A.Ca²⁺  1s²2s²2p⁶3s²3p⁶                       B.O  1s²2s²3p⁴

C.Cl^-  1s²2s²2p⁶3s²3p⁶                          D.Ar  1s²2s²2p⁶3s²3p⁶

A.SO₂和SiO₂            B.CO₂和H₂O                 C.NaCl和HCl           D.CCl₄和KCl

A.氯原子的2p軌道和氫原子的1s軌道

B.氯原子的2p軌道和氫原子的2p軌道

C.氯原子的3p軌道和氫原子的1s軌道

D.氯原子的2p軌道和氫原子的3p軌道

A.K層電子為奇數(shù)的所有元素所在族的序數(shù)與該元素原子的K層電子數(shù)相等

B.L層電子為奇數(shù)的所有元素所在族的序數(shù)與該元素原子的L層電子數(shù)相等

C.L層電子為偶數(shù)的所有主族元素所在族的序數(shù)與該元素原子的L層電子數(shù)相等

D.M層電子為奇數(shù)的所有主族元素所在族的序數(shù)與該元素原子的M層電子數(shù)相等

A.兩個(gè)鍵之間的夾角為120°

B.B—F鍵為非極性共價(jià)鍵

C.3個(gè)B—F鍵鍵能相同

D.3個(gè)B—F鍵的鍵長(zhǎng)相等

(1)欲計(jì)算得Li⁺和I^-的近似半徑，你還必須做何假設(shè)？

(2)計(jì)算Li⁺、I^-的近似半徑。

(3)若用另一種方法測(cè)得Li⁺的半徑為6.0×10^-11 —6.8×10^-11 m，試驗(yàn)證你的假設(shè)是否正確。

(1)同為離子晶體，為什么NaCl的熔沸點(diǎn)比CsCl的高？請(qǐng)從影響離子鍵強(qiáng)弱的因素入手進(jìn)行分析。_______________________________________________________________

(2)實(shí)驗(yàn)證明，干燥的NaCl晶體不導(dǎo)電，熔融的NaCl或NaCl溶液卻可以導(dǎo)電，你能說明其中的原因嗎？_______________________________________________________________

(1)A圖是某離子化合物的晶胞(組成晶體的一個(gè)最小重復(fù)單位)，陽離子位于中間，陰離子位于8個(gè)頂點(diǎn)，該化合物中陽、陰離子的個(gè)數(shù)比是_______________。

(2)B圖表示構(gòu)成NaCl晶體的一個(gè)晶胞，通過想像與推理，可確定一個(gè)NaCl晶胞中含Na⁺和Cl^-的個(gè)數(shù)分別為_______________、_______________。

(3)C圖是金剛石的晶體結(jié)構(gòu)，C₆₀、金剛石和石墨三者的關(guān)系是_______________。

A.同分異構(gòu)體           B.同素異形體          C.同系物           D.同位素

硅晶體的結(jié)構(gòu)跟金剛石相似，1 mol硅晶體中含有硅硅單鍵的數(shù)目約是_______________N_A個(gè)。二氧化硅的結(jié)構(gòu)相當(dāng)于在硅晶體結(jié)構(gòu)中每個(gè)硅—硅單鍵之間插入一個(gè)氧原子。二氧化硅的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中，硅、氧原子形成的最小環(huán)上原子數(shù)目是_______________。

(4)石墨晶體結(jié)構(gòu)如D圖所示，每一層由無數(shù)個(gè)正六邊形構(gòu)成，則平均每一個(gè)正六邊形所占有的碳原子數(shù)為_______________，“C—C”鍵數(shù)為_______________。

(5)足球烯C₆₀結(jié)構(gòu)形如足球，如E圖，則C₆₀中有_______________個(gè)六邊形，_______________個(gè)五邊形。固態(tài)時(shí)，C₆₀屬于_______________ (填“離子”、“原子”或“分子”)晶體，C₆₀分子中含有雙鍵的數(shù)目是_______________。

(6)晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元都是由硼原子組成的正二十面體的原子晶體，如F圖。其中含有20個(gè)等邊三角形和一定數(shù)目的頂角，每個(gè)頂角上各有1個(gè)原子。試觀察F圖，推斷這個(gè)基本結(jié)構(gòu)單元所含硼原子個(gè)數(shù)、鍵角、“B—B”鍵的個(gè)數(shù)依次為______________、_______________、_______________。

(1)氮化硅晶體屬于_______________ (填晶體類型)晶體。

(2)已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中，原子都以單鍵相連，且N原子和N原子，Si原子和Si原子不直接連接，同時(shí)每個(gè)原子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。請(qǐng)寫出氮化硅的化學(xué)式_______________。

(3)現(xiàn)用四氯化硅和氮?dú)庠跉錃鈿夥毡Ｗo(hù)下，加強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng)，可得較高純度的氮化硅。反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________________________________________________________。

(1)屬于離子化合物的是______________________________，其中只含有離子鍵的化合物的電子式為______________________、_________________________。

(2)屬于分子晶體的氧化物是__________________________________，屬于原子晶體的氧化物是______________________________。

(3)難溶于水的氣態(tài)氫化物是_______________，難溶于水的氧化物是_______________。