合物,試寫出B、D反應(yīng)生成該高分子化合物的方程式_________________________。

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寫出下列微粒的電子排布式和軌道排布式。

 (1)Mg電子排布式                        軌道排布式                     

 (2)O2―電子排布式                        軌道排布式                     

 (3)P的最外能層上的電子排布式                軌道排布式                  

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A、B、C、D、E分別代表五種短周期元素,且原子序數(shù)依次增大。已知B的最外電子層是ns2npn+1;C的p能級上未成對的電子比B少一個;D的二價陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu);E與D同周期且在E在該周期中原子半徑最小;B與A能生成具有刺激性氣味的氣體。請回答;(1)B核外電子排布式為           ;

(2)寫出A、C直接形成的化合物與E的單質(zhì)反應(yīng)的離子方程式                 

(3)寫出B和D形成的化合物遇水時發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式                         

(4)寫出A和D的電子軌道排布式樣                                            

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 當(dāng)電子排布在同一能級的不同軌道時,總是優(yōu)先單獨占據(jù)一個軌道,而且自旋方向相同,這個規(guī)則被稱為                     。

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下列原子的外圍電子排布式(或外圍軌道表示式)中,那一種狀態(tài)的能量較低?試說明理由。

(2)鈉原子:A. 3s1            B. 3p1

(3)鉻原子:A.3d54s1           B. 3d44s2

 

↑↓

 

 

 

(4)碳原子:A.                          B.    

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有A、B、C、D四種短周期主族元素,它們的原子序數(shù)依次增大,其中A元素原子核外電子僅有一種原子軌道,也是宇宙中最豐富的元素,B元素原子的核外P電子數(shù)比S電子數(shù)少一,C為金屬元素且原子核外P電子數(shù)和S電子數(shù)相等;D元素的原子核外所有P軌道全滿或半滿。

(1)       寫出四種元素的元素符號:

A________    B________   C________   D________

(2)       寫出C、D兩種元素基態(tài)原子核外電子排布的軌道表示式。

  C:                           D:

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下圖中,能正確表示基態(tài)硅原子的是                                    

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已知元素原子的下列結(jié)構(gòu)或性質(zhì),能確定其在周期表中位置的是         

  A.某元素原子的第二電子層電子排布圖為

B.某元素的在某種化合物中化合價為+4

C.某元素的原子最外層上電子數(shù)為6      

D.某元素的外圍電子排布式為5s25p1

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